为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾（KDP）晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和消除 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光. 该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀. 其工作示意图如下： 用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 100 DischargeDC 热离子离子束流>400 mA离子动能100-1200 V栅极直径12 cm Φ离子束平行流量2-20 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度23.5 cm直径19.4 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 推荐理由：使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀 运行结果:1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生           

某大型工业薄膜制造商采用伯东 KRI 无栅霍尔离子源 eH 3000 辅助热蒸发技术镀制高质量光学薄膜, 以获得良好的机械性能和光学特性的薄膜, 同时获得与基体牢固结合和优良性能的高质量薄膜. 其工作系统如下图： KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源. KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH3000eH3000LOeH3000MOCathode/NeutralizerHC电压50-250V50-300V50-250V电流20A10A15A散射角度>45可充气体Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current 该制造商的离子源辅助镀膜系统由霍尔离子源, 电源及控制系统和质量流量计 3 部分组成, 如下图：其中霍尔离子源发射离子, 质量流量计向离子源提供气体并保证气流稳定, 电源及控制系统向离子源供电并保证放电参数放电电压及电流稳定. KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 运行结果：1. 适用工业规模生产2. 获得良好的机械性能和光学特性的薄膜3. 获得与基体牢固结合和优良性能的高质量薄膜 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生       

某刀具厂商为了增强刀具切削性能, 采用伯东 KRI 平行型考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高铝超硬涂层.其清洗工艺是采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160轰击处理基材表面, 以清洗基材, 工作示意图如下: 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 其优势：1. KRI 考夫曼离子源 KDC 160 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.2. 离子束流: >650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.3. 加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.4. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.5. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计. KRI 考夫曼离子源 KDC 160运行结果：1. KRI 考夫曼离子源 KDC 160辅助制备的 AlCrN 涂层的 CrN 相的结晶度明显提高2.与传统清洗技术相比, KRI 考夫曼离子源 KDC 160清洗有利于涂层以平面方式生长, 细化晶粒, 涂层硬度从HV0.1 3200 提高到 HV0.1 3600.3. KRI 考夫曼离子源 KDC 160轰击处理基材表面可提高膜基压应力, 抑制裂纹扩展, 基膜结合强度提高了 10N4. 利用KRI 考夫曼离子源 KDC 160清洗制备的 AlTISiN 涂层, 摩擦系数均在 0.2 左右, 具有良好的排屑能力5. 刀具寿命提高了约3倍 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生          

某机构为了研究离子源处理纯钛材料表面的时间长短对纯钛材料表面生物活性及亲水性的影响, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP 380 用于纯钛表面氨基化改性的研究. 试验样品: 8mm X 8mm的厚度 1 mmde  TA2型纯钛线 试验流量简介: 通过对试验样品进行刻蚀时间长短不同形成不同的清洁表面, 然后通过仪器分析其亲水性 用于刻蚀的 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000推荐理由:使用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀 试验结论:N2和 NH3 的混合气体射频离子源处理纯钛表面, 可以在表面引入氨基, 但处理时间并不是越长越好, 改性后的钛片表面的亲水性得到较大的提高, 但随放置时间的增加其表面亲水性会变差, 在5h内, 改性钛片保存在氮气气氛中有利于保持其亲水性. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生        

现代钟表产品愈加青睐新材质的应用与设计, 这也是现代钟表产品顺应市场需求和客户体验的直观表现, 不锈钢表面纳米薄膜涂层具有低摩擦, 高耐磨, 高耐蚀和高生物相容性等技术特点, 因此在国外中高端手表产品已广泛应用. 某国内高端手表代工厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP 220 用于辅助镀制手表的不锈钢表面纳米薄膜涂层.伯东 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束平行流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 推荐理由:使用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP 220 可以准确、灵活、有效地对样品选定的区域进行清洗. 运行结果：对基体材料表面进行离子清洗, 使得基体材料表面与将要沉积的薄膜性非常接近, 这样得到的薄膜与基体结合非常牢固, 薄膜质量很好.  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生              

电子工业的飞速发展对线路板制造业的要求越来越高, 线路板层数越来越高, 孔密越来越大并向微孔化不断发展, 某国内制造商为了铣刀进行铣边及成型加工时, 减少产品的披锋、毛刺及铣刀断刀, 采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助钻头铣刀上镀膜. 该制造商的真空离子镀膜技术, 利用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 轰击靶材形成离子, 并使离子在强磁场的驱动下吸附于钻头或锣刀上形成镀层, 制备出镀膜钻头及镀膜铣刀.用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 运行结果:结果表面, 采用镀膜钻头, 可以明显增加钻孔孔限, 减少披锋, 节约成本；采用镀膜铣刀进行铣边及成型加工时, 有利于减少产品的披锋、毛刺及铣刀断刀, 提高生产效率及节约成本 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                

