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先进科学仪器在宽禁带半导体材料表征中的应用研讨会

嘉德利达

2023/03/27 09:24

阅读：20

3月16日上午9点，由山东大学新一代半导体材料研究院主办，北京嘉德利达协办的先进科学仪器在宽禁带半导体材料表征中的应用研讨会在研究院302会议室顺利召开。本次会议线上、线下同时进行，参与人数达80余人。

会议以“SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用”为主题，邀请到国外知名品牌的应用专家，针对半导体材料在制备和加工中所涉及到的一些重点性能参数的表征进行了深入交流。

会议伊始，山东大学晶体材料研究所仲英青年学者/博士生导师彭燕老师发表致辞，指出举办本次会议的目的是为了使各位科研工作者通过各位应用专家的分享、交流，深入拓展自己的研究方向，用好平台现有的实验室设备，解决遇到的问题，让大家在科研方向走的更顺，走的更远。

本次研讨会主要有四个主标报告，具体如下：

应用专场报告一

报告主题：如何通过激光导热仪得到材料更准确的导热系数

内容简介：半导体材料在晶体生长、外延加工及电子器件工作时都会涉及到焦耳热的产生或传递。结合导热系数测量原理、仪器特点和材料自有属性，介绍如何准确测得半导体类材料的导热系数，提供热管理策略。

推荐仪器：激光导热仪DLF-1200

在室温至 1200˚C 下测量材料的热扩散系数、导热系数以及比热容。独有的 25 J能量激光源，可在极为严苛的条件下测量各种各样的样品。四样品托盘设计，保证均温区的同时又不是效率。它是唯一一款使用激光脉冲源的台式激光闪光导热仪,无论是精度、准确性还是各项功能方面,都胜过氙光源设计。

应用专场报告二

报告主题：Bruker分子光谱技术在SiC及其他化合物半导体相关应用介绍

内容简介：SiC器件的各项电学性能受到晶型、氮施主杂质及外延层厚度、背景载流子浓度等参数的影响，因此，主要对SiC晶型及氮施主杂质进行分析，晶圆自动多点、单层或多层同质、异质外延层厚度光学无损检测和分析方面展开。

推荐仪器：INVENIO/VERTEX系列

研究级傅里叶变换红外光谱仪是领域内前沿尖端应用的首选，覆盖太赫兹至紫外波段的全光谱范围，VERTEX70v/80v是全真空傅里叶红外变换光谱仪，大气中的水汽吸收被消除，灵敏度和稳定性得到进一步提高，在远红外和太赫兹波段更突出，分辨率可优于0.06cm-1，主机外侧5个出光口、2个进光口，可同时连接多种附件。

应用专场报告三

报告主题：Bruker原子力显微镜等表面表征技术在半导体研究中的应用介绍。

内容简介：半导体材料的微观性质通常是使用纳米探针扫描获得，高空间分辨率成像、灵活的样品处理能力等，纳米探针技术成为了研究半导体材料和结构性质的有力工具。

推荐仪器1：Dimension Icon 原子力显微镜

技术特点：

· 全自动大样品台

· 最先进的XYZ三轴全探针扫描方式

· 峰值力轻敲模式和智能扫描成像

· 最完整的纳米力学、纳米电学、纳米电化学表征

推荐仪器2：纳米红外

技术特点：

· 与FTIR相关的最高性能光谱

· 具有最高分辨率的化学成像：＜10nm

· AFM-IR 单分子层灵敏度和表面灵敏测试

· 具备最先进独有的AFM Peak Force Tapping 模式

· 高性能，大样品AFM功能

· 布鲁克Icon AFM扩展功能和附件

应用专场报告四

报告主题：理学XRT在SiC晶体及其他宽禁带半导体材料中的应用介绍

内容简介：无损表征技术在2~12英寸半导体晶体中线缺陷、面缺陷和体缺陷的检测和表征。

推荐仪器：日本理学XRT

技术特点：

· X射线源: 微焦斑高亮度旋转阳极，可选Cu/Mo双波长

· 入射光路: 多层膜平行光准直器

· 晶体准直器可选

· 自动样品台，最大12”

· 样品水平布局

· 透射&反射模式测角仪系统可选

· 高灵敏度&高分辨率X射线相机

· 形貌图片可用于位错分析

结语

本次会议得到了线上、线下诸位参会老师的积极响应和肯定，会上、会后都进行了积极交流。老师们表示类似的应用交流会希望可以多举办，并增加每场报告的时间。在半导体飞速发展的这几年，期待国内的科研工作者也可以使用高精尖的仪器做出更大的贡献。同时借此文章感谢山东大学新一代半导体材料研究院彭老师、孙老师及其他老师鼎立支持，为我们提供宝贵的机会分享产品和应用。