双极板材料四探针低阻测试仪

概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … 

测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.