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| 1. | 设备名称： | 霍尔效应测试仪 |
| 2. | 功能描述： | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3. | 设备明细： | |
| 3-1 | 测试范围： | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3-2 | 磁场： | |
| 3-2-1 | 磁场强度： | 0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选） |
| 3-2-2 | 磁场类型： | 电磁体 |
| 3-2-3 | 磁场均匀性： | 磁场不均匀性＜±1 % |
| 3-3 | 测试样品： | |
| 3-3-1 | 样品测试仓： | 全封闭、带玻璃窗口 |
| 3-4 | 温 度： | |
| 3-4-1 | 温度区域： | 80K ~730K |
| 3-4-2 | 温控精度： | 0.1K |
| 3-4-3 | 温控稳定性： | ±0.1 K |
| 3-5 | 电阻率范围： | 10-6~1013 Ohm*cm |
| 3-6 | 电阻范围： | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 载流子浓度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 迁移率： | 10-2~109 cm2/volt*sec |
| 3-9 | 输入电流： | |
| 3-9-1 | 电流范围： | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 电流精度： | 2% |
| 3-10 | 输入电压： | |
| 3-10-1 | 电压范围： | ±2.5V,最小可测到6×10-6V |
| 3-10-2 | 电压分辨率： | 3×10-7V |
| 3-10-3 | 电压精度： | 2% |
用户单位
采购时间
采购数量
中科院光机所
2011/07/22
1
北京航空航天大学
2012/11/28
1
上海交通大学
2012/06/11
1
华南理工大学
2010/10/20
1
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企业名称
海埃飞电子科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(自然人独资)
信用代码
Q13101114MA1CT3KC5K
成立日期
2015-12-16
注册资本
人民币300.0000万元整
经营范围
从事电子技术领城内的技术开发、技术咨询、技术服务。家川山器、仪器仪表、电子产品、数码产品、电子元器件、通讯器材、安防产品,汽车饰品、通信设备及州关产品、计算机、软件及轴助设备、照明设备、灯具、汽车装配件、金属制品、玻成制品的销售，商务咨询,图文设计制作，公务服务,通信工程,网络工程,从事货物与技术的进出口业务。[依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
上海沃埃得贸易有限公司
公司地址
上海市闸北区共和新路3699号共和国际A1707
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