KRI 宽束工业离子源的离子束的直径通常为几厘米或更多. 如果要使KRI 宽束工业离子源的离子束保持在接近地面电位的位置, 它必须被中和, 因此在离子束的每个体积中, 电子和正离子的数量必须大致相等. 对于一个介电目标, 电子和离子到达的数量必须相等. 靶可以是溅射靶或基板. KRI 宽束工业离子源的离子束的离子能量为2000 eV或更少. (单个带电离子通过2000 V的电位差 “下落”, 获得2000 eV的能量. )为了使损坏最小化, 能量通常为1000辆或更少. 这里不考虑高能量植入型应用. KRI 宽束工业离子源一般分为两类:网格离子源和无网格离子源. 网格离子源图1给出了 KRI 栅格离子源的示意图, 其中描述了直流放电. 离子是由圆形或细长放电腔中的放电产生的. 可以使用几种类型的电子发射阴极. KRI 宽束工业离子源的热丝类型如图1所示. 离子也可以通过射频放电产生, 这不需要电子发射阴极. 放电室通过束电源保持在正电位. 离子通过荧光屏上的孔和加速器栅格进行加速, 这两者统称为离子光学. 加速器的栅极与周围的真空室(在地面上)是负的, 以防止电子从中和器通过离子光学往回走. 假设单电荷离子, 这是适合这种类型的离子源时, 适当的操作, 离子获得的能量eV(电子伏特)等于束电源电压. KRI 宽束栅格离子源的工作背景压力约为 0.5毫托或更少. 离子束的输出取决于离子光学设计. 随着栅格间距的增大和孔数的增加, 光束电流会增加. 根据栅格的形状和栅格中孔的相对位置, 离子束可以聚焦到覆盖一个小的区域, 平行, 或散聚焦到覆盖一个大的区域. 在较低的束流电压下, 通过增加负加速电压, 似乎可以获得较大的离子束电流. 但是一个大的负电压会导致离子束向外扩散, 以至于到达目标的离子流实际上会减少. 三栅格光学可以减少大负压下的光束扩散, 但效果有限, 并有其他折衷. 无论使用何种离子光学, KRI 宽束网格离子源在低离子能量下都无法接近无网格端离子源的离子电流容量. 离子光学, 给予优越的控制离子轨迹, 也是最昂贵的部分网格离子源和需要最多的维护. KRI 宽束网格离子源可选：KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 Gridless 离子源 无栅离子源的种类很多, 无栅离子源中的离子由放电电源产生, 由阴极中和器的电子通过磁场线产生的加速电位差到达阳极. KRI 霍尔离子源 如下图所示, 它有一个圆形或加长的放电室, 离子的加速发生在准中性等离子体中, 具有近似相等的电子和离子密度.因此, 离子束电流Ib不受限制, 离子束约为放电电流的20-30%, 平均离子能量约为放电电压的60-70%. 端厅离子源的工作背景压力约为一毫托或更少. 与网格离子源相比, 它是可靠的和坚固的. 它可以在200 eV或更少的离子束能量下产生大的离子束电流. 它不能轻易地产生更高的离子束能量, 并且离子束的形状被限制在发散的形状.KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列包括、eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH 200、eH Linear 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

对金属和耐火复合材料表面的清洗, 如果处理得当, 可以去除物理吸附的污染物, 对被清洗表面的不利影响很小. 然而, 对聚合物表面的类似清洗可如增加表面电导率、改善医用植入物的生物相容性或使应用于该表面的薄膜的化学结合成为可能等效果. 与金属或常见难熔化合物相比, 聚合物中的原子键变化更大. 从大多数聚合物有限的温度能力可以看出这些键很弱. 多元素和相对弱键导致的过程比金属和难熔化合物要复杂得多. 暴露出具有不同键合能力的不同元素被称为功能化、激活或产生自由基或悬垂键. 下面我们简单介绍 KRI 离子源用于清洁表面时, 如何选择应用的最佳气体, 使用不同气体对聚合物基质的影响. 氩在一定的离子能量范围内研究了氩离子对聚合物基质的影响. 在不同的能量下, 效果通常是相似的, 但是影响层的厚度和伤害率都随着能量的增加而增加. 这一观察结果是由溅射产物在一定能量范围内的相似性所显示的, 许多产物是小的原子团簇(例如, C2H2). 此外, 在高能条件下有利于形成非晶态石墨层. 为了获得良好的附着力, 主要目标是激活薄的表面层, 使其对层下的大块材料的损害最小, 这意味着离子能量小于100 eV. 然而, 高能量效应的一般相似性表明, 高能量研究可以扩展对范围的理解. 随着 Ar+剂量的增加, x射线光电子能谱最常见的观察结果是 C=O键的减少和表面附近非晶态石墨化碳的增加. 溅射产率往往很高——硝基纤维素在100 eV时可高达 30. 在被激活的聚合物表面沉积的Ti薄膜的界面附近检测 TiC表明了活性炭位点在粘附中的重要性. 表面活化的最佳剂量是足以获得大部分或全部所需特性或结构的剂量. (这与最佳清洗剂量的定义是一致的, 除了所需的特性可以是洁净度以外的. )在时, 还没有优化的实验数据, 但在 500 eV和2kev下的研究都给出了几个优化值, 这些优化值在标准清洗剂量 1015 ions/cm2的两倍范围内. 这些优化是基于表面碳键的可用性或沉积在该表面的膜的实验附着力. 在不知道所需离子剂量的情况下, 可以尝试清洗聚合物. 在这种情况下, 后来的计算有时显示清洗剂量为每平方厘米1015个离子的100倍或更多. 如此大量的清洁剂量可导致低发射率碳的积累, 同时清除通常是气态产物, 如 H、O和n. 活化碳结合位点往往是可取的, 但用石墨层覆盖表面很少有用. 氧气在一定的离子能量范围内, 研究了将氧与聚合物基质结合使用的效果. 溅射的产物一般与氩相似, 乙炔(C2H2)同样重要. 在时, 溅射产率是不可得的, 但在500 eV和1kev时的氧值大约比氩气时大10倍. 含氧溅射产额的大幅增加表明溅射过程中存在大量的活性成分, 该活性成分在时可能仍然存在. 氧在时的高溅射产率反过来表明1015 ions/cm2 的剂量应该是足够的. 与氩相比, 需要更高的离子能量来形成含氧的碳质层. 除了离子束特性外, 碳质层的形成可能还取决于氧的背景压力. 模拟氧蚀刻过程表明, 如果氧足够, 接近统一覆盖的蚀刻表面氧, 这种覆盖在x射线光电子能谱中并不明显, 但是x射线光电子能谱在最上面几层上的平均可以掩盖这种效果. 氮一项使用 60-100 eV氮离子处理聚丙烯表面的研究表明, 最佳剂量接近 1015 ions/cm2. 这种处理使表面氮/碳比约为 0.11. 在 60-100 eV范围内也存在能量变化的影响, 但这种变化的部分原因可能是由于聚合物缺乏均匀性. 现有资料表明, 聚合物的清洁/活化剂量需要保持在 1015 ions/cm2 (1.6×10-4 C/cm2)附近, 可能不超过该值的两倍. 有限的数据和最小化聚合物表面下损伤的合理目标都表明离子能量应该小于 100 eV. 由于活化效应的范围很广, 可能必须通过实验来确定一种新应用的最佳气体. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

