预算1.95亿元！北京理工大学近期大批仪器采购意向

序号

采购项目

需求概况

预算金额/万元

采购时间

1

精密微纳制造中心核心实验区洁净设备购置

洁净系统（含相关辅助子系统）常用于需要极高洁净度和稳定温湿度环境的场所，其核心技术能力包括：恒温控制、恒湿控制、空气过滤等。通过这些核心技术，可以过滤掉0.3μm以上的颗粒。适用于极其敏感的生产和研究活动；且该系统采用特殊设计防止不同区域之间的空气交叉感染，可确保环境洁净度。要求提供至少3年免费原厂报修服务以及完善的售后服务。免费提供现场仪器安装、调试及操作培训服务并对招标文件中要求的安装、调试、验收、技术培训、售后服务等方面作出详细承诺。

5989

2024年9月

2

精密微纳制造中心洁净设备购置

洁净系统（含相关辅助子系统）常用于需要极高洁净度和稳定温湿度环境的场所，其核心技术能力包括：恒温控制、恒湿控制、空气过滤等。通过这些核心技术，可以过滤掉0.3μm以上的颗粒。适用于极其敏感的生产和研究活动；且该系统采用特殊设计防止不同区域之间的空气交叉感染，可确保环境洁净度。要求提供至少3年免费原厂报修服务以及完善的售后服务。免费提供现场仪器安装、调试及操作培训服务并对招标文件中要求的安装、调试、验收、技术培训、售后服务等方面作出详细承诺。

7860

2024年9月

3

三轴转台

采购一台三轴转台设备。 1、三轴温控转台可以实现从单自由度到三自由度的位置、速度、加速度的精密运动控制；提供精确的角度位置、精密的运动测试基准和模拟环境温度变化； 2、转台由机械台体、转台电控系统、温控箱及其控制系统等组成，通过线缆相互连接，可采用本地计算机集中控制，也可通过对外高速通讯接口接收外部指令，完成对系统位置、速率、高低温的控制。 3、机械台体结构由三个框架和基座两大部分组成，主要为负载提供安装基准和内框、中框、外框三轴系回转运动。采用U-U-T结构，三轴旋转连续无限。方位轴为铅垂、俯仰轴为水平、横滚轴绕俯仰轴可处不同的空间位置； 4、转台电控系统主要完成转台的起停、转台监控及远程控制等功能，主要由工业控制计算机、运动控制单元、测角单元、驱动单元、逻辑控制单元等组成。各单元分散放置于控制机柜和驱动机柜内，控制机柜主要放置转台的运动控制和测角单元，驱动机柜主要放置转台驱动功放单元。 5、具备可视化操作界面，便于模式选择、参数设置及监控；也可通过RS232或RS422与远控计算机进行通讯与控制；转台电控系统采用主控计算机+“DSP+FPGA运动控制板卡”+伺服驱动单元+力矩电机+高精度编码器的成熟技术方案，位置、速率、电流三环控制方式，配合成熟的伺服控制算法，保证系统良好的稳态精度及动态品质。

150

2024年9月

4

飞秒激光器

产生超短激光脉冲用于样品激发. 数量1。

200

2024年9月

5

高性能光学测试平台

用于搭建氮化铝、金刚石等晶圆级光学测试平台 数量1套。

105

2024年9月

6

PVT单晶炉

需采购的PVT单晶炉用于氮化铝单晶生长。主要性能指标：1.可控温度：最高2400 ℃； 2.温度稳定性：工作温度为2350 ℃时，温度波动±1 ℃；3. 温度上限及稳定性验收方式：红外高温计实测，间隔10 s采样30 min；4. 压力可制范围0-1500 mbar；5.压力稳定性：工作压力为700 mbar时，压力波动±2 mbar；6. 压力及压力稳定性验收方式：压力表实测，间隔10 s采样30 min；7. 最高真空度：≤10-6 mbar；8. 真空度验收方式：压力表实测；9. 程序自动化：抽真空、充气、升温、压力控制、降温全流程可编辑，数据可导出；10. 生长晶片尺寸：3英寸； 11. 晶体生长速率：≥100 μm/h； 参考品牌苏州美腾炉业，MT-V1144V/G；采购数量：1台；部署场地：良乡校区前沿交叉科学研究大楼401；安装工程需求：冷却水：0.4公斤；电压：380 V三相电；功率：≥35 kW。

