Si窗片

Si窗片

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，特别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ，可以提供没有这种吸收的浮区材料。

硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。

硅通过Czochralski拉伸技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过浮区（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段最佳透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

详细参数：

透射范围：                             1.2?15μm（1）

折射率：                            3.4223 @5μm（1）（2）

反射损耗：                         46.2％（5μm）（2个表面）

吸收系数：                           0.01cm ^-1 at 3μm

吸收峰：                                       n / a

dn / dT：                               160×10^-6 /℃（3）

dn /dμ= 0：                                 10.4μm

密度：                                         2.33g / cc

熔点：                                          1420℃

热导率：                                273.3W m^-1 K^-1

热膨胀：                           2.6×10 ^-6 /℃ at 20℃

硬度：                                     Knoop 1150

比热容：                                  703JKg^-1K^-1

介电常数：                             13 at 10GHz

杨氏模量（E）：                       131GPa（4）

剪切模量（G）：                      79.9GPa（4）

体积模量（K）：                       102GPa

弹性系数：                C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）

表观弹性极限：                124.1MPa（18000 psi）

泊松比：                                 0.266（4）

溶解性：                                 不溶于水

分子量：                                 28.09

类别/结构：                       立方钻，Fd3m

折射率：

No = Ordinary Ray

硅CZ -圆形窗片

硅FZ -圆形窗片

Si窗片