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石墨烯+氮化硼，电子迁移率大幅提高
石墨烯+氮化硼，电子迁移率大幅提高
石墨烯凭借其优异的电学表现成为半导体产业有望替代硅基器件的前景材料，近年来在科学界引起了研究热潮。如何将金属性的石墨烯转变为真正意义具有带隙的半导体，是石墨烯走向半导体市场的关键难题。
研究中，科学家发现自然界存在着一种白石墨，即氮化硼BN。它有许多和石墨类似的性质，与石墨烯截然不同，六方氮化硼HBN是优良的绝缘体，研究人员发现，将大尺寸六方氮化硼HBN二维材料作为石墨烯的衬底可大幅提高石墨烯的电子迁移率，通过精确操控晶层堆叠方向的方式，极大地改变GBN异质结中的电子运转方式，使这种材料真正具备了投入应用的实际价值。
巨纳集团联合荷兰HQGraphene公司生产的氮化硼晶体，纯度高达99.995%，目前还在研发纯度更高、尺寸更大的氮化硼晶体，目前在市场中也取得了积极的响应，清华大学、南京大学等高校都已和巨纳集团展开合作，部分结果发布在了Nature上。
据乐观估计，在经过进一步的设计改进后，该材料将会应用于高频电子设备的制造。或许，推动这种多层复合材料系统在电子材料领域大展身手的时机即将成熟，电子材料领域迎来更新换代的时刻可能已经不再遥远了。
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