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四氟化锗产品中的HF气体残留监测
2023/03/21 14:36
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方案摘要：
方案详情：
近年来国家鼓励国内半导体产业创新发展，打破国外垄断，实现技术自主，出台了一系列支持和引导该行业的政策法规。四氟化锗（GeF4）作为一种锗的氟化物，在半导体行业中用于掺杂和离子注入，结合乙硅烷气体，可以直接在玻璃基底上制造硅锗微晶，其潜在应用价值正越发受到国内外企业关注。在某GeF4生产工艺过程中，需要尽力去除产品气GeF4 中杂质HF气体，使其残留量值低于企业标准中的限量值（35ppm）。为了监测此工艺过程的效果，需要定量监测GeF4气体中的HF残留。含量范围大约0-500 ppm。
在线激光气体分析仪可根据气体分子对激光能量的“选频吸收”进行气体浓度的测量，实现HF含量的实时监测，定量监测范围可定制，在环境、安全监测中已有应用。上图为GeF4生产工艺过程的HF残留量监测方案，由于HF具有强腐蚀性无法用常规气相色谱监测，在线激光气体分析仪是HF残留的唯一解决方案。下图为某一批次GeF4生产工艺过程中HF残留实测图，可见HF残留量高达40 ppm以上，高于35 ppm企标限量值，为不合格产品。
激光气体分析系统灵敏度高，能够监测ppm量级的气体残留及含量值，也可以根据需求灵活定制。响应速度数秒内。定量检测精±1.0%F.S.，设备防腐蚀，适合工业生产应用，在氟化工的废气监测、泄露预警中也有应用。
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