ICP刻蚀机是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。
外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H);
等离子源:NM-ICP平面电感耦合等离子体源,带有自动调谐器,激活面积可以达到8”;
处理腔体:13”的圆柱形超净腔体,材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载,腔体带有上载安全锁,用户可以通过PC控制,至多可以装载8个小尺寸基片,可支持的晶圆尺寸为8”。腔体带有2”的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置,提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。
样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;
流量控制:支持6个或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蚀,带气动截止阀,所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制,电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件,所有导管以尽可能短的导轨密封设计,从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后,采用N2自动冲洗。
真空系统:泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。
RF电源:13.56MHz,带自动调谐功能的1200W射频电源,作为ICP源。另外,带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。
操作控制:整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统,实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的,都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示,而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。
企业名称
武汉赛斯特精密仪器有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
420102000505809
成立日期
2016-06-17
注册资本
1000
经营范围
仪器仪表及设备、检测仪器、分析仪器、电子工业专用设备、第一类、第二类医疗器械、电力设备、电气设备、实验设备及耗材、新能源电池检测仪器及设备、机电设备、机械设备、办公自动化设备、新能源设备、电脑设备及耗材、办公设备、监控设备、数码产品、电子产品的研发、销售、技术咨询、技术服务及售后服务;建筑材料、五金交电、化工产品(不含化学危险品)的销售;环境工程设计、施工;计算机软硬件系统设计及技术服务;货物或技术进出口(国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外)。(依法须经审批的项目,经相关部门审批后方可开展经营活动)
武汉赛斯特精密仪器有限公司
公司地址
江岸区兴业路136号工业厂房(二期)1栋12层车间1
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