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TableXAFS谱仪交付用户成果快报 | 青海大学化工学院

创谱仪器

2024/03/20 14:10

阅读:39

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TableXAFS谱仪是由安徽创谱仪器科技有限公司设计研发的X射线吸收精细结构谱仪。可在实验室实现绝大部分样品的XAFS/XES测试,免去同步辐射光源的机时申请与等候的烦恼,助您实现“想测就测、随时可测”的XAFS自由。
自2022年伊始推向市场以来,基于创谱仪器专业的短波光谱仪器开发制造能力,已完成多台TableXAFS谱仪的批量交付。越来越多的科研工作者们使用TableXAFS谱仪获得了高质量的实验数据,持续发表的研究论文也进一步体现了TableXAFS谱仪强大的应用广度与支持深度,用户的成果与满意是支持我们持之以恒进行产品研发的最大动力!
特别值得一提的是,以下来自青海大学化工学院的科研成果中均利用TableXAFS谱仪对样品中的Mo元素进行了测试。Mo元素的K边吸收能量为2keV,通过同行评议的SCI论文进一步验证了TableXAFS谱仪的能量覆盖范围(4.5-20 keV


成果一:

以MoS2为代表的过渡金属硫属化合物以其更高的理论容量(670 mA h g-1)以及更大的层间距(0.62 nm)被视作锂离子电池(LIBs)石墨负极的替代材料之一。根据不同的配位模型以及层与层间的堆叠方式,MoS2可以表现为热力学更稳定的六方晶系2H相以及金属相四方晶系1T相。先前的研究表明,相较2H MoS2,1T MoS2拥有更高的导电性以及亲水特性。有鉴于此,青海大学化工学院徐本花副教授课题组使用水热合成法制备了生长在氧化石墨烯(GO)上的MoS2纳米片,通过调控合成过程中尿素的添加量,1T相MoS2的比例最高可达81.12%,电化学测试结果表明所制备的1T MoS2/GO (1 g)表现出了优异的储锂性能和稳定性。


在本工作中,研究者们使用创谱仪器在青海大学交付的TableXAFS-500谱仪对所制备的纳米复合材料的价态及化学环境进行了表征。如图1a所示,Mo K-edge XANES谱图表明所制备的1T MoS2/GO (1 g)与 2H MoS2/GO (1 g)表现出了相近的吸收边位置,且Mo元素的化学价态为+4价。在图1b所示的傅立叶变换EXAFS谱图中,相较2H MoS2/GO (1 g)仅表现出一种Mo-Mo的散射路径, 1T MoS2/GO (1 g)中第二壳层Mo-Mo散射路径分裂为H1与H2两个峰,进一步表明了材料中1T与2H相的混合共存状态。图1c-1e显示了不同样品的小波变换谱图,其中1T MoS2/GO (1 g)的散射中心在R方向上位于0.19 nm,对应于样品中的Mo-S键。该研究成果以“High-content 1T phase MoS2 nanosheets coupled on graphene oxide for lithium-ion batteries”为题发表在《Journal of Alloys and Compounds》期刊上。


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图1 (a) 样品Mo K-edge XANES谱图 (b) 样品的FT-EXAFS谱图 (c) 样品的小波变换谱图


成果二:

柔性电阻式随机存取存储器(FRRAM)具有结构简单、开关电压低、可弯曲、和可扩展性好等特点,因而在可穿戴式电子设备中显示出相当大的应用潜力。FRRAM器件通常由金属/阻变层/金属(M-I-M)结构组成,在各类阻变层材料中,MoS2因其独特的能带结构、优异的电子迁移率以及丰富的硫空位得到了研究者们的广泛关注。为此,青海大学化工学院徐本花副教授课题组通过两步水热法设计合成了嵌入在海藻酸钠(SA)中的1T MoS2/CoS2纳米棒,所制备的1T MoS2/CoS2-SA纳米复合材料薄膜用于Al/1T MoS2/CoS2-SA/ITO/PET器件的插层材料时表现出了优异的阻变特性。


在本工作中,研究者们使用创谱仪器在青海大学交付的TableXAFS-500谱仪对所制备的纳米复合材料的电子结构与配位环境进行了表征如图2a所示,1T MoS2/CoS2中Co的吸收边向高能偏移,这与图2c所示的样品Mo K-edge XANES中Mo的吸收边位置向低能位置偏移相吻合,表明了异质结构中电荷的转移降低了Mo元素的价态。此外,图2b以及图2d中所示的Co K-edge和Mo K-edge的傅立叶变换EXAFS谱图表明了1T MoS2/CoS2样品中Co-S键的形成及其对Mo-S和Mo-Mo键键长与配位数的调控作用。R空间中的结果同样也得到了图2e中不同样品的小波变换谱图的证实。该研究成果以“1T MoS2/CoS2 Heterostructures Enabling Enhanced Resistive Switching Behavior in Sodium Alginate-based Flexible Memristors”为题发表在《Journal of Materials Chemistry C》期刊上。


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图2 (a, c) 样品的Co K-edge 与Mo K-edge XANES谱图 (b, d) 样品的Co K-edge 与Mo K-edge FT-EXAFS谱图 (e) 样品的小波变换谱图

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图3 青海大学化工学院用户测试样品中

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