微波光电导载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪
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HAD-100A

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中国大陆

  • 银牌
  • 第11年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
该产品已下架
核心参数
1:微波光电导载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号:HAD-100A
HAD-100A型微波光电导载流子复合寿命测试仪是参照半导体设备和材料际组织SEMI标准MF1535-0707及家标准GB/T 26068-2010。并且我单位是微波反射法家标准起草单位之。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法,适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量,提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况,是半导体质量的重要检测项目。

 

GZ-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美 A.S.T.M 标准而的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之。本仪器灵敏度较,配备有红外光源,可测量包括集成电路硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
 
   本仪器根据际通用方法频光电导衰退法的原理,由稳压电源、频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五份组成。采用印刷电路和频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。
 术  标
 
 测试单晶电阻率范围  >2Ω.cm
 可测单晶少子寿命范围  5μS~7000μS
 配备光源类型  波长:1.09μm;余辉<1 μS;
 闪光频率为:20~30次/秒;
 闪光频率为:20~30次/秒;
 频振荡源  用石英谐振器,振荡频率:30MHz
 前置放大器  放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz
 仪器测量重复误差  <±20%
 测量方式  采用对标准曲线读数方式
 仪器消耗率  <25W
 仪器作条件  温度: 10-35℃、 湿度 < 80%、使用电源:AC 220V,50Hz
 可测单晶尺寸  断面竖测:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
 纵向卧测:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;
 配用示波器  频宽0—20MHz;
 电压灵敏:10mV/cm;






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