光化学、干膜、曝光及显影制程术语手册（二）

36、Oxygen Inhibitor氧气抑止现象
曝光时干膜会领受紫外线中能量，激发本人配方中敏化剂(Sensitizer)的割裂，而成为活性高的“安闲基”(Free Radicals)。此等安闲基将再促使与其他单体、不含饱和树脂、及已部份架桥的树脂等遏制周全的“聚合反映”。此反映须而无氧在外形下才补救止，一旦接触氧气后其聚合反映将遭到抑止或搅扰而没法完成，这类氧气所饰演的脚色，即称为“Oxygen Inhibitor”。这就是为什幺当板子在遏制其干膜曝光，和曝光后的停置时辰(Holding Time)内，都不克不及撕掉概略通明护膜(Mylar)的启事了。可是在测验考试干膜之“正片式盖孔法”(Tening)时，其镀通孔中虽然也具有有氧气，为了添加上述Indibitor现象对该孔区干膜后背(与通孔中气氛之接触面)的影响起见，可采纳下述挽救编制：1.在强曝光之光源强度下，使顷刻发生更多的安闲基，以耗费领受掉镀孔中有限的氧气。且组成一层毛病，以防氧气自后背的延续渗入渗出渗出。2.增加盖孔干膜的厚度，使孔口“蒙皮”软膜的背面部份，仍可在Mylar呵护下延续尝试无氧之聚合反映。即使后背较为亏弱结实，在背面已充份聚合而抵达厚度下，仍耐得住短时辰的酸性喷蚀，而完成正片法的外层板(见附图)。不外盖孔法对“无孔环”(Landless)的高密度电路板，则只好“没法度圭表标准圭表尺度”了。这类行进进步前辈高档第(High Eng)电路板，恍如仅剩“塞孔法”一途可行了。
37、Photofugitive感光褪色
软膜阻剂的色估中，有一种非凡的添加物，会使已感光部份的色彩变浅，以便与未感光部份的原色有所辩白，使在分娩线上苟且分辩是不是已做过曝光，而不致弄错再多曝光一次。与此词对应的还有感光后色彩加深者，称者“Phototropic”。
38、Photoinitiator感光启始剂
又称为敏化剂Sensitizer，如昆类(Quinones)等染料，是干膜领受感光能量后先睁开步履者。当此剂领遭到UV的欣喜后，即快速分化成为安闲基(Radicals)，进而激起各式连锁聚合反映，是干膜配方中之要成份。
39、Photoresist Chemical Machinning(Milling)光阻式化学(铣刻)加工
用感光成像的编制，在薄片金属上组成遴选性的两面感光阻剂，再遏制双面铣刻(镂空式的蚀刻)以完成所需邃密紊乱的名堂，如积体电路之脚架、果菜机的主体滤心滤网等，皆可采PCM编制建筑。
40、Photoresist光阻
是指在电路板铜面上所附着感光成像的阻剂图案，使能进一步尝试遴选性的蚀刻或电镀之使命。经常使用者有干膜光阻及液态光阻。除电路板外，其他如微电子工业或PCM等也都需用到光阻剂。
41、Point Source Light点状光源
当光源远比被照体要小，而且小到小；或光源与被照体相距远，则从光源到被照体概略就职何一点，其各光线之间几近成为平行时，则该光源称为“点状光源“
42、Positive Acting Resist正性型光阻剂
有指有光阻的板面，在底片明区涵盖下的阻层，遭到紫外光能的欣喜而发生“分化反映”，并经显像液之冲洗而被“除去”，只在板上决计留下“未感光”未分化之部份阻剂。这类因感光而分化的阻剂称为“正性光阻剂”，亦称为Positive Working Resist。但凡这类“正性光阻”的原料要比负性光阻原料贵的良多，因其解像力很好，故浅显多用于半导体方面的“晶圆”制造。比出处于电路板外层的细线路组成，逐渐有采取“正片法”的间接蚀刻(Print and Etch)流程，以俭仆工序及添加锡铅的净化。是以干膜盖孔及油墨塞孔皆被试用过，前者对“无环”(Landless)或孔环太窄的板类，将遭到限制而良品率着落，后者油墨不单手续省事，且得胜率也很高。是以“正性的电着光阻”(Positive ED)，就将应运而生。今朝此法已在日本NEC公司上线量产，因可在孔壁上组成呵护膜，故能间接遏制线路蚀刻，是为行进进步前辈的做法。
43、Primary Image线路成像
此术语原用于网版印刷制程中，现亦用于干膜制程上，是指内外层板之线路图形，由底片上经由干膜而转移于板子铜面上，这类专做线路转移的使命，则称为“低级成像”或“主成像”，以示与防焊干膜的辩白。
44、Radiometer辐射计，光度计
是一种可检测板面上所受照的UV光或射线(Radiation)能量强度的仪器，可测知每平方公分面积中所取得光能量的焦耳数。此仪并可在高温保送带上使用，对电路板之UV曝光机及UV软化机都可加以检测，以保证作业之道德。
45、Refraction折射
光线在不合密度的介质 (Media)中，其行进速度会纷歧样，是以在不合介质的交壤面处，其行进标的手段将会点窜，也就是发生了“折射”。电路板之回忆转移工程不管是采网印法、感光成像的干膜法，或槽液式ED法等，其各类通明载片、感光乳胶层、网布、版膜 (Stencil)等皆以不合的厚度合营成为转移对象，故所得成像与真正设想者若干良多多少会有些差异，启事之一就是来自光线的折射。
46、Refractive Index折射率
