GaSe（硒化镓）太赫兹晶体

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

应用领域

?太赫兹时域系统

?太赫兹源晶体

?中远红外气体探测

?CO2激光的SHG

?THZ实验光源

?太赫兹成像

产品特点

? 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域

? 抗损伤阈值高

? 非线性系数大

? CO2激光的SHG

? 多种尺寸可选

? 客户导向的解决方案

? 接受客户定制服务