光学镀膜是光学工业中最为重要的工艺之一,  其中离子源辅助镀膜技术是一种目前技术先进的光学镀膜技术.  离子源辅助镀膜IAD的作用有：1. 填充密度提高：折射率提高2. 波长漂移减少3. 红外波段的水气吸收减少4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力,  机械强度,  提高表面光洁度5. 控制膜层的应力6. 减少膜层的吸收和散射7. 提高生产效率 离子源工作原理在真空环境下,  利用发射的电子在电场合磁场的相互作用下,  使充入真空室的气体产生离化,  在电场合磁场的作用下发射离子.  上海伯东代理美国考夫曼公司霍尔离子源、考夫曼离子源和射频离子源,  选择哪类型离子源,  用于辅助镀膜 IAD呢？今天就跟大家简单介绍这三种离子源. 霍尔离子源霍尔离子源属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有：1. 灯丝2. 阳极模組3. 主要模組4. 底座(可调整角度, 高度)实图如下:KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:离子源型号霍尔离子源eH200(停产)霍尔离子源eH400eH400LE霍尔离子源eH1000eH1000LEeH1000LO霍尔离子源eH1000xO2霍尔离子源eH2000eH2000LEeH2000HO霍尔离子源eH3000eH3000LOeH3000MOCathode/NeutralizerF or HCF or HCF or HCF or HCF or HCHCHCHC电压30-300V50-300V30-150V50-300V30-150V50-300V100-300V50-300V30-150V50-250V50-250V50-300V50-250V电流2A5A10A10A12A5A10A10A15A15A20A10A15A散射角度>45>45>45>45>45>45可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量1-15sccm2-25sccm2-50sccm2-50sccm2-75sccm5-100sccm高度2.0“3.0“4.0“4.0“4.0“6.0“直径2.5“3.7“5.7“5.7“5.7“9.7“水冷无可选可选可选是可选 考夫曼离子源 KDC考夫曼离子源 KDC属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有：1.    Grid (栅极) 模組2.    Out shell (外壳) 模組3.    CathodeCathode moudlemoudle (阴极模组)4.    Anode with Magnet assembly (阳极与磁力模组) 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：离子源型号离子源 KDC 10离子源 KDC 40离子源 KDC 75离子源 KDC 100离子源 KDC 160DischargeDC 热离子DC 热离子DC 热离子DC 热离子DC 热离子离子束流>10 mA>100 mA>250 mA>400 mA>650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝 射频离子源 RFICP射频离子源RFICP属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有：1. 底座风冷风扇2. Grid (栅极) 模組3. RF Coil (射频铜管)4. 石英杯5. LFN 2000 (灯丝) 中和器 射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380DischargeRFICP 射频RFICP 射频RFICP 射频RFICP 射频RFICP 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 以上是 KRI 霍尔离子源 / 考夫曼离子源 / 射频离子源简单介绍. KRI 离子源辅助镀膜 IAD 时, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 哪个好？ 其实从上面的介绍可以看出, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 并没有好与不好之分, 主要是看工艺的需求, 适合的才是最合适的. 关于选型, 如果您有什么问题,  欢迎通过下方联系方式联系我们. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

