变流器专用IPM测试仪
变流器专用IPM测试仪

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ENI1220

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中国大陆

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核心参数

ENI1220 IPM 测试系统

变流器专用IPM测试仪

 


系统概述


基础配置



IPM,即智能功率模块,是先进的混合集成功率器件。一般使用IGBT作为功率开关元件,内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。

IPM模块需要测试的特性参数很多,其中最关键的测试参数为开关特性(时间特性)的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。


电压

电流




标配

选配

标配

选配




1200V

1000V

200A

200A




2200V

400A




3300V

600A




4500V

1000A




6000V

2000A



配置/短路测试



电压

电流

短路测试



标配

选配

标配

选配

项目

范围

误差

分辨率



1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V~1200V

±3%

10V



3300V

600A

测试电流

10A~75A

±3%

1A



4500V

1000A

短路电流

100A~500A

±3%

1A



6000V

2000A

短路时间

1 uS~10uS

可调

可调














测试功能



测试范围

测试参数



IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET,   VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN,   ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS



IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)



DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision







参数 / 精度


静态参数


动态参数


上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电极电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V


上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)


上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

集电极电流Ice:

10~75A,

误差±3%,分辨率1A


上桥驱动IC高端静态工作电流测试

(Iqbs-U,V,W)


VD=VBS=15V,          

误差±3%,分辨率0.1V


上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)

VIN=0~5V            

误差±3%,分辨率0.1V  

上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)

ton-L : 10~500nS,   

误差±3%,分辨率1nS


上桥驱动IC导通阈值电压测试

(Vth(on)-UH VH WH)

tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS   


toff-L: 50~500nS,  

误差±3%,分辨率1nS


上桥驱动IC关断阈值电压测试

(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    


Trr-L :10~500nS,   

误差±3%,分辨率1nS


上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ,  

误差±3%,分辨率0.1mJ 


上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

Eoff-L:   0.1~10mJ 

误差±3%,分辨率0.1mJ


下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

集电极电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V


下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)


故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

集电极电流Ice:

10~75A,

误差±3%,分辨率1A


过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))


下桥欠压保护监测电平(UVdd)

VD=VBS=15V,          

误差±3%,分辨率0.1V


下桥欠压保护复位电平(UVdr)

VIN=0~5V            

误差±3%,分辨率0.1V  


下桥驱动IC导通阈值电压

(Vth(on)-UL VL WL)

ton-L : 10~500nS,   

误差±3%,分辨率1nS


tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS   


下桥驱动IC关断阈值电压

(Vth(off)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS,  

误差±3%,分辨率1nS


tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    


下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS,   

误差±3%,分辨率1nS


下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ,  

误差±3%,分辨率0.1mJ 




Eoff-L:   0.1~10mJ 

误差±3%,分辨率0.1mJ


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