无论是何种膜系结构, 玻璃基片表面的清洁程度和表面状态将直接影响所镀膜层的质量, 如薄膜的附着力/ 粗糙度以及薄膜的物理性能与机械强度. 但在放置和传输过程中会对玻璃基片表面难以避免地出现不明污染物, 失去 "新鲜表面" 形成钝化层, 甚至可视痕迹.  对于低辐射玻璃而言, 在瑕疵处生长的银膜会在后续钢化及热弯过程中形成团聚, 导致透光性能与低辐射性能严重恶化, 镀膜产品报废,降低成品率. 因此, 国内某玻璃制造商采用伯东 KRI 考夫曼霍尔离子源 eH 3000 在玻璃基片传输后/ 镀膜前进行在线基片表面处理工序.KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH3000Cathode/NeutralizerHC电压50-250V电流20A散射角度>45可充气体Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current 该制造商采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000离子源解离 Ar 气体,轰击玻璃表面,对玻璃基片表面进行清洗和刻蚀. 推荐理由：设备稳定,抗污染能力强,可以进行基片表面清洗与辅助沉积, KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 对玻璃基片表面有效去除二次污染/ 增加基片表面能/ 控制基片表面粗糙度. 运行结果:KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000能有效去除二次污染,对玻璃基片有效清洗清洗和刻蚀, 获得更清洁/ 平滑的玻璃基片表面提高了所镀膜层的质量,提高薄膜的附着力, 改善薄膜粗糙度以及薄膜的物理性能与机械强度降低了镀膜产品报废,提高了成品率 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

传统磁控溅射制备工艺存在一个突出的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能. 为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 用于磁控溅射镀制 TiN 薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 P 型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜. 推荐理由:聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 运行结果：1. 通过KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.2. 减少结构缺陷3. 提高耐蚀性能 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生       

在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节. 某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产, 其主要目的是：1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等2. 改善物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 客户存在的问题:客户的背银芯片很容易发生银的硫化及氧化,将直接影响芯片的贴装质量.被硫化或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题. 解决方案:客户采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 产生的离子束清洗芯片背面 运行结果:1. KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 有效去除背银芯片硫化银及氧化银, 保证了芯片贴装质量2. 可有效提高 DC/DC 混合电路组装质量及可靠性  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                    

使用平面磁控溅射阴极进行反应性溅射时的”靶中毒”和”阳极消失”, 这两问题一直是玻璃镀膜行业的难题. 某国内玻璃制造商采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP380 离子清洗技术清除沉积在靶面和阳极表面的反应产物, 如氧化物, 从而保持靶和阳极表面导电性, 避免发生”靶中毒”和”阳极消失”现象.伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：1. 使用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP 380 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行清洗2. 功率大, 离子束流高, 满足客户工艺要求3. 清洗速率快.工作原理:在真空室充入 100sccm 的氩气, 利用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP380 把氩气电离, 形成离子体, 利用氩离子撞击靶面, 从靶面上撞出锡原子或氧化锡分子, 完成对锡靶的清洁. 撞击出来的锡原子撞击阳极表面, 清除吸附阳极表面与表层铟结合力不强的部分氧化锡分子, 完成对阳极表面的清洗.其清洗实施工作图如下: 一次清洗大约用时15s, 前5秒主要清洁靶面, 后10秒清洁阳极表面. 运行结果：有效的清洁阴极靶面和阳极表面, 保持阴极靶面和阳极表面良好的导电性, 避免发生”靶中毒”和”阳极消失”现象 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生       

在 LED（发光二极管 ）封装工艺工程中, 器件表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品的可靠性, 影响产品的质量. 某 LED制造商为了保证有效清洗 LED 器件表面的氧化物及颗粒污染物, 采用伯东伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 在LED 封装前进行离子清洗.伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 客户清洗的工作流程:在真空状态下, 利用射频源将氩气电离成高能量的离子去撞击LED上的有机污染物及微颗粒污染物, 从而使得污染物被轰击除掉. 为了避免二次污染, 该清洗工艺, 真空度要求10-7 hPa, 客户采用的是伯东Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 1800 UC, 该型号可以倒装和抗腐蚀, 伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 1800 技术参数：分子泵型号接口 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气排气氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2 hPa氮气N2minkgHipace 1800 UC200401,4501,6501,700> 1X1081.820433 – 34 运行结果:1. 从下图离子射频清洗氧化膜前后对比可以看出, KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 有效的清洗除去污染物从使用和未使用离子清洗的拉力强度对比, 使用离子清洗后键合引线拉力强度有明显增加伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生    