镀膜技术 IAC 是利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用, 可在常温下合成各种优质薄膜. 其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制.离子源离子源是产生所需离子的关键部件, 它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量. KRI 考夫曼离子源, 它能产生气体元素的大面积离子束, 适合用于离子束溅射镀膜、对膜层进行离子束轰击以及对工件进行离子束表面清洗.伯东为客户提供栅极离子源和无栅离子源, 客户可根据自己的工艺需求, 选择不同的离子源.伯东 KRI 离子源有:KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear靶室靶室是装载工件, 进行离子束表面处理的部件, 它的容积大小、靶的工件夹具机构及其运动方式, 随工件种类的不同, 差异很大.工艺参数控制精确控制工艺参数, 保证工件表面的沉积原子数与轰击原子数达到一定的比例, 对膜层的性能和质量至关重要.KRI 离子源在创新设计, 产品质量和技术专长方面享誉全球. 这些离子源可输出高质量和稳定的离子束, 通过控制器可以实现精确控制, 以提供确定的形状, 电流密度和离子能量.实际应用证明, 离子源用在镀膜技术 IAC可制备出结合力很强的具有各种特殊的膜层, 如ZrN、ZrC、BN、TiO2和类金刚石碳膜等.伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生           

随着市场需求, 无论在于太阳眼镜光学镀膜 (AR coating), 智能型手机照相镜头 (Lens coating) 镀膜质量及效率都必须提高.为了提高镀膜质量和生产效率, 镀膜制造商一般会选择离子源进行辅助镀膜, 有利于:1. 填充密度提高: 折射率提高2. 波长漂移减少3. 红外波段的水气吸收减少4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力, 机械强度, 提高表面光洁度5. 控制膜层的应力6. 减少膜层的吸收和散射7. 提高生产效率伯东公司代理的美国考夫曼公司 KRI 霍尔离子源EH5000F 已成功应用于光学镀膜中必须的辅助镀膜应用, 使得大尺寸光学镀膜机生产过程获得高生产良率. KRI 霍尔离子源 EH5000F优点:1. 高离子浓度 (High density), 低能量 (Low energy)2. 离子束涵盖面积广 (high ion beam sharp)               3. 镀膜均匀性佳4. 提高镀膜品质5. 模块化设计,保养快速方便6. 增加光学膜后折射率 (Optical index)      7. 全自动控制设计,超做简易8. 低耗材成本9. 安装简易 伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼公司大中华总代理. 离子源发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 公司并历经30年离子源之改良及研发并取得多项专利, 目前已在光学镀膜 (Optical coating), IBAD (离子源助镀), IBSD (离子溅镀), IBE (离子刻蚀), DD (离子镀膜) 等等应用领域大量使用. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生          

随着人们对空间应用的望远镜和相机的光学系统中使用的反射镜性能提出了更高的要求, 在满足轻量化要求的同时, 还要求反射镜材料具有可以在恶劣环境下长时间工作的物理特性, 这就提出了低密度 / 高硬度 / 高弹性模量 / 高比刚度 / 低热膨胀吸收 / 均匀线膨胀系数等极高的参数标准. 反射镜的反射率取决于表面的粗糙度, 因此, 为了解决反应烧结碳化硅存在的孔洞和双金属性问题, 普遍采用通过给表面镀制一层厚的硅或者碳化硅的方法, 一达到表面改性的目的. 碳化硅材料凭借其优异的物理性能和良好的加工特性成为当前空间应用的主要新型反射镜材料. 离子源辅助镀膜的薄膜制备工艺已成为一种成熟、高效的方法. 霍尔离子源可以通过电离惰性气体, 输出离子流密度均匀并具有较高能量的等离子体. KRI 霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜 某国内精密光学制造商为了进一步提高碳化硅反射镜基底表面光学质量, 满足高质量空间光学系统的应用需求, 采用电子枪蒸发纯硅, KRI 霍尔离子源喷出的氢离子电离甲烷, 并以离子辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅基底上镀制了表面改性用碳化硅薄膜, 并对改性膜层进行了光学抛光处理. KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列产品特性:1.无栅极2.高电流低能量3.发散光束 >45°4.可快速更换阳极模块5.可选 Cathode / Neutralize 中和器 在离子源工作之前, 镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-4 Pa, 该国内精密光学制造商采用普发 Pfeiffer Hipace 80 对镀膜腔体进行抽真空. 涡轮分子泵  HiPace 80 技术参数分子泵型号接口 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 806316675848> 1X1011221.31.752.4 伯东美国 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵 Hipace 80 满足客户的工艺需求. 制造商在该工艺条件下制备的碳化硅薄膜为α相, 通过高分辨光学显微镜对抛光后的反应烧结碳化硅基底进行缺陷观察, 发现改性抛光后基底表面缺陷和孔洞明显减少. 这种镀制碳化硅表面改性的方法在抛光后可以有效降低表面粗糙度, 并且散射值有了明显的降低, 不到改性之前的1/8. 制备的碳化硅薄膜在冷人温度冲击下非常稳定, 无脱膜、龟裂. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生             

