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NDWH-648型变温霍尔效应实验仪用于半导体的霍尔系数与电导率的测量。由安装了样品的变温设备，自动换向磁场，测、控温系统，数据采集、传输和处理系统以及计算机软件组成。</PRE>
变温范围：77K~400K
2、温度测量分辨率：0.5K
3、励磁电源电流调节范围：0~6A
4、磁场调节范围：0~400mT
5、霍尔电压分辨率：1uV
6、提供霍尔样品的电流：1mA
1、系统软件能够自动完成霍尔系数和电导率的测量、控制、记录及数据处理全过程。
2、测量系统线路采用单片机设计，内有WATCHDOG电路，具有高可靠性及高抗干扰性能。
3、采用低漂移前置放大器和高分辨率高速采集芯片。
1879年，霍尔发现导体在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，于是这种电磁效应就被称为“霍尔效应”。而在半导体材料中，霍尔效应要比在金属材料中大的多。利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度。如果进一步测量霍尔效应随温度的变化，还可以确定半导体的禁带宽度、杂质的电离能以及迁移率的温度特性等。所以，霍尔效应实验是研究半导体材料电学特性的重要方法。
