美国MMR K2500 变温霍尔效应测试仪器

MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

 MMR可控连续变温霍尔效应测试系统

1.  功能描述：   测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

2.  测试范围：   Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、        迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。

3.  磁场强度：   0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择

4.  温度区域:    70K ~730K；   80K ~580K；   80K ~730K；   300K ~730K

5.  电阻率范围：10^-6~10¹³ Ohm*cm

6.  电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

7.  载流子浓度：10²~10²²cm^-3

8.  迁移率:   10^-2~10⁹ cm²/volt*sec

   仪器优点：

1.   采用van der Pauw法测试;

2.   最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一       个;

3.   配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自         动。测试数据能够方便的储存和导出;

4.   模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统;

5.    测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;

6.   在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯            性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试

7.允许在一定气体环境下测试

8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率