在红外光学系统中, 由于常用的锗硅等材料折射率高, 反射损失大, 因此对红外光学元件表面镀增透膜是一项常规性的工作. 通常使用环境恶劣, 对元件除要求有较高的光学性能外, 还希望具有较好的耐环境的能力, 以适应环境变化, 保持系统的光机性能稳定. 传统蒸发技术的缺陷: 在传统的蒸发技术中, 凝聚粒子的能力低, 热蒸发薄膜的堆积密度较低, 具有明显的柱状结构, 造成膜本身不稳定, 光机性能蜕变、降低. 离子辅助沉积技术, 能够改善薄膜的性能, 高的堆积密度, 改善了膜的光机性能. 通常的离子束源出口半径小, 离子束流有方向性且大小有限,使得达到被轰击表面的离子束流均匀性差, 轰击角不一致, 导致薄膜的均匀性差, 可利用的沉积面积有限, 甚至在有些情形, 沉积的薄膜层仅在沉积过程中受到不连续的辐照, 并非完全的离子辅助沉积薄膜. 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高性能红外增透膜优势: 伯东美国 KRI 离子源克服了通常的离子束辅助镀膜技术的缺陷, 成为一种实用的离子辅助镀膜手段, 已经广泛运用于大型光学镀膜系统上. 为了获得大面积均匀、性能优异的红外光学薄膜, 增强其耐久性, 使膜层的机械性的红外增透膜, 某国内光学薄膜制造商采用伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 用于辅助镀膜.  美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 产品特点：1. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.2. 离子束流: >650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.3. 加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.4. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.5. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计.为了获得更好的膜层, 离子源辅助镀膜需要在真空环境下进行, 因此镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-4 Pa, 该光学薄膜制造商采用普发 Pfeiffer Hipace 80 对镀膜腔体进行抽真空. 涡轮分子泵  HiPace 80 技术参数分子泵型号接口 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 806316675848> 1X1011221.31.752.4 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高性能红外增透膜实际运用结果: 用伯东美国 KRI 离子源辅助沉积的红外增透膜, 其光学性能和机械性能均较优异, 增强其耐久性, 完全满足一般红外光学系统的要求, 且可以制备大面积均匀的膜层, 达到共赢生产规模. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

硅在常温下性质稳定、红外透明区宽、透明度好, 所形成的的硅薄膜质硬、红外区折射率高, 是一种较为理想的红外光学薄膜材料, 非晶硅作为一种高折射率材料, 因此非晶硅薄膜广泛运用于红外和激光技术中. 而影响非晶薄膜光学的主要工艺因素是沉积速率和基底温度, 其次工作真空度的影响, 当沉积速率和基底温度升高时, 薄膜的折射率先增大后减小, 当工作真空度升高时, 薄膜的折射率增大. KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜 某国内光学薄膜制造商为了加快镀膜沉积速率和获得工作真空度, 并保持沉积速率和稳定真空度, 该制造通过与伯东工程师进行深入讨论, 伯东工程师为其推荐美国 KRI射频离子源 RFICP 380和分子泵 Hipace 700. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others为了获得更好的膜层, 离子源辅助镀膜需要在真空环境下进行, 因此镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-5 Pa, 该光学薄膜制造商采用普发 Pfeiffer 分子泵 Hipace 700 对镀膜腔体进行抽真空. 涡轮分子泵 Hipace 700产品优势:1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵, 用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s2.最佳真空性能, 最低功耗3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 4004.可在任何方向安装5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接7.广泛的配件扩展使用范围 用伯东美国 KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜, 其光学性能和机械性能均较优异, 增强其耐久性, 完全满足一般红外光学系统的要求, 且可以制备大面积均匀的膜层, 达到共赢生产规模. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生         

离子束抛光技术已经成为光学表面超精加工中常用的最后一道工序, 原子量级的材料去除使得离子束抛光加工具有纳米、亚纳米级别的加工精度. 离子束抛光系统中的核心部件是离子源, 离子源的性能直接决定了该离子束机床的修形能力. 去除函数, 是光学面形确定性加工的基础, 去除函数指的是单位时间内材料去除量在空间上的分布函数, 反应材料的去除速率. 影响光学表面抛光加工精度的主要因素之一是去除函数的形状、稳定性以及峰值去除率. 高斯型的去除函数是光学镜面抛光加工最理想的去除函数形状. KRI 射频离子源在光学加工中具有高的去除率和稳定性 在光学加工中, 伯东工程师推荐使用 KRI 射频离子源, 其主要优点有:1. 不使用阴极, 靠射频辐射激发等离子体, 因此, 不受使用气体的限制, 工作寿命也较长.2. 射频离子源是无极放电的离子源, 因此不存在阴极消耗, 使用寿命较长, 对被加工工件的污染可大大减少; 3. 射频感应生产的等离子体中只有单荷离子, 几乎没有双荷离子, 因此, 离子对屏栅的溅射较小, 也增加了束流的均匀性. 伯东代理美国考夫曼公司 KRI 离子源, 可选的射频离子源类型多, 客户可根据自己的工艺选择所对应之型号: 射频离子源 RFICP 380, 射频离子源 RFICP 220, 射频离子源 RFICP 140, 射频离子源 RFICP 100, 射频离子源 RFICP 40结果:通过实际应用表明, 射频离子源去除函数的形状为回转高斯形, 在靶距为30mm, 离子能量为 900eV时, 去除函数的峰值去除率 194nm/min, 体积去除率为19.2x10-3mm3/min, 半峰全宽值为9.2mm; 并且去除函数的峰值去除率与体积去除率的变化均在3%以内, 半峰全宽值的变化在1.7%以内.因此, 射频离子源具有光学镜面抛光加工所需的去除效率, 而且射频离子源具有好的稳定性, 具备光学加工的潜能. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生           