180

2024年9月

7

肿瘤类器官培养、成像和检测一体化系统

肿瘤类器官培养、成像和检测一体化系统，1套。

630

2024年9月

8

高精度低温芯片测试系统

1）主要功能： 用于半导体芯片高精度光电性能测试，可提供不低于4.5K-350K的可控测试环境温度范围，且样品环境真空度优于5*10-4 torr，配套测试源表和开关。 2）主要技术参数 1、闭循环低温控制系统，可控温度范围不低于 4.5K-350K，温度稳定性高于300K±100mk 2、安装四路开尔文探针，X 方向位移距离不低于 50mm，Y 方向位移距离不低于 25mm，Z 方向位移距离不低于25mm，位移精度不低于 3μm，每路探针配两个三同轴接口。安装 1 路光纤臂，多模 IRVIS 光纤，波长范围不低于400-2100nm，纤芯/包层直径：200/240μm。 3、不低于两英寸样品台，样品台浮地屏蔽设计，带背部电极，样品台表面镀金处理 4、观察窗净尺寸直径不低于 65mm，观察窗材料使用熔融石英 5、样品环境真空度优于 5*10-4 torr 6、双通道源表最大电流源/量程不低于10A，最大电压源/量程不低于200V，测量分辨率（电流/电压）不低于0.1fA / 100nV 7、多通道系统开关最大开关通道数不低于576，集成式数字万用表，卡槽数不低于6，配置不少于 2个高密度多路复用卡 3）售后服务： 1、质量保证期为12个月，由最终双方验收合格签署验收报告之日期起；提供一名10年以上设备服务维修经验的工程师提供持续的技术支持。 2、若设备发生故障，卖方在接到买方的设备故障通知后 2小时内做出反应，工作日24小时/周末节假日48小时内赶到现场。

104

2024年9月

9

多功能显微光谱检测系统

1. 基于开放式显微机台，搭配多波长激光器，实现显微荧光光谱、透射及反射光谱等检测功能。配备显微冷热台与源表，实现样品环境调控与光电流检测功能。 2. 配备100 W卤素光源与荧光落射器，实现显微镜下明场成像与光谱采集功能。 3. 配备100 W卤素光源用于透射照明，可实现400-1700 nm波段透反射光谱检测。 4. 配备405 nm激光器，功率100 mW，线宽3 nm。配备对应荧光滤光片组，可实现420~1000 nm荧光光谱接收。 5. 配备532 nm窄线宽拉曼激光器，功率100 mW，线宽小于1 MHz。配备对应荧光功能滤光片，可实现550~1000 nm以及900~1600 nm波段荧光光谱接收。 6. 系统配置覆盖紫外-可见波段的制冷型面阵背照式CCD光谱探测器，探测器波段范围覆盖不低于250-980 nm，制冷温度最低可达室温（@20℃）以下40℃，最短采集时间需为4 ms。 7.近红外波段配置制冷型InGaAs阵列探测器，波段范围覆盖不低于900-1700 nm，制冷温度最低可达室温（@20℃）以下40℃，最短采集时间需为1ms。 8. 配备高精度源表，最大电压量程200V，最大电流量程1A，电源功率20W；电压分辨率10 nV，电流分辨率10 fA。配备软件，支持IV、IT曲线以及光电流mapping测试。 9. 系统配置自动化控制软件，实现显微成像、光谱测量模式切换、快门控制、位移台控制、照明强度控制功能。软件支持基于样品图像，自定义选择待测点位及区域，进行光谱测量，支持多个样品点位记录存储功能，支持mapping数据的二次导入及分析。

110

2024年9月

10

中红外激光器

用于红外光电探测器与成像测试，主要功能包括： 1.输出波长2600±30nm，3400±30nm，4400±30nm范围内，输出功率0.8W@2600nm，0.8W@3400nm，0.1W@4400nm，输出方式光纤耦合，光纤参数400um芯径，NA0.22，SMA905接口，长度1米；功率可调节范围0~100%，工作温度范围15℃～35℃，工作湿度范围30%～80%，激光输出功率稳定性＜5%（rms），预热时间＜10mins。 2.具有单像素计算成像功能，三合一波段激光器，并配有透射式振幅型空间光调制器，8位，256阶，分辨率1920×1080，像元大小8.5um，刷新频率60Hz，光谱范围380-1200nm，损伤阈值2W/cm2，有效区域0.74"，匹配探测器像素尺寸，使光斑缩小到单像素大小。 3.并配有单像素扫描成像（笼式系统1），532±1nm，功率500mW光源通过液芯光纤+透镜+转接件方式做匀化处理，配备二维位移台及控制器，重复定位精度5μm，行程30mm，可绘制强度-位置图。 4.并配有单像素扫描成像（笼式系统2），1470±20nm，功率500mW光源通过液芯光纤+透镜+转接件方式做匀化处理，配备二维位移台及控制器，重复定位精度5μm，行程30mm，可绘制强度-位置图。 5.并配有单像素扫描成像（笼式系统3），1060±5nm，功率500mW光源通过液芯光纤+透镜+转接件方式做匀化处理，配备二维位移台及控制器，重复定位精度5μm，行程30mm，可绘制强度-位置图。 6.电源供电：AC 220V±10% 50Hz±1 7.具有过温报警和保护功能，当环境温度超过45℃时，报警过温保护灯自动亮起，激光器切断供电，停止工作。 8.具有急停开关。 9.功率可调节：手动调节旋钮，功率0～100%可调节。 10.需提供厂家出具的技术白皮书、检测报告复印件或公开发行的技术资料。 售后服务： 1.仪器到货安装，仪器到货前卖方应将安装环境要求书面通知买方，并与买方协商到货和安装验收时间，卖方负责安装调试，现场开箱清点检查和性能测试以及验收结果需买卖双方参与并确认。 2.仪器设备验收标准，应符合国家行业标准和招标投标文件以及合同约定的技术标准指标等，验收结果需卖方确认签字。 3.质量保证，仪器设备质保期自验收合格之日起计算，免费质保期为1年。质保期内，任何由制造商引起的质量问题，卖方负责维护维修或更换部件等直至符合验收标准，并承担相关全部费用。保修期满前1个月内卖方应负责一次免费全面检查，并写出正式检查报告，如发现潜在问题，应负责解决排除。

