离子束科技之约 | Technoorg Linda CEO András 来访复纳科技

Part 1 引言

2023 年 11 月 15 日，Technoorg Linda 首席执行官(CEO) András Szigethy 来访中国，与复纳科技团队进行了一场深入的交流会议。本次会议交流内容聚焦于产品培训、技术支持、市场推广、业务拓展等关键议题，使双方更好地理解了彼此的需求和期望，促进了双方合作关系的深化。

在本次面对面的交流会议中，András 为复纳科技团队提供了专业的产品培训和技术支持，有效地传递了产品信息和技术细节。他的到访不仅加速了团队对 Technoorg Linda 系列产品的理解，也为复纳科技在中国市场推广和业务拓展开辟了新的机遇。

Part 2 Technoorg Linda 与复纳科技

关于 Technoorg Linda

Technoorg Linda 总部位于匈牙利布达佩斯， 由 D. Szigethy, Prof. Á. Barna, Prof. N. Kroo 和 Prof. A. M. Prohorov ( 1964 年获诺贝尔奖) 创建于 1990 年，是一家专注于科学实验室设备制造的领先企业。

Technoorg Linda 致力于研发和生产高性能的样品制备设备，为电子显微镜领域的科学家们提供优质的实验室支持和技术解决方案。其产品涵盖了 SEM/TEM/FIB 样品制备所需的关键设备，可用于样品准备、离子加工和表面精细。产品广泛应用于各种科学研究领域，帮助科研人员更好地理解和探索微观世界的奥秘。

关于复纳科技

复纳科技创立于 2012 年，一直致力帮助海外顶尖高科技仪器厂商在中国市场搭建完善的服务与售后体系，助力中国用户科研创新、工业升级。作为 Technoorg Linda 在中国市场的独家代理商，我们为客户提供全方位的产品培训、技术支持和售后服务。当前在国内市场专注于引进并推广 SEM/TEM/FIB 样品制备系列设备。其中，Gentle Mill 离子精修仪主要用于改善 FIB 处理后的样品，UniMill 离子减薄仪主要用于透射电镜(TEM)样品制备，SEMPrep2 离子研磨仪主要用于扫描电镜 (SEM)样品制备。

01.Gentle Mill 离子精修仪

Gentle Mill 离子精修仪专为最终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。

1.1 产品介绍

FIB 系统主要用于制备 TEM 横截面样品薄片。与更传统的方法相比，FIB 的优点包括高通量、高精度、较少优先减薄和大的电子透明区域。然而，FIB 的主要缺点是能量相对较高的 Ga+ 离子会导致受损层（如非晶或注入），该层可能会延伸到材料中数十纳米。因此，FIB 制备的 TEM 样品不太适合高性能的 (S)TEM、HRTEM、HRSTEM 分析和高空间分辨率的 EELS 和 EDX 研究。

Gentle Mill 离子精修仪使用优异的独家热阴极低能离子枪做为离子束源。离子束的低角度、低能量保证了表面损伤和离子束诱导非晶化效应的最小化。非常适用于 FIB 样品的清洁和最终抛光，可无损去除薄片形成过程中 FIB 产生的受损层，也可进一步减小样品厚度。

1.2 离子枪参数

低能离子枪（固定型）

• 离子能量：100 eV - 2 keV，连续可调

• 在 2 keV 离子能量和 30° 入射角下，c-Si 的研磨速率为 28 μm/h

• 离子电流密度：最大 10 mA/cm2

• 离子束流：7 - 80 μA，连续可调

1.3 应用案例

图注：C 面蓝宝石 FIB 薄片，Gentle Mill 的低能离子源有效消除所有非晶层和损坏层。

图注：左图为原始 FIB  (30 kV) 处理薄片；右图为经过 Gentle Mill (300 eV) 处理的薄片。Si-SiGe 多层异质结构样品两侧均使用 Gentle Mill 处理 2 分钟，以去除 FIB 薄片制备产生的非晶层。在 FIB 薄片的边缘处可以看到非晶层厚度明显减少。

图注：GaSb/InAs 超晶格。使用 Gentle Mill 制备样品：在 2 keV 下减薄直至穿孔，然后在 1 keV 下修整，最后在 300 eV 下精修。 

同时，第三代 Gentle Mill 采用简单便捷的图形界面，可进行全电脑控制。所有切削参数，包括离子枪设置、气流控制与其他 参数（如样品运动和倾斜角度、穿孔检测）的设置，都可以存储或以任意步骤进行预编程。这种全自动功能实现了在最少的人工干预下制备高质量的样品的功能。

02.Unimill 离子减薄仪

UniMill 离子减薄仪专为快速地制备具备高减薄率的、高质量的 TEM/XTEM 样品而设计。Unimill 既可以使用全新升级的超高能离子枪进行快速研磨，也可以使用专用的低能离子枪进行最终抛光和精修处理。

2.1 产品介绍

UniMill 离子减薄仪适用于研究新型材料或探索新型样品制备方法的用户，由于设备具有极高的研磨速率，也非常适合用于低溅射率的材料，如金刚石、蓝宝石等。通过低能离子枪轰击获得无人工痕迹样品，这为技术科学和材料研究领域探索合成材料和天然材料的真实纳米结构提供了独特的机会。

2.2 离子枪参数

超高能离子枪（可选）：

• 离子束能量：高达 16 keV，连续可调

• 离子束电流：高达 500 μA

高能离子枪（标配）：

• 离子束能量：高达 10 keV，连续可调

• 离子束电流：高达 300 μA

低能离子枪：

• 离子束能量：100 eV - 2 keV，连续可调

• 离子束电流：7 - 80 μA

2.3 应用案例

001 GaN 平面视角样品的 TEM 图像。使用高能离子枪研磨后，样品通过 300 eV 的低能离子枪进行精细处理。

03. SEMPrep2 离子研磨仪

SEMPrep2 离子研磨仪可配备高能量、低能量两支离子枪,为传统 SEM 样品和 EBSD 样品的最终抛光和精细处理提供高质量解决方案。

3.1 产品介绍

离子研磨仪配备超高能量离子枪，可进行快速截面剖削，为半导体工业、材料科学、地质学或其他学科和工业应用提供优异的 SEM 样品剖面。同时，也可用于改善和精细处理机械抛光后的 SEM 样品，并为 EBSD 测量制备无损伤表面。最后，也可配备低能离子枪用于易脆易损伤样品表面更细微的温和处理。

 3.2 离子枪参数

• 全新升级的超高能离子枪：加速电压高达 16 keV，加速电压连续可调。

• 专用低能离子枪：100 eV 至 2 keV （可选配）。

3.3 应用案例

离子束截面剖削

为 SEM/EBSD 成像和微量分析制备各种材料的高质量样品横截面。

Sn-Ag 焊球的栅格阵列 (BGA)

金属线键合

离子束表面抛光

制备用于电子背散射衍射(EBSD)研究和取向成像显微分析法(OIM)的样品。

铜                                                                         镍

Part 3 联系我们

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