存储器芯片是半导体存储产品的核心, 是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元, 存储芯片在出厂时需要测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 上海伯东美国 inTEST Temtronic 热流仪提供 -100°C 至 +300°C 快速温度冲击范围, 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.上海伯东存储器芯片高低温冲击测试案例客户: 某知名存储芯片设计公司, 主要产品 Flash 及 DRAM 存储器测试设备: inTEST ATS-710-M 搭配爱德万 Advantest 内存 IC 测试系统测试目的: 研发中存储芯片的运作特性, 同时可用于失效芯片在不同温度下的快速故障诊断.存储器芯片高低温测试方法: inTEST 热流仪温度区间设置为 125℃ 至 -55℃, 快速实现极端温度下闪存的运作特性, 如电压, 电流等. 闪存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式来进行高低温循环测式, 将闪存与 inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互连接, 如此即可精确掌控受测物达到机台所设定之温度. 闪存高低温测试方法同样适合内嵌式记忆体 eMMC 温度测试.inTEST Temtronic ATS-710 热流仪技术参数型号温度范围 °C输出气流量变温速率温度精度温度显示分辨率温度传感器远程控制ATS-710E-75至+225 50Hz-80至+225 60Hz4 至18 scfm1.8至 8.5l/s-55至 +125°C 约 10 s+125至 -55°C 约 10 s±1℃±0.1℃T型或K型热电偶IEEE 488RS232若您需要进一步的了解 inTEST 热流仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生       

Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE , 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀 , 即使对磁性材料 , 金铜镍银铂等金属及复合半导体材料 , 这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀 .伯东离子刻蚀机 IBE 组成主要包含真空刻蚀腔体 , 样品台 , 离子源等 . 其配置如下 ：一. 真空腔体伯东离子刻蚀机 IBE 的真空刻蚀腔体配置的是德国 Pfeiffer 分子泵 .Pfeiffer 分子泵抽速范围 10 至 2700 L/S , 转速高 90,000 rpm , 极限真空 1E-11 mbar , 能满足各种各样真空度要求 . 伯东是 Pfeiffer Vacuum 德国普发真空产品授权代理商 , 销售维修普发 Pfeiffer 真空产品已超过 20 年 . 二. 离子源伯东离子刻蚀机 IBE 配置的美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼 离子源 .可选的离子源包括 ：射频离子源 : RFICP380 , RFICP220 , RFICP140 , RFICP100 , RFICP40考夫曼离子源 : KDC160 , KDC100 , KDC75 , KDC40 , KDC10霍尔离子源 : eH3000 , eH2000 , eH1000 , eH400 , 线性霍尔离子源 eH Linear 伯东公司是美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源亚洲总代理 . 三. 样品台伯东离子刻蚀机 IBE 的样品台可选直接冷却 / 间接冷却 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋转 .其中基片尺寸大小支持 Φ3 inch , Φ4 inch , Φ5 inch , Φ6 inch , Φ8 inch 等各种尺寸 . 伯东离子刻蚀机 IBE 优势 :伯东离子刻蚀机集全球好设备于一身 , 其性能也是优越于市面上绝大部分离子刻蚀机 .1. 刻蚀材料范围广, 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀, 即使对黄金 Au , 铂 Pt , 合金等金属及半导体材料也能提供优质蚀刻2. 均匀性高 , 高达 ≤±5%3. 硅片刻蚀率可达 20 nm/min4. 样品台冷却方式多 , 可选直接冷却 , 间接冷却5. 样品台可 0-90 度旋转 伯东离子蚀刻机 IBE 包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造 , 已应用于半导体器件 , 集成电路制造 , 薄膜电路 , 印刷电路 , 手机背板镀膜 , 手机广角镜头镀膜等 . 伯东离子刻蚀机 IBE 可选型号有 : 20IBE-J , 20IBE-C , 10IBE , 7.5IBE 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生               

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀. Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. 运用结果：1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率2. 晶圆的均匀度得到良好提高3. 晶圆的加工质量得到明显提高 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生 

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持刻蚀室的真空度.其产品优势:1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s2.最佳真空性能，最低功耗3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 4004.可在任何方向安装5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接7.广泛的配件扩展使用范围 运行结果:1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.  若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生 

某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,离子源ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架 试验结果:Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生  