在现代光学薄膜制备技术中, 离子束溅射因其污染少, 成膜条件易于精确控制, 离子束能量与束流可以精确调节, 有利于获得高质量的薄膜等优点, 而被广泛应用于镀膜行业. 理想的光学薄膜应该具有光学和化学性质稳定, 无散射和吸收, 机械性能强等特征, 而离子束溅射技术适用于这些要求. 离子束溅射镀膜设备包含两个重要核心, 一.用于提供离子束的离子源, 二.一定的真空环境. 某国内镀膜制造商的镀膜设备中采用双射频离子源, 其简单构造图如下:该设备的工作原理是:在一定真空条件下, 利用溅射的射频离子源引出高速、高能量的离子束, 经中和器产生的负电子中和变成中性离子束后轰击靶材, 将靶材以原子、分子或者原子团的状态溅射出来, 再沉积到基片上形成薄膜. 在镀膜设备中辅助离子源主要作用是成膜前对基片进行预溅射清洗并使衬底表面活化, 改善膜基过渡层的结构和性质, 使制备的薄膜更加致密, 附着力更强. 经过深入了解制造商的工艺要求, 伯东工程师为其推荐美国考夫曼博士的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 380和射频离子源 RFICP 100, 其中用于溅射的离子源为KRI 聚焦型射频离子源 RICP380, 用于清洗辅助的离子源为 KRI 发散型离子源 RICP 100. 推荐理由：1、在氧化物薄膜沉积工艺中需要引入氧气, 对热灯丝离子源而言, 灯丝因被氧化导致使用寿命很短；同时, 由于氧化物进入离子源内部, 使内部电极绝缘, 产生点击穿打火, 导致工作周期短. 而射频离子源采用电磁感应产生离子束, 由于内部无灯丝, 放电室为石英材料, 可解决离子束溅射制备氧化物薄膜的问题. 2、聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率, 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起的污染. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 3、用于清洗辅助的离子源使用发散离子源可以增大清洗面积, 提高工作效率. 同时根据制造商的要求, 伯东工程师为其真空系统采用大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s, 很好保证成膜质量. 运行结果：1、与之前镀膜工艺相比, 薄膜质量得到了较大提高, 致密性高, 附着力更强, 更加稳定, 薄膜机械性能更强2、成膜可以精确控制3、镀膜设备能支持更长的工艺时间, 而且运行稳定, 维护周期更长 更多详细信息，欢迎通过下方的联系方式与我们工程师交流》》》 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生      

氧化钛(TiO2)是一种具有多元晶格结构的光学镀膜材料, 氧化钛在550nm处的折射率可在2.2～2.7之间变化, 是一种很好的高折射率材料.  因此, 氧化钛(TiO2)是光学镀膜材料中最受欢迎的材料之一. 离子源助镀镀膜可改善膜层致密性、增加折射率、反射率, 提升产品性能指标. 某国内光学镀膜制造商为了制备 TiO2 薄膜并提升高反膜性能, 其采用离子源辅助蒸镀 TiO_2薄膜. 经过与伯东工程师讨论, 该制造商最终采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380, 同时为了为镀膜工业提供稳定的合适的真空环境, 伯东工程师为制造商搭配大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s, 很好保证成膜质量.  美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 运行结果：与正常蒸镀工艺相比, 基片温度相同条件下, 使用 KRI 射频离子源 RFICP 380 辅助沉积工艺, 可以有效提高的 TiO2 薄膜折射率；离子束助镀工艺激光器峰值功率离散度最小, 且平均峰值功率普遍高于正常蒸镀工艺. 更多详细信息, 欢迎通过下方的联系方式与我们工程师交流》》》 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生  

随着科技发展, 市场需求, 对材料表面进行镀膜已经成为一种常见常用工艺. 镀膜是指用物理或化学的方法在材料表面镀上一层透明的电解质膜, 或镀一层金属膜, 目的是改变材料表面的反射和透射特性. 但在市场上, 镀膜制品有的会出现掉膜现状, 其实产生掉膜的原因很多也很复杂. 处理起来很棘手, 可以考虑从以下几个方面排除:1、表面清洁度产品表面洁净度不够 2、清洗过程中的问题镀前清洗不到位, 或更换了清洗液. 3、工艺的问题工艺参数是否有变动, 在镀膜时间和电流上做适当调整. 4、靶材的问题钛靶是否中毒, 检查和更换. 5、真空腔是否漏气进行次捡漏. 6、产品表面氧化氧化的原因很多, 可以自行判断处理. 通过某知名企业统计数据得知, 其中70%的主要原因是: 表面清洁度和真空腔体漏气. 因此, 伯东工程师推荐用 KRI 离子源进行清洗, 可以保证材料表的高度清洁, 有效提供薄膜的附着力. 上海伯东是美国考夫曼公司 KRI离子源的国内总代理商, 其中KRI 离子源主要型号有:KRI 射频离子源 RFICP 系列:  RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列:  KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear 为了保证真空腔体的真空度及无漏, 建议用检漏仪进行检漏.上海伯东代理德国普发 Pfeiffer 检漏仪产品, 有多种产品供您选择, 满足您各种检漏需求, 主要检漏仪型号有: Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340、 ASM 390, ASM 392、嗅探器吸枪检漏仪 ASM 306 S、便携式氦质谱检漏仪 ASM 310、控制台式氦质谱检漏仪 ASM 192 T ASM 192 T2D+、伯东 Pfeiffer 模块化氦质谱检漏仪 ASI 35等 与伯东合作的镀膜制造商的反馈, 伯东 KRI 离子源和检漏仪能有效的保证镀膜的品质, 大大减少了掉膜现象! 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                     

