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用四探针测量电阻率,可以避免电极接触电阻对测量结果的影响,因此在国内外早已被广泛用来测量金属、半导体、导电高分子材料的电阻率。另外本仪器还在四探针样品台两侧加上亥姆霍兹线圈,用其提供一个可调磁场,用来测量磁性金属薄膜的磁电阻率。 用途: (1) 金属、半导体、导电高分子薄膜(块体)电阻率的测量; (2) 金属薄膜材料电阻率的测量(最大厚度0.2毫米);金属材料电阻率的测量(最大厚度6毫米) (3) 磁性合金薄膜的磁电阻测量; (4) 铁磁/非磁性/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量; (5) 自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型巨磁薄膜的磁电阻测量。
仪器组成: 1、 亥姆霍兹线圈 由亥姆霍兹线圈提供磁场,线圈可在360度范围内绕样品旋转; 四探针组件是由具有引线的四根探针组成。 2、 SB118精密直流电流源 输出电流在10-6~0.2安培范围内可调 3、 直流数字电压表 具有6位半字长、0.1微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。 4、 直流磁场电源 输出电流在0~10安培
企业名称
安合盟(天津)科技发展有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
120193000019457
成立日期
2008-10-10
注册资本
300
经营范围
公司地址
天津市华苑新技术园区兰苑路9号
客服电话
手机版:
磁性薄膜磁电阻测量仪
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公司名称: 安合盟(天津)科技发展有限公司
公司地址: 天津市华苑新技术园区兰苑路9号 联系人: 郭经理 邮编: 300384
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