离子刻蚀机

 
SPTS作为世界公认的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商，SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发，SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的高端封装（3D封装和芯片级封装）。
深硅刻蚀工艺的主要过程包括：
1） 钝化处理过程（C4F8等离子体）
一阶段：由C4F8产生CFn聚合物沉淀在所有的表面
2） 刻蚀过程（SF6等离子体）
第二阶段：由于离子体的定向运动，基面上的聚合物被去除的速度要比在侧壁的去除速度快。
第三阶段：暴露的硅表面就会被F系物刻蚀掉，SF6源源不断提供等离子体，来实现高深宽比的刻蚀。
 
深硅刻蚀的主要应用包括: MEMS，先进封装（TSV）,功率器件等等。
 
SPTS提供一系列的设备来满足客户研发到生产不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列，而Pegasus则是大量生产所使用的设备。
 
Pegasus是行业的深槽刻蚀设备，可以提供理想的刻蚀速度，但同时保证侧面特征良好控制和一致性。通过专利软件“boost and delay”和专利 “parameter ramping” 以及绝缘硅技术实现了高性能的工艺控制。
 
parameter ramping技术：
实时调节工艺过程参数，以达到理想的侧面轮廓。