光在真空中遏制速度，除以光在某一介质中的速度，其所得之比值即为该介质的“折射率”。不外此数值会因入射光的波长、景象抽象温度而有所不合。Z经常使用的光源是以 20℃时“钠灯”中之D线做为尺度入射光，暗示编制是 20/D。
47、Resist阻剂，阻膜
指欲遏制板面湿制程之遴选性部门蚀铜或电镀措置前，应在铜面上先做部门点缀之正片阻剂或负片阻剂，如网印油墨、干膜或电着光阻等，统称为阻剂。
48、Resolution解像，解像度，解析度
指各类感光膜或网版印刷术，在采纳具有2 mil“线对”(Line-Pair)的非凡底片，及在有用光曝光与切确显像 (Developing) 后，于其1 mm的长度中所能了了闪现Z多的“线对”数，谓之“解像”或“解像力”。个中心谓“线对”是指“一条线宽合营一个间距”，庞杂的说 Resolution 就是指回忆转移后，在新翻制的子片上，其每公厘间所能取得精采的“线对数” (line-pairs/mm) 。陆地业界对此之译语为“分辩率”，普简易称的“解像”均很少触及界说，只是一种斗劲性的说法而已。
49、Resolving Power解析力，解像力(分辩力)
指感光底片在其每mm之间，所能取得等宽等距(2 mil)解像精采的“线对”数目。但凡卤化银的吵嘴底片，在精采平行光及切确的母片下，约有 300 line-pair/mm 的解析力，而份子级偶氮棕片的解像力，则数倍于此。
50、Reverse Image负片气像(阻剂)
指外层板面镀二次铜(线路铜前，于铜面上所施加的负片干膜阻剂图像，或(网印)负片油墨阻剂图像而言。使在阻剂之外，决计空出的正片线路区域中，可遏制镀铜及镀锡铅的操作。
51、Scum通明残膜
是指干膜在显像后，其未感光软化之区域该当被冲洗干净，而闪现干净的铜面以便遏制蚀刻或电镀。若依然残留有少许呈通明状的干膜残屑时，即称之为Scum。此种漏洞错误对蚀刻制程会构成各式的残铜，对电镀也将构成部门针孔、一般或附出力不良等错误谬误。搜检法可用 5％ 的氯化铜液(插足少许盐酸)算作试剂，将干膜显像后的板子浸于个中，在一分钟之内即可检测出 Scum 的具有与否。因干净的铜面会即刻反映而酿成暗灰色。但留有通明残膜处，则将依然闪现鲜红的铜色。
52、Side Wall侧壁
在PCB工业中有两种寄义，其一是指显像后的干膜反面，从微观上所看到是不是竖立的景象抽象；其二是指蚀刻后线路两反面的竖立外形，或所发生的侧蚀景象抽象若何，皆可由电子显微镜或微切片上得以了了查询拜访。
53、Soft Contact轻触
光阻膜于曝光时，须将底片慎密压贴在干膜或已软化之湿膜概略，称为 Hard Contact。若改采平行光曝光装备时则可没需求紧压，称为 Soft Contact。此“轻触” 有别于高度平行光自动连线之非接触(Off Contact)式驾空曝光。
54、Static Eliminator静电消弭器
电路板系以无机树脂为基材。常在制程中的某些磨刷使命时会发生静电。故在清洗后，还须遏制除静电的使命，才不致吸附尘埃及杂物。浅显分娩线上均应设置有各类除静电拆卸。
55、Step Tablet阶段式(光密度)曝光表
是一种窄长条型的软性底片，按光密度(即遮光性)的不合，由浅到深做成阶段式曝光尝试用的底片，每“段格”中可透过不合的光量，然后，将之压覆在干膜上，只需经一次曝光即可以让板边狭长形各段格的干膜，取得不合水平的感光聚合反映，找出曝光与后续显像(Developing)的各类对应条件。是干膜制程的现场经管对象，又称为 Step Scale、 Step Wedge 等。经常使用者有 Riston 17、Stouffer 21、 Riston 25、等各类“阶段表”。
56、Tenting盖孔法
是指把持干膜在外层板上做为抗蚀铜阻剂，遏制正片法流程，将可省去二次铜及镀锡铅的省事。此种连通孔也点缀的干膜施工法，称为盖孔法。这类盖孔干膜犹如大鼓之上下两片蒙皮浅显，除可呵护孔壁不致受药水报仇冲击外，并也能护住上下两板面待组成的孔环(Annular Ring)。本法是一种简化适用的正片法，但对无环(Landless)有孔壁的板子则力所不及也。原文选词开初并未想到鼓的“蒙皮”，而只想到“帐棚”，故知原文本已不够传神，而部份熟行人竟按其发音译为“天顶法”其实匪夷所思不知所云。陆地业界之译名是“粉饰法”及“孔粉饰法”。
57、Transmittance透光率
当入射光(Incident Light)抵达物体概略后，将泛起反射与透射两种因应，其透光量与入射光量之比值称为“透光率”。
58、Wet Lamination湿压膜法
是在内层板遏制干膜压合的操作中，也同时在铜面上施加一层薄薄的水膜，让“感光膜”吸水后发生更好的“流动性”(Flow)。对铜面上的各类一般，阐扬更深切的填平才调，使感光阻剂具有更好的吻合性(Conformity)，提升对细线路蚀刻的道德。而所泛起过剩的水膜在热滚轮挤压的顷刻，也快速被挤走。此种对无通孔全平铜面的新式加水压膜法，称为 Wet Lamination。PCM Photoresisted Chemical Machining; 光阻式化学加工(亦做Photoresist Chemical Milling光阻式化学铣镂)是在金属薄片(如不锈钢)两面施加光阻，再遏制部门性慎密蚀透镂空之手艺。