132

2024年9月

11

射频芯片组件三维集成制造

1. CB3飞秒激光器 中心输出波长：1030nm±10nm； 最大平均功率：20W； 基频光最短脉冲宽度：≤250 fs； 脉冲宽度可调谐：250fs-10ps； 重复频率：1-1MHz 可调； 单脉冲能量：400uJ ； 光束质量：TEM00;M2<1.2 脉冲能量稳定性：<0.5% over 24h 长时间功率稳定性：<0.5% over 100h 包含二倍频、三倍频输出 包含 burst 模式 包含 30W 功率计 1 个和护目镜 5 个 2. ORPHEUS-NEO 光学参量放大器 波长范围：640-1000nm，1050-2600 nm 紫外扩展：320-500nm, 525-640nm 最大输入功率：80W 转换效率> 7% @700 nm @40 – 800 μJ pump 光谱带宽：80-220cm-1 @ 700-960 nm 光束质量：M2< 1.3 @ 800 nm 脉宽：120-250fs 长时间功率稳定性：<1%@800nm ,8h 脉冲能量稳定性：<1%@800nm,1min。

205

2024年9月

12

PVT单晶炉

需采购的PVT单最炉用于氮化铝单晶生长。主要性能指标：1.可控温度：最高2400°C；2.温度稳定性：工作温度为2350°C时，温度波动正负1°C；3.温度上限及稳定性验收方式：红外高温计实测，间隔10 s采样30 min; 4.压力可制范围0-1500 mbar; 5.压力稳定性：工作压力为700 mbar时，压力波动正负2mbar;6.压力及压力稳定性验收方式：压力表实测，间隔10 s采样30min； 7.最高真空度：≤10-6 mbar;8.真空度验收方式：压力表实测；9.程序自动化：抽真空、充气、升温、压力控制、降温全流程可编辑，数据可导出；10.生长品片尺寸：3英寸；11.品体生长速率：≥100 μm/h；参考品牌苏州美腾炉业，MT-V1144V/G；采购数量：1台；部署场地：良乡校区前沿交叉科学研究大楼401；安装工程需求：冷却水：0.4公斤；电压：380V三相电；功率：235 kW。

160

2024年9月

13

四端口矢量网络分析仪及太赫兹扩频系统

四端口矢量网络分析仪及太赫兹扩频系统，1套。

392

2024年9月

14

电子白板一体机

计划采购四十八台××电子白板一体机，为实验教学提供终端触屏设备。具体要求详见采购文件。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

120

2024年9月

15

材料锻造工艺仿真软件

软件包含锻造成形、金属成形、热处理、机械加工、用户自定义子程序等功能。

375

2024年9月

16

多物理场材料分析软件

软件具备CAD建模、网格剖分、求解、结果后处理和二次开发等功能，求解器具备多物理场耦合分析功能，支持电磁、流体、结构、热等不同物理场的单场和多场计算。

231

2024年9月

17

爆炸冲击××动力学仿真平台

软件配套方案中包含前后处理，接口，标准包，可以模拟爆轰及冲击波效应。

107

2024年9月

18

PIV仪器设备

粒子图像测速仪（PIV），1套。

181

2024年9月

19

晶圆级无损划片系统

晶圆级无损划片系统，1套。技术参数：激光功率:>8-100W(可选)；扫描速度: 3000mm/s；划片尺寸:8寸向下兼容；激光加工效果:<20um(崩边&热效应)。具体要求详见采购文件。供货期及安装验收（包括供货，安装，调试，验收合格所需时间）等具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

