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TeraSpike - LT-GaAs光电场检测器
TeraSpike是新一代的微探针，用于太赫兹频率范围内电场的光电导检测。基于客户的反馈和不断增长的应用驱动的需求，我们对近场探针进行了彻底的重新设计并且开发成功。新的探针是一款多用途表面近场电场探测器，适用于太赫兹波长范围内，具有前所未有的性能，可靠并且可适应。它可以完美地集成到太赫兹时域系统，在860 nm以下光激发，这是最高性价比的解决方案，将您的系统变成功能强大的高分辨率近场太赫兹系统。
主要特点
市场上最小的主动太赫兹探针，基于专利设计，悬臂厚度仅有1μm（DE102009000823.3）
空间分辨率达3微米
频率范围0-4太赫兹
适用于所有基于激光的λ<860 nm的太赫兹系统
安装与标准光机械部件兼容
典型的光激发功率：飞秒激光器1-5毫瓦（1-5微焦/平方厘米）
应用
太赫兹研究：超材料，等离子体，石墨烯，波导，...
高分辨率太赫兹近场成像
非接触式薄膜电阻半导体成像
MMIC器件特性分析
无损检测芯片
时域反射计（TDR）
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| Measured near-field distribution of a gated graphene layer on SiO2-Si revealing conductivity inhomogeneity 测量在 SiO2-Si上的石墨烯膜层的近场分布 | Measured near-field image of a pulse-excited THz metamaterial surface 测量脉冲激发的THz超物质表面的近场图像 | Measured sheet conductivity image of a laser-doped multicrystalline silicon wafer. 测量激光刻蚀多晶硅晶圆的薄层导电率图像 |
TeraSpike TD-800- | X-HR | X-HRS | X-HS | Z-A-500G |
| Max. spatial resolution | 3 μm | 20 μm | 100 μm | 8 μm |
| Photoconductive gap size at tip | 1.5 μm | 2 μm | 3 μm | 5 μm |
| Dark current @ 1V Bias | < 0.5 nA | < 0.5 nA | < 0.4 nA | < 0.4 nA |
| Photocurrent | > 1 μA | > 0.6 μA | > 0.6 μA | > 0.5 μA |
| Excitation wavelength | 700 nm ... 860 nm | |||
| Excitation power | 1 mW ... 4 mW | |||
| Connection type | SMP | |||
