仪器种类: 变温霍尔
产地类别: 进口
恒流源电流范围: 0.1 pA~10mA
测试电压: 最小可测到6X10-6 V
迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
最高电压: +/-2.5V
电阻率: 10-6~1013 Ohm*cm
载流子浓度: 102~1022cm-3
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仪器简介:
美国MMR霍尔效应测试仪为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。
可选用变温,变磁场等多种配置。
美国MMR霍尔效应测试仪主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。
目前广泛应有于大学,研究所和半导体厂商。
技术参数:
功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
测试范围:Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
1. 样品固定方式:弹簧探针或引线治具
2. 温度:70~730K;80~580K;70~580K;80~730K;室温~730K(可选)
3. 磁场:5000Gauss永磁铁,5000Gauss电磁场, 1.4T电磁场(可选)
4. 温度稳定度:<=0.05K
5. 温度响应:1K/sec
6. 致冷片:10X14 mm
7. 电阻率:10-6~1013 Ohm*cm
8. 载流子迁移率:10-2~109 cm2/volt*sec
9. 载流子浓度:102~1022cm-3
10. 电流范围:0.1 pA~10mA
11. 电压范围:+/-2.5V,最小可测到6X10-6 V
12. 电阻范围:10 m Ohms~ 10G Ohms
主要特点:
1. 采用van der Pauw法测试
2. 最大可测25mmX25mm样品,提供两种样品装载方式:弹簧探针、引线治具,以及两个杜瓦瓶:全封闭和带玻璃窗口各一个;
3. 配备电脑和相应的控制软件,测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品,电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出;
4. 模块化设计,可升级到温度范围更广、磁场更大的系统,也可升级成塞贝克测量系统;
5. 测试过程中,由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;
6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试,最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性,其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试
7. 允许在一定气体环境下测试
提供石英透明窗口,可以测试光激发下电阻率、载流子浓度、迁移率等参数
应用领域:
所有半导体材料,包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
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