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Thermo Scientific Nicolet 硅分析系统性能极佳,拥有成本低,可靠性高。
Nicolet 分析系统可以快速测量间隙碳和间隙氧以及外延薄膜厚度,适用于半导体晶片生产和太阳硅应用。 经光伏硅转换太阳能的需求持续显著增长,Nicolet 硅分析系统可提供快速、可靠的多功能分析。
Nicolet 硅分析系统的处理选项包括:1)自动分析 300 mm(最大)的晶片;2)低成本手动测量单个点。 本系统可提供行业趋势变化所需的灵活性,可用于方形晶片和金属片的分析。
具有硅分析选项,可以满足各种预算需求。 所有解决方案均包括软件工具,其中包括:
· 碳、氧和外延薄膜(300nm 至 7500nm)分析
· 定量算法广泛,扩展了功能,其中包括:线性回归法、经典最小二乘法 (CLS) 和偏最小二乘法 (PLS)
· 支持 ASTM 和 JEIDA 标准,可以测量替代碳和间隙氧
此高级自动分析系统以 Nicolet x700 光谱仪为基础,可满足要求苛刻的操作环境。 此应用软件具有完全自动化的扫描成像平台,所含软件可以实现:
· 灵活的测量选择:从单点绘制到整个晶片绘制
· 处理 300mm (最大)的晶片
· 透射与反射能力测量:可以接受的材料和薄膜非常广泛
· 简便的用户操作
此手动分析系统基于 Nicolet x700 或 Nicolet iS10 FT-IR 光谱仪,适用于要求不太苛刻的 QA/QC 应用。 此系统在样品室中使用手动旋转平台,包括:
· 单点分析手动定位样品
· 在样品室中处理晶片
· 具有透射测量能力,可以接受众多材料和薄膜
推荐应用:
· 测量硅中碳和氧的含量,以便对光伏器件进行过程控制
· 介电薄膜中掺杂物的浓度级别(BPSG、PSG、FSG 等)
· 氮化硅薄膜中的氢含量
· 外延薄膜厚度
· MEMS 器件厚度
· 硅片中的代位碳和间隙氧含量
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