全国半导体真空科学仪器暨第三届锑化物半导体技术大会召开

7月28至30日，全国半导体真空科学仪器暨第三届全国锑化物半导体与光机电系统集成大会在山西省晋城召开。本届大会在国家自然科学基金委、科技部高技术中心、山西省政府的共同指导下召开；大会还得到山西省晋城市委、市城府的大力支持。

　　本次会议是继2019年第二届“全国锑化物半导体技术创新与应用发展”大会后的第三届会议，由中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队发起。

　　沈学础、陈良惠、范守善、祝世宁、雒建斌、刘明、彭练矛、张跃等学者到场，与各位参会专家、地方领导、企商代表就锑化物半导体基础材料、光电器件、系统集成技术、半导体真空科学仪器进行了深入交流；对相关领域的技术迭代、发展路径、现实困境等问题进行了全方位探讨。

　　学者代表认为：锑化物半导体材料经过近些年的迅猛发展，已抢占下一代半导体器件技术的发展先机，为红外光电器件技术体系变革提供了新的战略方向；半导体真空科学仪器设备自主制造迎来重大机遇。

　　自二十一世纪初，锑化物半导体纳米低维结构外延材料技术实现重大突破，促使红外光电器件技术迅猛发展。对比传统红外光电材料，锑化物低维结构材料可以覆盖大部分红外谱段，芯片制造技术适用于先进的III-V族半导体制造平台技术，使得光电器件技术性能，特别是红外焦平面探测器技术实现前所未有的突破。

　　短短数十年，锑化物半导体光电材料和器件技术“已经走出实验室”，为空间遥感、激光与卫星通信、危化品及环境监测检测、成像制导夜视、生物医学诊断等高端光电系统或装备，提供高性能核心器件技术支撑。

　　由此，提速国产化进程，实现半导体设备的自主创新、国产替代；构建完整的半导体产业链、形成良性生态，已经成为中国半导体行业的普遍共识。

　　目前，中国在半导体科技研究领域涉及面广，科研水平日益提高，部分领域已与世界水平持平；科研投入量大，在规模上称得上是半导体大国，但仍存在软件工具、硬件设备对外依赖，成果转化与产业应用脱节等问题。唯有协同努力，开拓半导体科技创新发展之路，全面提振内在实力，才能逐步摆脱封锁，享有国际话语权。