MBE分子束外延系统

MBE分子束外延系统
1.蒸镀源Cell&电源：
金属沉积蒸镀Cell 
    --zui大温度: < 1800℃ 
    --坩埚容量和材料: up to 200 ccAl2O3, BN, PBN, etc 
    --包括超高真空shutterCooling shroud
电源： 
    --直流电源：20A, 100V 
    --温度控制：PID control

2.等离子体Cell&电源：
射频等离子体Cell
    •坩埚材料：Alumina(Al2O3)
电源：300W射频发生器with matching box
质量流量控制器：N2 or O2

3.薄膜沉积控制：
•膜厚测量：石英晶体振荡器
•束流量：微离子规

4.RHHED枪&电源：
•配电功率： max. 30 kV at 1mA
•灯丝功率：max. 3A

5.真空室：
•圆柱形腔体
    •直径: OD 355 ~1,000 mm (Substrate : up to OD600mm)
    •高度: 700 ~1,000 mm 
真空泵系统及测量
    •低真空：干泵和Convectron真空规 
    •超高真空：两级涡轮分子泵，低温泵和离子规

6.系统控制：PLC, 触摸屏计算机控制