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四川省芯光驰科技有限公司

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当前位置：芯光驰 > 光学仪器组件 > Thorlabs光电探测器

Thorlabs光电探测器

品牌：

产地：美国

型号： FDS100-CAL

报价：面议

核心参数

组件类别：光学元件

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产品介绍

Thorlabs光电探测器,Thorlabs推荐的详细资料：

Thorlabs 做为世界四大主要光电探测器供应商之一，THORLABS光电探测器以质优价廉取胜，其推出的DET系列光电探测器更是具有超低廉的价格，产品系列较丰富，包含常用纳秒上升沿的DET系列探测器，APD探测器，平衡性探测器，探测器带宽 MHz-9.5GHz；缺陷是高带宽产品欠缺。

NIST可追溯校准的Si光电二极管

Item #	Wavelength	Active Area	Rise/Fall Time*	NEP**	Dark Current	Package	Vbias,max
FDS100-CAL	350 - 1100 nm	3.6 x 3.6 mm	10 ns @ 20 V	1.2x10-14 W/Hz1/2	20 nA max （20 V）	?0.36" Can	25 V
FDS1010-CAL	400 - 1100 nm	9.7 x 9.7 mm	45 ns @ 5 V	5.5x10-14 W/Hz1/2	0.6 μA max （5 V）	0.45" x 0.52" Ceramic Wafer	20 V

NIST可追溯校准的Ge光电二极管

Item #	Wavelength	Active Area	Rise/Fall Time*	NEP**	Dark Current	Package	Vbias,max
FDG03-CAL	800 - 1800 nm	?3 mm	500 ns @ 3 V	1.0x10-12 W/Hz1/2	4.0 μA max （1 V）	?0.36" Can	3 V
FDG05-CAL	800 - 1800 nm	?5 mm	220 ns @ 5 V	4.0x10-12 W/Hz1/2	40 μA max （3 V）	0.275" x 0.310" Ceramic Wafer	5 V

NIST可追溯校准的InGaAs光电二极管

Item #	Wavelength	Active Area	Rise/Fall Time*	NEP**	Dark Current	Package	Vbias,max
FGA21-CAL	800 - 1700 nm	?2 mm	66 ns @ 0 V	3.0x10-14 W/Hz1/2	200 nA max （1 V）	?0.36" Can	3 V

SM05螺纹已封装的光电二极管，阴极接地

Item #	Detector	Rise/Fall Time （ns）	Active Area （Dimensions）	NEP （W/Hz1/2）	Dark Current	Spectral Range （nm）	Material	Junction Capacitancea
SM05PD7A	FGAP71	1 / 140b	4.8 mm2 （?2.5 mm）	1.3 x 10-14	40 pAc	150 - 550	GaP	1000 pF @ 0 V
SM05PD2A	FDS010	1d	0.785 mm2 （?1.0 mm）	5.0 x 10-14	0.3 nA	200 - 1100	Si	7 pF @ 5 V
SM05PD1A	FDS100	10d	13 mm2 （3.6 x 3.6 mm）	1.2 x 10-14	0.3 nA	350 - 1100	Si	65 pF @ 5 V
SM05PD4A	FGA10	7d	0.8 mm2 （?1.0 mm）	2.5 x 10-14	1.1 nAe	800 - 1700	InGaAs	65 pF @ 5 V
SM05PD5A	FGA21	66/ 66f	3.1 mm2 （?2.0 mm）	3.0 x 10-14	70 nAc	800 - 1800	InGaAs	180 pF @ 3 V
SM05PD6A	FDG03	500g	7.1 mm2 （?3.0 mm）	1.0 x 10-12	4.0 μAc	800 - 1800	Ge	3.25 nF @ 1 V

磷化镓探测器—紫外波长

Item #	Active Area	Wavelength Range	Rise （Fall） Time	NEP （W/Hz1/2）	Dark Current	Junction Capacitance*
DET25K	4.8 mm2 （2.2 x 2.2 mm）	150 - 550 nm	1 ns （140 ns）	1.6 x 10-14	40 nA	40 pF

硅探测器－可见光波长

Item #	Active Area	Wavelength Range	Rise Time	NEP （W/Hz1/2）	Dark Current	Junction Capacitance*
DET10A	0.8 mm2 （?1.0 mm）	200 - 1100 nm	1 ns	1.9 x 10-14	0.3 nA （2 nA Max）	6 pF
DET36A	13 mm2 （3.6 x 3.6 mm）	350 - 1100 nm	14 ns	1.6 x 10-14	0.35 nA （6 nA Max）	40 pF
DET100A	75.4 mm2 （?9.8 mm）	400 - 1100 nm	43 ns	5.5 x 10-14	600 nA Max	300 pF

锗探测器—近红外光波长

Item #	Active Area	Wavelength Range	Rise Time	NEP （W/Hz1/2）	Dark Current	Junction Capacitance*
DET50B	19.6 mm2 （?5.0 mm）	800 - 1800 nm	440 ns	4 x 10-14	40 μA	4000 pF （Max）
DET30B	7.1 mm2 （?3.0 mm）	800 - 1800 nm	<545 ns	1.0 x 10-12	0.8 μA （1.0 μA Max）	4000 pF （Max）

高速光纤探测器

Item #	Wavelength	Detector	Bandwidth	Max Peak Power	Rise Time	Fall Time
DET02AFC	400 - 1100 nm	Si	1.2 GHz	18 mW	50 ps	250 ps
SV2-FC	320 - 1100 nm	Si	2 GHz	200 mW	175 ps	<150 ps
DET01CFC	900 - 1700 nm	InGaAs	1.2 GHz	-	<1 ns*	<1 ns*
SIR5-FC	900 - 1650 nm	InGaAs	5 GHz	20 mW	<70 ps	<70 ps

Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。

高灵敏度雪崩光电探测器

Item #	APD110C	APD310
Detector Type	InGaAs APD
Wavelength Range	900 - 1700 nm	850 - 1650 nm
Active Detector Diameter	0.2 mm	0.03 mm
Transimpedance Gain	100 kV/A 50 kV/A with 50 Ω Termination	-
Max Conversion Gain	0.9 x 106 V/W	2.5 x 104 V/W @ 1 GHz, 1500 nm
Output Bandwidth （3 dB）	DC - 50 MHz	1 - 1800 MHz
Minimum NEP	0.46 pW/√Hz	0.4 pW/√Hz

Item #	PDA50B	PDA30B

Element Photo	Ge	Ge
Wavelength Range	800 - 1800 nm	800 - 1800 nm
Detector Size	?5.0 mm	?3.0 mm
Gain	8 x 10 dB Steps	8 x 10 dB Steps
Bandwidth Range	DC - 400 kHz	DC - 460 kHz
NEP （W/Hz1/2）	5.7x10-12 - 1.4x10-10	1.95x10-12 - 4.44x10-11

工商信息

企业名称

四川省芯光驰科技有限公司

企业信息已认证

企业类型

信用代码

510104000281449

成立日期

2015-05-21

注册资本

300

经营范围

研究、设计、销售科学实验仪器、光学设备、光学材料、电子元器件;货物进出口。(以上经营范围不含国家法律、行政法规、国务院决定禁止或限制的项目,依法须批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。

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