铝膜具有电位低, 在基体上附着性好、经济实惠, 同时铝膜与铝合金构建连接的紧固件表面, 防止发生电偶腐蚀破坏铝合金结构件. 除此之外, 铝做到耐腐蚀防护膜层时, 无氢脆现象, 不会影响基体的本身性能, 并解决了与钛合金连接件接触的电偶腐蚀等优点, 是优良的腐蚀防护材料. 因此, 铝膜在蒸发沉积镀膜中广泛使用。 蒸镀是在真空状态下, 将镀料加热蒸发或者升华, 使之在工件或基体表面沉积的工厂, 蒸镀具有简单便利、操作容易、沉积速率快等优点, 但存在膜基结合力不理想, 膜层不致密的缺点. 为了解决蒸镀的缺点, 某国内精密仪器镀膜制造商采用伯东 KRI 离子源进行辅助蒸镀. 该制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380, 同时为了为镀膜工业提供稳定的合适的真空环境, 伯东工程师为制造商搭配大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s, 很好保证成膜质量. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 离子源辅助蒸镀运行原理: 在蒸镀时, 通过 KRI 离子源的作用, 使Ar原子离化成Ar+, 产生辉光放点现象, 离子在电场中将蒸发出来的Al原子离化成Ar+, 这些等离子体在电场的作用下对基体进行轰击和镀膜. 运行结果： 蒸镀中由于离子辅助技术的注入, 改善了蒸镀铝膜的组织, 基膜结合力高、耐腐蚀性更好、提高了合金的微动疲劳抗力 上海伯东是美国考夫曼公司 KRI离子源的国内总代理商, 其中KRI 离子源主要型号有:KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生      

与液体润滑剂相比, 固体润滑剂寿命长, 并且可在特殊场合和无油、真空等环境使用, 得到越来越多的应用. 常用的固体润滑剂MoS2涂层蒸气气压低、迁移性弱, 作为固体润滑剂的航空航天领域. 真空环境中得到广泛的应用, 在2000℃真空环境中依然具有很低的摩擦因数. 随着科技发展, 离子源技术引入物理气相沉积技术, 用于工模具涂层材料制备, 一直是 PVD 涂层技术的研究热点. 离子源在涂层制备过程中首先可以清洗衬底获得清洁的表面, 其次高的离子/原子比率有利于获得高性能的涂层. 某大型研究结构采用 KRI 射频离子源用于研究离子源辅助制备MoS2 自润滑涂层. 其系统示意图如下: 其中 KRI 射频离子源安装在右侧，左侧为钼靶, 真空泵安装在真空腔体里侧. 客户采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380, 同时为了获得稳定的合适的真空环境, 伯东工程师为制造商搭配大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 运行结果：KRI 射频离子源 RFIC 380成功用于辅助制备MoS2自润滑涂层, 对MoS2涂层有减膜作用,大大提高了MoS2涂层润滑. 上海伯东是美国考夫曼公司 KRI 离子源的国内总代理商, 其中KRI 离子源主要型号有:KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                    

上海伯东是美国考夫曼博士创立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源中国总代理. 某光学镜片制造商为了使光学镜片的抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 获得均匀性更高的薄膜表面, 而采用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10 用于 IBF 离子束抛光工艺. KRI 离子源 KDC 10 客户实际安装图如下：客户基材: 100 mm 光学镜片离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ). 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：Discharge: DC 热离子离子束流: >10 mA离子动能:100-1200 V栅极直径:1 cm Φ离子束:聚焦, 平行, 散射流量:1-5 sccm通气:Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力:长度:11.5 cm直径:4 cm中和器:灯丝 KRI 离子源 KDC 10 客户使用结果:离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生     

上海伯东代理美国考夫曼博士创立的考夫曼公司 KRI 大尺寸霍尔离子源 EH 3000 HC成功应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片.  客户项目使用图:  美国 KRI 霍尔离子源 EH 3000 HC 主要技术参数:尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A可通气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2,离子束发散角度：> 45° (hwhm)水冷 应用结果：1. 通过使用上海伯东 KRI 霍尔离子源EH 3000 HC辅助镀全反射膜, 高均匀性及高致密性的膜层可以保障光源有效反射, 尽可能减少吸收. 2. 直径 2.2m 镀膜腔, 仅需安装1台霍尔离子源 EH 3000 HC, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本! 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生     

在制备 TiN 薄膜过程中, 离子持续轰击对 TiN 薄膜的结构和性能影响很大, 在离子持续轰击作用下能够获得性能优异的TiN薄膜. 为了获取性能优异的 TiN 薄膜, 国内某制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 对 TiN 薄膜进行持续轰击. 工作系统简单示意如下图:伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 应用结果：通过使用 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 持续轰击 TiN 薄膜, 备的TiN 薄膜具有更致密的结构, 更光滑的表面, 更好的结晶性, 更优异的机械性能和更好的腐蚀性能.其使用前（左）和使用后（右）对比图如下： 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生

传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2 薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜. 客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO2块材料, 运行的离子源偏压为 90V.  伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数: 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 应用结果：通过使用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 在偏压为 90V 时, 制造得到的HfO2 薄膜晶粒减小, 膜结构更均匀, 缓解了激光能量的局部聚焦, 因此具有较高的损伤阈值. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生               

