红外辐射源，TO39，带盖，填充气体Kr和滤光片A4

红外辐射源，TO39，带盖，填充气体Kr和滤光片A4

带有盖和滤光片的红外辐射源，具有透射紫外线-14 μm和优化的性能

•高调制频率

•高辐射功率

•使用寿命长

•较低的输入功率和相同的光功率

•氟化钡滤光片坚固耐用，不受环境影响

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能膜由纳米非晶碳组成，其膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。填充气体和滤光片的组合可优化从UV到14 μm波长范围内的发射。带盖的包装形式适用于测量Max.2 cm的截面。

与MTS热电堆传感器配合使用。

技术指标

红外辐射源，TO39，带盖，填充气体Kr和滤光片A2

带帽盖和滤光片的红外辐射源，具有透射紫外线-12 μm和优化的性能

•高调制频率

•高辐射功率

•较低的输入功率和相同的光功率

•使用寿命长

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能薄膜由纳米非晶碳组成，其薄膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。填充气体和滤光片的组合可优化从UV到12 μm波长范围内的发射。带盖的包装形式适用于测量Max.2 cm的截面。

与MTS热电堆传感器配合使用。

技术指标

红外辐射源，TO39，带盖，填充气体Kr和滤光片A1

带帽盖和滤光片的红外辐射源，具有透射紫外线-5.5 μm和优化的性能

•高调制频率

•高辐射功率

•使用寿命长

•低输入功率和相同光功率

•蓝宝石滤光片可抵抗环境影响

描述

R用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的辐射源。MEMS红外发射器的高性能薄膜由纳米非晶碳组成，其薄膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。填充气体和滤光片的组合可优化从UV到5.5 μm波长范围内的发射。带盖的包装形式适用于测量Max.2 cm的截面。

与MTS热电堆传感器配合使用。

技术指标

红外辐射源，TO39，带盖子和滤光片A4

带盖和滤光片的红外辐射源，具有透射紫外线-14 μm

•高调制频率

•高辐射功率

•使用寿命长

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能薄膜由纳米非晶碳组成，其薄膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。带盖的包装形式适用于测量Max.2 cm的截面。

技术指标

红外辐射源，TO39，带盖子和滤光片A2

带盖和滤光片的红外辐射源，具有透射紫外线-12 μm

•高调制频率

•高辐射功率

•使用寿命长

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能薄膜由纳米非晶碳组成，其薄膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。带盖的包装形式适用于测量Max.2 cm的截面。

技术指标

红外辐射源，TO39，带盖和滤光片A1

带帽盖和滤光片的红外辐射源，透射紫外线-5.5μm，

•高调制频率

•高辐射功率

•使用寿命长

•蓝宝石滤光片可抵抗环境影响

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能膜由纳米非晶碳组成，其膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。填充气体和滤光片的组合可优化从UV到5.5 μm波长范围内的发射。带盖的包装形式适用于测量Max.2 cm的截面。

与MTS热电堆传感器配合使用。

技术指标

红外辐射源，TO 39芯片在接头上

适用于所有NDIR气体分析应用的接头上的IR发射器芯片

•高调制频率

•高辐射功率

•使用寿命长

描述

用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能薄膜由纳米非晶碳组成，其薄膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。作为芯片上的接头，IR发射器可以在TO封装上进行单独处理。

技术指标