某薄膜磁盘制造采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘, 去除溅射镀制磁盘薄膜的污染物和提高薄膜的均匀性.Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Main bodyWafer size3"～6"PowerSupplyAC200V 3ph 40AWafer per batch1 wafer*two linesCassetteNo.25 wafersCoolingWater15 (l/min)Q'ty1pc.℃Throughput10 (wafer/hr) *1CDA0.5 (MPa)PressureUltimate8×10-5 (Pa) *2>10 (l/min)Process2×10-2 (Pa) *2N20.2 (MPa)EtchingRate>10 (nm/min)@SiO2 *3>40 (l/min)Uniformity±5%@132mm (6") *3Ar0.2 (MPa)Wafer surface temp.℃ *320 (sccm)Stage rotating1～20 (rpm) ±5%He0.2 (MPa)Stage tilting±90°±0.5°20 (sccm)DimensionW×D×H (mm)Main body1,600×2,175×1,900*need additional utilities  for Dry pumpController640×610×1,900Chiller555×515×1,025Weight (kg)Main body1,700Controller200Chiller100*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on process Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 该 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP 380 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 运行结果:1. 有效去除溅射沉积时带来的污染物2. 提高了薄膜磁盘的均匀度3. 获得具有高矫顽力、高剩磁、高稳定性的连续薄膜型的记录介质 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                     

硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度. GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度. 某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现 GMR 磁头均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高 GMR 磁头的加工质量. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生    

某 AI 芯片公司研发部采用伯东 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片, 去除制造过程中产生的污染物, 提高 AI 芯片的表面均匀度. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸片片片样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片蚀刻率20 nm/min温度 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图： Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700. 伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 技术参数:2707-Operating voltage: V DC48 (± 5 %) V DCAr 的压缩比> 1 · 1011Ar 的抽速665 l/sAr 的最终转速时的气体流量3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/sH2 的压缩比4 · 105H2 的抽速555 l/sH2 的最终转速时的气体流量> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/sHe 的压缩比3 · 107He 的抽速655 l/sHe 的最终转速时的气体流量10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/sI/O 接口RS-485, 远程, ProfibusN2 的压缩比> 1 · 1011N2 的抽速685 l/sN2 的最大预真空11 百帕N2 的最终转速时的气体流量6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s不带气镇的最终压力1 · 10-7 百帕允许冷却水的温度15 – 35 °C 摄氏度冷却水消耗最小值100 l/h冷却水耗量100 l/h冷却类型，可选项空气冷却类型，标准水声压水平≤50 dB(A) 分贝 (A)安装方向任何排气连接G 1/8"接口，扩展Profibus方位混合动力最大允许磁场6 mT根据 PNEUROP 的最终压力百帕电子驱动单元带有 TC 400电流最大值8,75 A耗电量 max.420 瓦转速 Â± 2 %49,200 rpm | 49,200 min-1转速可变化60 – 100 %运行时间2 分连接法兰（入口）DN 160 ISO-F连接法兰（出口）DN 25 ISO-KF/G ¼"重量12.1 千克防护等级IP54 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生   

某高端半导体制造公司, 采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.℃ *3Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on processHakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生            

某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度  Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生       

某印刷电路板制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于刻蚀印刷电路板局部表面去除污染物. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 搭配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 有效针对所需区域进行蚀刻, 并避免印刷电路板全面性蚀刻产生的导线暴露于空气中发生的短路异常现象. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生   

某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,离子源ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝 无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生               

某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器LFN 2000 采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                 

某印制板线路板生产工厂采用伯东 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉, 将需要保留的铜保留下来. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on process 该工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 的主要原因:1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率3. 占用空间小4. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上5. 高冷却效果6. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机7. 快速响应时间和本地服务能力, 减少停机时间的工具 工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 运行结果：1. 提高蚀刻过程的均匀性2. 提高精密程度, 提高产线的生产工艺能力3. 提高产线的生产率, 降低劳动强度, 保证生产的连续性 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生              

某厂商研发部门采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削（SPDT）后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片蚀刻率20 nm/min温度 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图： Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700. 通过采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.   若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生      

某研究所在 PZT 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度  Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 研究表面采用伯东 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀工艺后, PZT薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到更好的改善.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生       

