图1 GaN晶格结构图（图源：滨松中国官网）

GaN材料是第三代半导体材料之一，被广泛应用于电子、光电子和通信等领域，因此实现GaN材料质量定量评估显得尤为重要。而IQE又是 GaN 单晶体质量评估所必需的参数。因此，在设计和制造GaN单晶体时，需要对IQE参数进行充分的考虑和评估，以确保其性能符合要求。

ODPL测量系统

图2 ODPL 测量系统（图源：滨松中国官网）

为了更好地定量评估GaN晶体质量，滨松公司和日本东北大学合作研发了一套基于积分球的全向光致发光系统（简称ODPL）。

ODPL 测量系统使用积分球来测量全向光致发光光谱并确定样品的发射效率，利用独自的计算方法得出GaN 晶体的IQE，对结构缺陷和杂质有无等质量问题进行量化来实现精准评估。

图3 基于积分球的测量原理示意图

产品应用

• GaN/SiC晶体性能定量分析

• 半导体晶体杂质有无检测 

• 半导体晶体结构缺陷 

• 钙钛矿材料测量

ODPL测量系统新品到货，欢迎预约免费测试

利用吸收波长区域重叠的绿色光仅在晶体上方发光的特性,通过ODPL成功地计算IQE。结果表明,IQE至少达到62.5%,并且IQE会随着甲基离子的过量和不足,而大幅波动。

图4 钙钛矿材料的IQE测量

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