核心参数
电子枪种类: 冷场发射
产地类别: 进口
二次电子图象分辨率: 1.0 nm @ 30keV
放大倍数: 1~1,000,000 x
加速电压: 0.2~30 kV
背散射电子图像分辨率: 2.0 nm @ 15keV
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FIB-SEM双束电镜应用之Xe等离子快速切割技术
Xe等离子FIB能够实现微纳米,甚至毫米级的快速加工。Xe等离子FIB的最大束流为2μA,另外Xe离子的原子量更大,对纯Si的溅射效率比Ga离子约高30%。虽然Xe离子的溅射效率高,但是由于Xe离子的直径较大,Xe等离子束加工样品时产生的注入效应和损伤要比Ga离子束小。
半导体
2017/11/20
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