SI APD雪崩光电探测器
SI APD雪崩光电探测器

¥1001 - 2999

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筱晓光子

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AD100-8 TO

--

美洲

  • 金牌
  • 第11年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
该产品已下架
核心参数

SI APD雪崩光电探测器

AD100-8 TO

圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。

产品特征:

APD具有0.008mm2的有效面积

100μm直径有效面积

低偏置电压时的高增益

快速上升时间,低电容

最佳增益:50-60

 

产品应用:

激光测距仪

高速光度测定

高速光通信

用器材

 

绝对最大额定值

符号

参数

最小值

最大值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain IPO=1 nA

-200



IPEAK

Peak DC current


0.25

mA


光电参数@23℃:

符号

特性

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位


有效区域


直径 100

um


有效区域


0.00785

mm2

ID

暗电流

M=100


0.05

0.1

nA

C

电容

M=100


0.5


pF


响应

M=100λ=800nm

45

50


A/W

tR

上升时间

M=100λ=905nmRL=50?



0.18

ns


截止频率

-3dB

2



GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80


160

v


温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K


过大噪声因素

M=100


2.2




过大噪声指数

M=100


0.2



光谱响应图(M=100):

量子效应(23℃)                          电容为反偏压(23°C)

乘积作为偏压(23°C60℃)                暗电流为偏压(23℃,60℃)

应用提示:

?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制

?对于低光照应用,应使用环境光的遮挡

?对于高增益应用,偏置电压应进行温度补偿

?处理时请考虑基本的ESD保护

?使用低噪声读出 - IC

?有关更多问题,请参阅文档“处理和处理说明”

?最佳增益:50-60


封装图:

包装尺寸:

少量:泡沫垫,盒装(12厘米x 16.5厘米)


售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 我司实验室可进行培训

免费仪器保养: 1年内

保内维修承诺: 免费更换零件 调试等

报修承诺: 约定时间内进行维修调试

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