某国内 3D玻璃制造商采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 辅助磁控溅射镀制 3D 玻璃膜, 以获取高品质 3D玻璃膜. 其磁控溅射镀膜工艺流程如下图: 磁控溅射镀膜原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞, 电离出大量的氩离子和电子, 电子飞向基片. 氩离子在电场的作用下加速轰击靶材, 溅射出大量的靶材原子, 呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜.伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 运行结果:使用伯东KRI  聚焦射频离子源 RFICP 220 辅助磁控溅射镀制 3D 玻璃膜, 保证镀膜的质量, 所生产出的陶瓷手机盖板镀膜无论是环境脱膜测试, 耐刮测试, 膜层应力测试等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源, 提高生产率. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生      

二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造商为了获得高品质的 SiO_2薄膜引进伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜. 该制造商的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台、真空气路系统以及控制系统等部分组成. 离子源溅射离子源采用进口的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380, 其参数如下: 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：1. 聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率2. 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 其真空气路系统真空系统需要沉积前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 经推荐采用伯东泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下： 分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:进气法兰氮气抽速 N2,l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m³/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：SiO_2薄膜沉积速率比以前更加快速薄膜均匀性明显提高成膜质量高、膜层致密、缺陷少 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生  

为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究. 其系统工作示意图如下：  该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成. 其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗. 用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下: 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH3000eH3000LOeH3000MOCathode/NeutralizerHC电压50-250V50-300V50-250V电流20A10A15A散射角度>45可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选 其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：进气法兰氮气抽速 N2,l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m³/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生  

在硅衬底上生长 Ge 量子点呗认为是可能实现 Si 基发光的重要途径, 对 Si 基光电子、微电子或单电子器件有重要影响. 某研究所采用伯东 KRI 离子源用于离子束溅射镀制 Ge 纳米薄膜的研究. 该研究采用的是 FJL560 III 型超高真空多靶磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备样品, 生长室的本底真空度低于 4x10-4Pa. 其系统工作示意图如下：该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、离子源、溅射靶、基片台等部分组成. 用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下: 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度,  提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积,  减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 生长室的本底真空度低于 4x10-4Pa,  经推荐采用伯东泵组  Hicube 80 Pro,  其技术参数如下：分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:进气法兰氮气抽速 N2, l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m³/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：得到了尺寸较均匀的 Ge 岛,  岛的数量也很多. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生 

薄膜表面粗糙度与机械零件的配合性质、耐磨性、疲劳强度、接触刚度、振动和噪声等有重要关系, 直接决定机械产品的使用寿命和可靠性. 因此, 某薄膜制造商为了获得优质的 Cu 薄膜, 采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 、霍尔离子源 eH 2000 和 分子泵组 Hicube 30 Eco 辅助溅射沉积 Cu 薄膜. 该制造商的镀膜机设备采用双离子束溅射沉积系统, 该设备的本底真空为5x10-5 Pa, 溅射气体使用 Ar+ 粒子, 靶材成分为 99.99% Cu, 衬底为硅片. 其双离子束溅射沉积系统工作示意图如下：  其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗. 用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH2000Cathode/NeutralizerF or HC电压50-300V电流10A散射角度>45°可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量2-75sccm高度4.0“直径5.7“水冷是 其溅射室需要沉积前本底真空抽到1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下：分子泵组 Hicube 30 Eco 技术参数泵组型号进气法兰分子泵型号抽速氮气l/s极限真空 hPa前级泵型号前级泵抽速 m³/hHicube 30 EcoDN 40 ISO-KF Hipace 30221X10-7MVP 030-31.8 实际运行结果：双离子束溅射制备的薄膜由于其他方法生长的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均匀性更好绝对沉积角必须要避开 25°附件的位置, 这一位置的粗糙度太大, 生长出的薄膜表面的各方面性质远低于其他位置 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生           

氧化铟锡 ITO 薄膜 具有高电导率和可见光透过率、紫外光区强吸收、红外区域高反射等特性, 已经广泛应用于太阳能电池、等离子体液晶显示器以及平板显示器等领域. 某光学薄膜制造商用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 辅助磁控溅射沉积氧化铟锡 ITO 薄膜. 在其磁控溅射沉积工艺中, 沉积薄膜前首先对基片进行离子轰击处理去除基片表面吸附气体和杂质, 然后离子源和磁控溅射靶同时工作沉积薄膜. 其磁控溅射沉积系统工作示意图如下：  伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH2000Cathode/NeutralizerF or HC电压50-300V电流10A散射角度>45°可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量2-75sccm高度4.0“直径5.7“水冷是 其溅射室需要沉积前本底真空抽到1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下：泵组型号进气法兰分子泵型号抽速氮气l/s极限真空 hPa前级泵型号前级泵抽速 m³/hHicube 30 EcoDN 40 ISO-KF Hipace 30221X10-7MVP 030-31.8 实际运行结果：1. 离子源辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜, 当 Ar、O2辅助离子束能量为 900eV 左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能.2. 离子束能量为 900eV左右时, ITO薄膜处于非晶到多晶的转变过程, 此时薄膜的电阻率最小.3. 采用离子源辅助磁控溅射技术在基片上制备了平均可见光透过率 81%、电阻率5.668x10-4Ω.an、结构致密且附着力良好的 ITO薄膜4. 离子源的离子束轰击能够制造氧空位, 提高自有电子密度和载流子浓度. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生         

