日本推出大功率点聚光红外线镀金反射高温照射型退火装置 HT-RTA59HD

日本推出大功率点聚光红外线镀金反射高温照射型退火装置HT-RTA59HD

日本真空理工株式会社（Ulvac-riko）的五户社长于2014年11月正式发布以下新闻：SiC，GaN等昂贵材料以及其他高熔点材料的小样品超高温加热已经成为可能，大功率点聚光红外线镀金反射高温照射型退火装置 HT-RTA59HD已经研发成功，并于2014年11月起在日本开始销售，年预计生产20台左右。王道元董事长应邀参加新闻发布会，创元公司将代理该产品并于2015年3月1日起正式在中国销售,预计年销售2台。设备照片见图1。

图1 大功率点聚光红外线镀金反射高温照射型退火装置[ HT-RTA59HD]

开发背景：

SiC(GaN)等半导体功率器件用材料具有非常高的实用价值，材料价格也非常昂贵，因此在研究开发方面通常都使用小的样品去做工艺研究和开发。 在SiC(GaN)的制作工艺中氧化物膜形成温度通常要在1400℃以上，而活性化退火则要求在1600℃以上或更高的超高温领域。为了满足上述需求，日本真空理工株式会社开发出了小型桌上型超高温照射式退火装置 HT-RTA59HD。

特长

.超高温1800℃下可保持加热10秒。

.椭圆反射面放置高功率灯源点聚光加热

.因为表面镀金所以可以实现快速洁净加热/冷却

.加热炉和石英真空室一体化小型化（桌上型）

.加热菜单可通过USB和计算机相连简单导入

.加热中的温度数据可以在计算机上显示出来（也可以作为textfile保存下来）

.标准配备单系统Ｎ2气体流量計　

用途

.SiC(GaN) 半导体功率器件制作过程氧化膜形成、活性化退火研究和开发

.其他半导体制作的研究开发

.玻璃基板，陶瓷，复合材料等热处理

.陶瓷材料的热冲击试验

.高熔点金属材料的烧结、各种热处理试验

.可以作为温度梯度炉使用

.可以作为分析气体时的加热炉