上海伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO
上海伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO

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考夫曼

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RFICP 200 HO

--

美洲

  • 金牌
  • 第17年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO

KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO

KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有栅极离子源,能够产生高密度的离子束,特别是在 1000 eV 或稍低的能量下获得极高密度的离子束,因此合适于像离子辅助沉积和离子束刻蚀这样的低能量的工艺。因为尺寸的大型化,使它更适用于较大覆盖区域和较高均匀性的要求,因此广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer 的离子刻蚀系统。

KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source产品规格



Model

RFICP 200 HO

Discharge

RF inductive

Filamentless

Yes

RF power

>1 kW

Ion optics

OptiBeamTM

Grids

Application specific

Alignment

Self-aligned

Neutralizer

Yes (options)

Power controller

RFICP ion Power Pack

Options


Beam Shape

Collimated, convergent, divergent

Water cooled

Yes

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士
T:                    T:
F:                         F:
M:                      M:
                    

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售后服务承诺

产品货期: 365天

整机质保期: 1年

培训服务: 提供付费培训

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