360

2024年10月

20

电子束曝光机

1.采用肖特基热场发射电子束源，可实现高分辨电子束光刻和电子束成像功能。 2.加速电压为20V-30kV，并在此范围内可以灵活调节。 3.束电流范围：5pA - 20nA 4.束流可长时间稳定，实验室温度波动± 0.5℃的情况下，束电流稳定性不大于± 0.5%/ 小时。 5.配备轴向和非轴向两个二次电子探测器，实现高分辨成像和测量功能，成像放大倍数满足20 - 1,000,000倍 *6. 配备系统专用图形发生器，扫描频率不小于20MHz *7.写场尺寸调节范围0.5um-2mm。 8.提供水冷机以及常用工具箱。 *9.束斑尺寸：1kV加速电压下不大于4nm；20kV加速电压下不大于1.6nm 10.束斑位置稳定性：不大于±400nm/小时 *11.最小验收线宽：不大于8nm； *12.光栅验收尺寸：光栅周期≤40nm，线宽≤20nm *13.100um写场，同一写场内的套刻精度：不大于 50 nm (|mean| + 3 · sigma)。

560

2024年10月

21

卓越工程师管理系统

卓越工程师管理系统开发建设，1项 建立智慧化管理信息系统。建立校企导师库、学生库、项目库、平台库、课程库，实现对工程硕博士学籍管理、思政教育、培养环节、实践创新、课程研究、论文答辩和学位授予等功能，面向学校管理人员、企业管理人员、学生、学校导师、企业导师5大主体，设计开发工程硕博士研究生智慧化管理信息系统。该系统针对工程硕博士本研贯通、工学交替、双师指导、企业实践等培养模式，具有联合培养企业多、地域分布广、专业领域宽等特点，同时应实现数字智慧管理，科学统计分析，过程质量监控，并与其他相关管理系统可进行数据交换。该系统预计涉及的学生最大规模3000人、学校导师最大规模2000人、企业导师最大规模2000人、学校管理人员100人、不同企业管理人员最大规模400人。

180

2024年10月

22

数字全息显微镜 DHM R2014型

数字全息显微镜，1套。技术参数：动态精度：面外动态分辨率小于1nm，面内动态分辨率小于100nm；动态可测垂直高度：连续结构200um；横向分辨率1000nm；纵向分辨率1nm；可测结构振动频率25MHz。具体要求详见采购文件。供货期及安装验收（包括供货，安装，调试，验收合格所需时间）等具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。

285

2024年10月

23

PVT单晶炉

PVT单晶炉，数量1，用于氮化铝单晶的生长。

160

2024年10月

24

智能芯片混合现实应用系统

智能芯片混合现实应用系统，2套，每套系统包含5个芯片感知模块；每模块具体要求包括： 1. 国产芯片混合现实感知系统： (1)可穿戴硬件平台头戴设备：具备32位低功耗MCU，高性能Type-C转MIPI?DSI/CSI处理器，双目光学引擎（单眼显示分辨率达1920×1080，刷新率60Hz，显示像元5.62μm，亮度不低于1800nits，Eye relief不低于12mm，Eye box不低于10×5.4，FOV不低于42°，MTF大于27% @30lp/mm），9轴IMU传感器，摄像头640×480/30Hz，8Ω/0.5W喇叭×2，麦克风，物理按键×3。 (2)算力终端：可穿戴硬件平台计算设备应具备不低于4核CPU，8GB内存，256G存储，优先选择鸿蒙、IRIS国产操作系统。 2. 国产芯片人因交互系统： 可穿戴硬件平台动捕设备具备检测四肢的运动状态，包括9轴IMU惯性捕捉和生物电传感功能，采样频率不低于100Hz。 3. 国产芯片电路实验仪： 国产芯片电路实验仪包含完全可编程的国产FPGA，通过16路模拟输入、4路模拟输出和40条数字I/O线路将数据采集和控制。 供货期：签订合同之日起，365个日历日货到采购人指定地点并安装验收完毕。（包括供货，安装，调试，验收合格所需时间）。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要。

100

2024年10月

25

芯片仿真及集成验证硬件平台

一套 1，单服务器CPU不少于2个；2、单服务器内存不低于512GB；3、服务器总存储不低于100TB；4、构建服务器集群支持5亿门级芯片的设计、仿真、综合、时序分析等工作。

110

2024年10月

26

图像处理IP

一套 国产 支持OPENCL3.0 、OPENCV 图像处理函数；支持32bit FLOAT型运算；128GFlops@FP32算力。

370

2024年10月

27

生物学X射线辐照仪

主要功能或目标：可用于免疫学，肿瘤研究，干细胞研究，DNA 损伤，动物模型，骨髓移植，器官移植，药物研发，放疗研究，辐射消毒，病毒灭活，血液辐照，植物育种，昆虫绝育。采购数量：一台。采购需满足的质量、服务、安全、时限要求：质量好、服务完善细致、安全性好、时限越快越好。

160

2024年10月