某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到ZnO: Al（ZAO）透明导电薄膜. 试验设备:伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 进行溅射, 选用 ZAO 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3. 工艺要求:靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 推荐理由:聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技术参数如下: 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生        

为了获得具备电磁屏蔽能力的 PPS, PEEK等高分子轻量化材料, 但 PPS, PEEK 导电性能差、无电磁波屏蔽能力或者达不到理想的屏蔽效果, 因此, 某机构采用磁控溅射镀膜工艺对 PPS、PEEK 等材料结构件产品表面进行金属化处理. 其工艺主要分为前处理、镀膜、后处理等三个环节.  前处理需要对 PPS/PEEK 待镀衬底面进行 Hall 离子源清洗, 该机构采用伯东 KRI 考夫曼 霍尔离子源 eh 3000 对 PPS/ PEEK 衬底面进行清洗. KRI 考夫曼 霍尔离子源 Gridless eH 3000 主要技术参数:离子源型号霍尔离子源 eH3000Cathode/NeutralizerHC电压50-250V电流20A散射角度>45可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选 其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5 Pa, 经推荐采用伯东经济型分子泵组 HiCube 30 Eco, 其技术参数如下： 泵组型号进气法兰分子泵型号抽速氮气l/s极限真空 hPa前级泵型号前级泵抽速 m³/hHicube 30 EcoDN 40 ISO-KF Hipace 30221X10-7MVP 015-21 运用结果：1. KRI 考夫曼 霍尔离子源 eh 3000 对衬底面良好的清洗, 提高了膜层的附着力2. 经济型分子泵组 HiCube 30 Eco快速将本底真空抽到 1×10-5 Pa, 并稳定保持整个过程的真空度 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生            

普通传统的制样减薄方法存在远端的薄区极易弯曲和薄区厚度不均匀的问题, 因此某机构采用伯东KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 通过交叉减薄的方法制备超薄 TEM 样品. 交叉减薄交叉减薄的过程利用 TEM 样品台的旋转来完成, 如下图.TEM 样品台模型图  伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由:使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、沉积和减薄. 运行结果:1. 通过利用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 和样品台交叉减薄得到的薄区非常均匀, 边缘整齐. 相比较传统减薄方法, 交叉减薄避免了样品在倾斜52°和56°减薄时出现的边缘收缩问题和远端薄区弯曲问题.2. 对于复合材料大大降低了位于两相界面处薄区的厚度, 提高了样品质量, 提高了制样的成功率和效率.  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                     

为了解决飞秒激光加工硬质材料所带来的表面质量差的问题, 国内某制造商用伯东聚焦型射频离子源 RFICP 380 辅助飞秒激光加工技术对碳化硅微纳结构表面进行刻蚀.伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由:使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、减薄. 工艺简介：在碳化硅表面制备微纳结构图形, 然后通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度. 运行结果:1. 结构表面粗糙度由约 106nm 降低到 11.8nm2. 碳化硅线条结构周围的毛刺基本消失, 线条结构表面的粗糙度得到显著改善, 降低结构表面的粗糙度实现高平滑度微光学元件的制备3. 通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生 

机器人五金连接件的铬膜厚度达不到, 表面不致密, 薄膜吸附仪不够, 将影响机器人连接件力学性能, 还有表面耐磨性能, 因此某国内机器人五金连接件制造商为了获得更优质的连接件铬膜, 采用伯东 KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100  辅助镀制五金连接件铬膜. 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 100 DischargeDC 热离子离子束流>400 mA离子动能100-1200 V栅极直径12 cm Φ离子束聚焦流量2-20 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度23.5 cm直径19.4 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 推荐理由:使用 KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100可一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染. 在镀制铬膜的过程中, 其镀铬的真空容器要求漏率不超过10-8Pa m3/s, 为了保证客户镀铬真空容器的漏率, 伯东工程师给客户推荐氦质谱测漏仪 ASM 340氦质谱测漏仪 ASM 340 其技术参数特点如下:1. 前级泵  抽速 15 m3/h2. 分子泵 Splitflow 50 对氦抽速 2.5 l/s3. 测漏精度:    真空模式: 5E-13 Pa m3/s    吸枪模式: 5E-10 Pa m3/s4. 移动式操作面板（有线、无线）5. 集成SD卡, 方便数据处理6. 抗破大气、抗震动, 降低由操作失误带来的风险性7. 丰富的可选配件, 如吸枪、遥控器、小推车、旁路装置、标准漏孔等 运行结果:1. 使用KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100辅助镀制五金连接件铬膜后, 镀制的铬膜品质更好, 厚度更均匀, 表面更致密, 薄膜吸附仪更强2. 氦质谱测漏仪 ASM 340 有效保证了镀铬真空容器的真空度 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

国内某制造商在钛合金表面制备一层类金刚石薄膜 DLC, 以期改善钛合金表面摩擦学性能, 为了获得均匀且致密的类金刚石薄膜, 采用伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 制备类金刚石薄膜.伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由:使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行沉积和刻蚀. 运行结果:1. 沉积的类金刚石薄膜厚度约为 1.0 μm, 薄膜均匀且致密, 表面粗糙度Ra为13.23nm2. 类金刚石薄膜与基体结合力的临界载荷达到31.0N3. DLC薄膜具有良好的减摩性, 摩擦系数为0.15, 耐磨性能得到提高 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生