某光学薄膜制造商为了提高光学太阳反射镜OSR的膜层附着力, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 在镀膜前清洗光学太阳反射镜OSR. 伯东 KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 推荐使用 KRI考夫曼射频离子源 RFICP140是因为其束流密度、能量可以精确控制, 工艺刚好符合客户要求. 其工艺流程为:在原有的真空镀膜机上安装一台KRI考夫曼射频离子源 RFICP140, 产生离子束. 离子束清洗应用在镀膜沉积前, 利用离子束轰击基片, 溅射基片表面的污染物进行净化, 同时也对基片表面除气. 先将清洗干净的石英玻璃基片放入真空室,再将系统的真空度抽至低于 5·10-4Pa, 然后充入工作气体氩气保持 5min 后, 打开离子源进行清洗. 清洗完毕后再次将系统的真空度抽至低于 5·10-4Pa,充入氩气至 0.3Pa 进行溅射镀银. 为了保证真空室的真空度, 客户采用的是伯东Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace1800, 其参数如下：分子泵型号界面 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气排气氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2 hPa氮气N2minkgHipace 1800200401,4501,6501,700> 1X1081.820433 – 34 运行结果:KRI考夫曼射频离子源 RFICP140可以对基片表面进行有效的清洁、活化的, 有利于改善膜层附着力  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生         

计算全息图 CGH 作为零位补偿器广泛应用于高精度非球面的检测, 但 CGH 的基底误差直接限制了非球面的检测精度. 某制造商为了获得超高精度的 CGH 基底, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 产生的离子束用于修正高精度 CGH 基底的加工工艺. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 运行结果：1. KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 产生的离子束修正工艺作为一种非接触式确定性光学加工方法, 不仅不会对元件表面施加作用力, 而且还具有加工精度高、去除函数稳定、面形收敛速度快、无边缘效应和亚表面损伤等特点, 非常适用于高精度 CGH 基底的加工.2. 应用离子束修正高精度 CGH 基底的加工工艺具有较大优势, 不仅具有较高的加工效率而且可以获得超高的加工精度 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生    

电子元器件-继电器在生产过程中由于手印、焊剂、交叉污染、自然氧化等, 其表面会形成各种玷污, 影响电子元器件在生产过程中的相关工艺质量, 例如继电器的接触电阻, 从而降低了电子元器件的可靠性和成品合格率. 某制造商为了提高电子元器件-继电器的可靠性和成品合格率, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 对继电器进行离子束清洗. 伯东 KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 该制造商通入氩气, 利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 电离氩气产生氩离子, 形成氩离子束对样品进行轰击, 以溅射刻蚀, 从而达到清洗的效果. 氩离子优点是不会产生氧化副产物, 可以保持被清洗物的化学纯净性. 运行结果：通过清洗前后接触电阻测试记录可以看出, 清洗后不合格产品数大幅降低, 因此采用KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140清洗可以有效地降低继电器的接触电阻, 从而提高产品的合格率. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生

某锂硫电池制造商采用伯东KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助溅射沉积制备锂硫电池正极片.伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 工艺流程:该正极片的制备在离子束溅射室内进行, 将铝箔作为基片, 将定量的块体硫和块体碳作为靶材.在开始工艺前, 需要将离子束溅射室抽真空后, 然后利用KRI 射频离子源 RFICP380 将通入的氩气离化为氩离子, 氩离子束以不同的功率交替轰击块体硫和块体碳, 将硫原子和碳原子分别溅射出来, 沉积到铝箔表面, 即获得带有硫碳复合材料的锂硫电池正极片. KRI 射频离子源 RFICP380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 为了给离子束溅射室提供 10-4 Pa真空度, 该制造商采用伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700抽真空. 其技术参数如下:2707-Operating voltage: V DC48 (± 5 %) V DCAr 的压缩比> 1 · 1011Ar 的抽速665 l/sAr 的最终转速时的气体流量3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/sH2 的压缩比4 · 105H2 的抽速555 l/sH2 的最终转速时的气体流量> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/sHe 的压缩比3 · 107He 的抽速655 l/sHe 的最终转速时的气体流量10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/sI/O 接口RS-485, 远程, ProfibusN2 的压缩比> 1 · 1011N2 的抽速685 l/sN2 的最大预真空11 百帕N2 的最终转速时的气体流量6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s不带气镇的最终压力1 · 10-7 百帕允许冷却水的温度15 – 35 °C 摄氏度冷却水消耗最小值100 l/h冷却水耗量100 l/h冷却类型, 可选项空气冷却类型, 标准水声压水平≤50 dB(A) 分贝 (A)安装方向任何排气连接G 1/8"接口, 扩展Profibus方位混合动力最大允许磁场6 mT根据 PNEUROP 的最终压力百帕电子驱动单元带有 TC 400电流最大值8,75 A耗电量 max.420 瓦转速 Â± 2 %49,200 rpm | 49,200 min-1转速可变化60 – 100 %运行时间2 分连接法兰（入口）DN 160 ISO-F连接法兰（出口）DN 25 ISO-KF/G ¼"重量12.1 千克防护等级IP54 运行结果:能够精确控制溅射量, 获得混合均匀的硫碳复合材料. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生    

