Otsuka膜厚测量仪

在高精度薄膜分析的膜厚测量仪基础上，增加安装了自动角度调节装置,实现高速的薄膜测量和高精度的化学常数解析。可拆卸缓速器和旋转分析仪也拓宽了测量的选择范围，提高了测量精度。FE-5OOOS 虽然和FE-5000有相同的基本功能，但是价格低，体积小。膜厚测量仪的用途也得到扩大。

— 可对应各种选配，膜厚的特制解析

测量项目:

-测量椭圆参数（TANψ，COSΔ）

-光学常数（n：折射率，k：消光系数）分析

-薄膜厚度分析

应用范围:

半导体晶圆

栅氧化膜，氮化膜

SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN

光学常数（波长色散）

复合半导体

AlxGa（1-x）多层膜、非晶硅

FPD

取向膜

等离子显示器用ITO、MgO等

各种新材料

DLC（类金刚石碳）、超导薄膜、磁头薄膜

光学薄膜

TiO2，SiO2多层膜、防反射膜、反射膜

光刻领域

g线（436nm）、h线（405nm）、i线（365nm）和KrF（248nm）等波长的n、k评估

原理

包括s波和p波的线性偏振光入射到样品上，对于反射光的椭圆偏振光进行测量。s波和p波的位相和振幅独立变化，可以得出比线性偏振光中两种偏光的变换参数，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

测量示例：

1）考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]

当样品表面存在粗糙度（Roughness）时，将表面粗糙度和空气（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模拟为“粗糙层”，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN（氮化硅）的情况。

测量示例：

1）考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]

当样品表面存在粗糙度（Roughness）时，将表面粗糙度和空气（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模拟为“粗糙层”，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN（氮化硅）的情况。

2）使用非干涉层模型测量封装的有机EL材料[FE-0011]

有机EL材料易受氧气和水分的影响，并且在正常大气条件下它们可能会发生变质和损坏。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介绍在密封状态下通过玻璃测量膜厚度的情况。玻璃和中间空气层使用非干涉层模型。

产品特点:

-可分析纳米级多层薄膜的厚度

-可在紫外和可见（250至800nm）波长范围内进行椭偏测量

-可通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱

-通过可变反射角测量，可详细分析薄膜

-通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能，增强操作便利性

-通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量

*1可以驱动偏振器，可以分离不感带有效的位相板。
*2取决于短轴•角度。
*3对应微小点（可选）
*4它是使用VLSI标准SiO2膜（100nm）时的值。
*5可以在此波长范围内进行选择。
*6光源因测量波长而异。
*7选择自动平台时的值。