超高真空CVD

低温淀积可以将晶格的损伤降至*小，并且降低的热预算反过来又将掺杂区域的横向扩散降至*小方法之一就是在极低的真率条件F，进行硅和硅锗（SiGe）的化学气相淀积。降低压力能够允许保持淀积温度处于低水平。超高真空CVD( UHV-CVD)反应在反应炉内发生，起始时，其内部压力可降至1～5 x10'9毫巴(mbar)，淀积压力在10一毫巴的数量级7．

   增强型等离子体CVD

   氮化硅取代氧化硅作为钝化层，促进了增强型等离子体( PECVD)技术的发展。二氧化硅的淀积温度接近于660C。这样的温度可能会导致铝合金与硅表面的相互连接。这是人们所不能接受的。解决该问题的方法之一就是采用增强的等离子体，增加淀积能量。增强的能量允许在*高450℃的条件下，在铝层七进行淀积。从物理上讲，增强的等离子系统类似于等离子体刻蚀。它们都具有在低压下作的平行板反应室，由射频引入的辉光放电，或其他等离子体源，用于在淀积气体内产生等离子体。低压与低温的结合提供了良好的薄膜均匀性和生产能力。

   PECVD反应室还具有在淀积前利用等离子体对晶圆进行刻蚀和清洗的功能。该过程与干法刻蚀相类似。这种原位置处的清洗预备出淀积前的晶圆表面，清除r在装载过程中产生的污染。