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GaSe（硒化镓）太赫兹晶体
GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
产品特点
● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域
● 抗损伤阈值高
● 非线性系数大
● CO2激光的SHG
● 多种尺寸可选
● 客户导向的解决方案
● 接受客户定制服务
产品应用
● 太赫兹时域系统
● 太赫兹源晶体
● 中远红外气体探测
● CO2激光的SHG
● THZ实验光源
● 太赫兹成像
技术参数
GaSe晶体的透过率曲线
实验室光路系统
EOS测量及反演结果
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公司地址：上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F
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