砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GaAs Bragg mirrors
如果需要尺寸仅为几毫米的较小的高反射镜,选用在GaAs芯片上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜是比较合适的。
作为衬底的单晶GaAs砷化镓晶片具有光滑的表面和55W /(m * K)的良好导热率。它可以被切成小的方块或矩形芯片。
我们提供未安装的布拉格反射镜,标准基板厚度为450um。
可用芯片尺寸:
? 4.0mmx 4.0mm
? 2.0mm×2.0mm
?1.3mm×1.3mm
可根据要求定制尺寸
1030nm 砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GAAs Bragg mirrors
BM-1030nm-4x4 | BM-1030nm-2x2 | BM-1030nm-1.3x1.3 |
?GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 ?中心波长λ= 1030 nm ?芯片面积:4 mm x 4 mm ?芯片厚度:450μm | ?GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 ?中心波长λ= 1030 nm ?芯片面积:2 mm x 2 mm ?芯片厚度:450μm | ?GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 ?中心波长λ= 1030 nm ?芯片面积:1.3 mm x 1.3 mm ?芯片厚度:450μm |
砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GaAs Bragg mirrors
企业名称
上海屹持光电技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
310113001436435
成立日期
2015-11-19
注册资本
100
经营范围
从事光电产品、机电设备、机械产品、电子元器件、计算机网络领域的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务;激光设备、通讯器材、机电设备、机械设备、电子产品、计算机相关设备、软件的销售;从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海屹持光电技术有限公司
公司地址
上海市闵行区剑川路955号707-709室
客服电话