氧化物薄膜具有优越的机械、光学性能以及良好的环境稳定性, 被广泛应用于可见近红外波段制备各种低损耗光学薄膜. 某国内精密光学薄膜制造商为了获得品质良好的Al2O3 薄膜, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380 和考夫曼离子源 KDC100 辅助溅射镀制 Al2O3 薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 工艺简介:该制造商采用双离子辅助镀制 Al2O3 薄膜, 其中一个离子源（KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380）主要是用于产生高能氩离子束轰击靶材, 通过动量传递使靶材原子获得足够的动能而脱离靶材表面, 射向基板, 在基板的上沉积而形成一层薄膜;另一个辅助离子源（KRI 考夫曼离子源 KDC100）通入氧气和氩气的混合气体, 通过对生长中的薄膜的轰击, 使得薄膜进一步致密, 同时改善薄膜的化学计量比.伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 100 DischargeDC 热离子离子束流>400 mA离子动能100-1200 V栅极直径12 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-20 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度23.5 cm直径19.4 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 其工作示意图如下: 运行结果:1. 制备的薄膜在中红外波段具有高的折射率和低的消光系数, 光滑的表面特性和极低的表面散射耗损, 在2.7μm波段没有发现由于水吸收导致的消光系数的增大；2. 制备的反射膜在2.7 μm反射率达到了99.63%, 接近于理论计算值；3. 镀制的Al2O3 薄膜具有优良的环境稳定性.伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生           

GdF3光学薄膜拥有优异的光学性能, 在深紫外光学薄膜中有广泛应用, 以193nm投影光刻为例, 其系统有30~40个光学元件, 且部分元件口径高达 400mm,为了使系统高质量成像, 不仅要求制备的薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力, 而且为了膜厚均匀性控制提出了极高的要求. 因此某光学薄膜制造商采用KRI 考夫曼射频离子源 FRICP220 和射频离子源 FRICP140辅助溅射制备GdF3光学薄膜, 以求获得透过率高且良好抗激光损伤能力的均匀性的GdF3光学薄膜. 客户离子束溅射系统装置图如下图: 其中用于溅射的离子源为 20cm的 KRI 射频离子源 RFICP220, 辅助离子源为12cm的KRI 射频离子源 RFICP140.伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量伯东 KRI 射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 工艺简介:离子源工作气体为Xe气, NF3作为辅助气体反应溅射, 靶材为金属Gd靶.KRI 射频离子源 RFICP220 主要是用于产生高能Xe离子束轰击靶材, 通过动量传递使靶材原子获得足够的动能而脱离靶材表面, 射向基板, 在基板的上沉积而形成一层薄膜; 另一个辅助离子源（KRI 射频离子源 RFICP140）通入NF3, 通过对生长中的薄膜的轰击, 使得薄膜进一步致密, 同时改善薄膜的化学性能. 运行结果:KRI 考夫曼射频离子源辅助溅射制备GdF3光学薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力, 而且膜厚均匀性良好.  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                

国内知名光学镜头制造商使用 KRI 射频离子源 RFICP325 成功镀膜于塑料基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试 （80C/80%湿度、85C/95%湿度）. 多数的光学镜头制造公司极力转型于塑料基材的光学镜头组件以争取智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头等等...广大的市场.但都面对了在镀膜时制程问题, 例如:脱膜、光谱的不稳定、均匀性不佳及无法在于大型蒸镀机稳定的大量生产...等等问题. 伯东与美国 KRI 公司专力于射频离子源 RFICP325 开发, 利用高均匀性的离子分布及高稳定的离子能量搭配于 1米7 的大型蒸镀设备, 镀膜材料: 高折射率材料 Ti2O5(氧化钛）、低折射率材料 SiO2(氧化硅）成功应用于塑料光学镀膜应用上, 已通过严苛的 1,500 小时高温高湿的环境测试.此突破性的发展解决了在塑料基材镜头上无法达到高质量镀膜要求, 同时也提升了高生产效能. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生             

