美国MMR霍尔效应测试仪

仪器简介：

美国MMR霍尔效应测试仪为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。

可选用变温，变磁场等多种配置。

美国MMR霍尔效应测试仪主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 

目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。

 技术参数：

功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。

1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具

2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）

3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）

4. 温度稳定度：<=0.05K

5. 温度响应：1K/sec

6. 致冷片：10X14 mm

7. 电阻率：10^-6~10¹³ Ohm*cm

8. 载流子迁移率：10^-2~10⁹ cm²/volt*sec

9. 载流子浓度：10²~10²²cm^-3

10. 电流范围：0.1 pA~10mA

11. 电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10^-6 V

12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

 主要特点：

1.   采用van der Pauw法测试
2.   最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一个;
3.   配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出;
4.   模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统;
5.   测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;
6.   在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试
7.   允许在一定气体环境下测试

提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率、载流子浓度、迁移率等参数

 应用领域： 

所有半导体材料，包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)