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LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。
1、半导体光电子器件结构生长
我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。
2、低温砷化镓
对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。
我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓：
参数：
砷化镓晶片直径：2“或4”
最大薄膜叠层厚度：5μm
规格：
LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆
LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4“（100 mm）LT-GaAs晶圆
具体规格可进一步咨询。
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企业名称
上海屹持光电技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
310113001436435
成立日期
2015-11-19
注册资本
100
经营范围
从事光电产品、机电设备、机械产品、电子元器件、计算机网络领域的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务;激光设备、通讯器材、机电设备、机械设备、电子产品、计算机相关设备、软件的销售;从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海屹持光电技术有限公司
公司地址
上海市闵行区剑川路955号707-709室
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