红外后对准双面刻机主要用于中小规模集成电路、二极管、三极管、LED、电力电子器件、MEMS和其它半导体器件制造工艺中的对准及曝光。该系列曝光机由4英寸、6英寸单/双面曝光机组成,可实现单/双面对准、单面曝光、间隙曝光、全曝光。
主要技术特点
对准工作台
对准精度高,漂移小。精密楔形误差补偿机构实现三点找平,找平力小,延长掩模版使用寿命。
曝光系统
采用柱体蝇眼透镜和高能力集光的椭球镜等精密光学件,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。
分离视场显微镜
在X、Y方向通过操作杆可实现大范围扫描观察,可进行单视场或双视场切换,提高对准效率和套刻精度,同时兼容CCD成像液晶显示功能。
控制系统
电气控制采用工控机,人机界面操作菜单清晰,操作方便,汞灯电源易于触发,可靠性高。该设备的关键件采用进口或厂家制造,提高了设备的稳定性、可靠性,同时提供个性化服务。
产品参数
对准工作台行程:
X向:±5mm Y向:±5mm
Z向:8mm θ向:±5°
□掩模尺寸:7″×7″
□基片尺寸:φ6″
□曝光方式:软接触、硬接触
真空接触、间隙曝光、全曝光
□顶部对准显微镜
总倍率:
100X (50X可选)
扫描范围:50mm×50mm
调焦范围:8mm
28-90mm(φ4″基片)
75-150mm(φ4″-φ6″基片)
对准精度:±0.5um
□底部对准显微镜
总倍率:330X
物镜分离距离:
X向:50-140mm
Y向:±12mm
对准精度:±2um
□曝光分辨率:1um (真空接触)
□曝光间隙: 1-500um
□曝光面积: φ160 mm或φ108 mm
□曝光时间:0-999s 连续可调
□曝光不均匀性:
±5% (曝光面积:φ160 mm)
±3% (曝光面积:φ108mm)
□曝光系统及波长
采用250W进口超高压汞灯,UV365
□所需设施:
输入电压:~220v±22v(50Hz)
整机功率:1KW
室内光线:红光、黄光
压缩空气: 0.5~0.7MPa
氮气: 0.2~0.4MPa
真空: -0.08~-0.14MPa
企业名称
武汉赛斯特精密仪器有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
420102000505809
成立日期
2016-06-17
注册资本
1000
经营范围
仪器仪表及设备、检测仪器、分析仪器、电子工业专用设备、第一类、第二类医疗器械、电力设备、电气设备、实验设备及耗材、新能源电池检测仪器及设备、机电设备、机械设备、办公自动化设备、新能源设备、电脑设备及耗材、办公设备、监控设备、数码产品、电子产品的研发、销售、技术咨询、技术服务及售后服务;建筑材料、五金交电、化工产品(不含化学危险品)的销售;环境工程设计、施工;计算机软硬件系统设计及技术服务;货物或技术进出口(国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外)。(依法须经审批的项目,经相关部门审批后方可开展经营活动)
武汉赛斯特精密仪器有限公司
公司地址
江岸区兴业路136号工业厂房(二期)1栋12层车间1
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