上海某大学研究中心采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380  辅助制备三维原子探针样品, 主要是对三维原子探针样品进行蚀刻, 使样品变薄 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 运行结果:1. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380可以克服锆合金脆断的问题2. 制备得到的样品满足了三维原子探针观察样品的要求3. 可实现三维原子探针样品的快速, 便捷, 高效制备 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生               

某光学薄膜制造商采用20cm 的溅射源为 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜.  伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量运行结果:1. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 镀制的 LaF3 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布2. 制备的 LaF3薄膜的环境稳定性更高3. 离子源溅射制备的减反膜透过率为99.2%, 反射率为 0.1%, 表现了较好的光学特性 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                  

武汉某大学研究中心为了改善 TC4 表面性能, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380溅射镀制 TC4 表面 TiN 涂层,  提高钛合金表面耐磨耐腐蚀性能, 提高高温抗氧性能. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层. 运行结果:1. 具有沉积薄膜速度快, 厚度容易控制等特点2. 涂层的SEM形貌观测显示涂层均匀, 致密, 无明显孔洞缺陷, 涂层厚度约为10um, 过度层厚度约为3um.3. 涂层的力学性能及磨损性能分析显示, 涂层的临界载荷达到81.75N, 远远满足工程要求, 涂层与基体结合良好.4. 在高温（500℃）下, TiN的摩擦系数更稳定. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生    

云南某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140离子束溅射制备尺寸均匀、高密度的 MnGe 量子点, MnGe 量子点属于半导体量子材料的领域. 伯东 KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 运行结果:KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 可控性强, 制备工艺简单, 具有较强的商业价值. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生       

光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求, 广东中山某研究机构采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 制备高性能光通信带通滤光膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 在该研究项目中, 以 Ta2O5 和 SiO2 作为镀膜材料, 设计了含有 12 个谐振腔的带通滤光膜, 分析并解决了耦合层膜厚监控的问题. 运行结果:制备的带通滤光膜在 1528～1571 nm 处插入损耗小于 0.2 dB, 1470～1521 nm 和 1578～1651 nm 处透射隔离度大于 40 dB, 满足实际使用要求. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生     

VO2 薄膜作为一种热门的功能材料, 具有优秀的相变特性和电阻开关特性, 在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景. 天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层. KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率3. 制备出单斜结构的VO2薄膜, 且具有晶面择优取向4. 制备的薄膜均匀性好, 沾污少, 附着力强, 沉积速率大, 效率高, 产量高 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生

四川某大学实验室研究靶电流, 偏压、沉积时间等各试验工艺参数对两组试样 AlTiN 涂层力学性能的影响, 旨在找出能够镀制优良性能涂层的最佳工艺方案的项目中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 AlTiN 涂层具有高抗氧化性, 良好热硬性, 摩擦系数低, 与基体之间结合力强, 耐磨性强等优点. 因此AlTiN涂层在机械加工行业,尤其是在刀具领域,一直是研究的热点. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生

为了使堵片传感器的灵敏度, 分辨率、测量范围小、测量精度等得到提高, 可实现对堵片打开信号的可靠、稳定测量, 满足航天飞行器发动机控制系统信号测试需要, 某堵片传感器制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射制备堵片传感器薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料, 通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层. 研究结果:石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优, 涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜, 对 Ta-C 涂层起到润滑作用. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生            

为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 上图为磁控溅射系统工作示意图 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源. 客户材料:基片为φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶纯度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 铜靶纯度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作气体为纯度 99.99% 的氩气. 运行结果:当 W 含量在11.1%时, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 试验结论:随着磁控溅射时间的增长, 薄膜的亮度在减少, 黄蓝值在 3 min时出现最大值, 说明镀膜时间在 3 min 时最接近黄色, 红绿值波动比较大; 而氮气流量在 13~18 sccm 内, 薄膜颜色呈金黄色. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生  

某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量磁控溅射法制备铝膜是微电子工艺制备金属薄膜最常用的工艺之一, 然而在使用磁控溅射设备制备铝膜时, 往往会发现调用同一个工艺菜单, 制备出的铝膜厚度会有所不同, 最大相差接近40%. 这对于制备高精度膜厚的铝膜具有严重的影响. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此, 为了提高硅片金属薄膜的均匀性，该制造才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生