在进行镀膜等工艺之前, 对原样品的表面平整度/洁净程度等参数会有不同的要求. 对于不达标的样品需要进行前处理, KRI霍尔离子源可以很好的解决这类的问题. KRI霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作, 很好的处理样品的清洁度/和平整度; 可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 达到清洗前处理的作用. 稳定工艺并提高产品产量. KRI离子源清洗在在真空室中进行, 基板表面清洁后可以立即沉积, 短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁, 生产率更高; 无需基板偏置/无需高压, 消除了大多数腔室壁的溅射, 没有额外的抽空, 很好地提高了整体工艺的效率与质量. 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司客户选用KRI EH1000型霍尔离子源组装磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.离子源清洗样品的示意图：KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷• 高效的等离子转换和稳定的功率控制 KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:型号eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO供电DC magnetic confinement  - 电压40-300V VDC  - 离子源直径~ 5 cm  - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置-  - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode  - 离子束发散角度> 45° (hwhm)  - 阳极标准或 Grooved  - 水冷前板水冷  - 底座移动或快接法兰  - 高度4.0'  - 直径5.7'  - 加工材料金属电介质半导体  - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors  - 安装距离10-36”  - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder 上海伯东是美国 考夫曼离子源在中国的总代理商.上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.我们真诚期待与您的合作！若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生  

伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) 大中国区总代理. 美国考夫曼公司 KRI 霍尔离子源控制器已成功替换取代 Veeco Commonwealth 控制器, 完全不需更改任何镀膜机计算机程序及相关设定即可直接运做. KRi (考夫曼) 霍尔源控制器有全自动控制器 (Auto Controller), 灯丝控制器 (Filament Controller),阳极控制器 (Discharge Controller), 运作时选择全自动匹配 (Auto Gas), 半自动 (Manual Gas) 匹配及全手动匹配 (Gas Only) 三种操作选项. 在全自动逼配模式自动控制器依照客户所设定之阳极电流 (Vd) 及阳极电压 (ID) 自动调整气体以维持工艺所需要的离子束能量. 全自动控制器可以记忆四组离子参数, 工艺中更换参数组别时可以在离子束点火中直接切换参数组别, 不需重新熄火做点燃离子束, 以达到最稳定的离子束状 态. 实际案例:设备: 1.3 米镀膜机.基材: 塑料护目镜.离子源条件: Vb:140V(离子束阳极电压), Ib:2.5A(离子束阳极电流), O2 gas: 9sccm(氧气).图片: 上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国 KRI 霍尔离子源全自动匹配, 四组参数记忆, 可同时控制四种气体流量的设计, 绝对可以提供更方便的操做及获得更稳定的离子束.可以完全替换 Veeco, Commonwealth, 国产霍尔离子源控制器. KRI 霍尔离子源控制器 (End Hall Controller) 型号: 全自动控器 (Auto controller), 灯丝控制器(Filament Controller), 阳极控制器 (Discharge Controller) 上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生         

伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) 大中国区总代理. 美国考夫曼公司中空阴极中和器霍尔离子源 EH 3000HC已成功被应用于应用于直径 2.2米天文望远镜镜片离子辅助镀膜工艺 (Ion Beam Assisted Deposition, IBAD). EH 3000HC 离子束具有业界中最高广角的涵盖面积及最高密度的离子浓度, 在离子辅助镀膜工艺镀膜中可以获得高均匀性及高致密性的膜层. 实际案例:设备: 3米蒸镀镀膜机.基材: 2.2米天文望远镜镜片.离子源条件: Vb: 120V(离子束阳极电压), Ib: 14A(离子束阳极电流), O2 gas: 45sccm(氧气).图片:KRI 霍尔离子源 eH 3000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源.尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性• 水冷 - 加速冷却• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便• 高效的等离子转换和稳定的功率控制 上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国 KRI 霍尔离子源已广泛应用于离子辅助镀膜应用(IBAD), 高密度的离子浓度, 广角度涵盖面积的离子束, 可控制离子的强度及浓度可获得高质量的膜层抛. KRI 霍尔源系列可依客户镀膜机尺寸及基材尺寸及工艺条件选择相关型号:KRI End Hall (霍尔离子源) 型号: EH400, EH1000, EH2000, EH3000. 上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生             

光学镀膜在我们生活中无处不在, 从精密及光学设备/ 显示器设备到日常生活中的光学薄膜应用; 比如说, 平时戴的眼镜/ 数码相机/ 各式家电用品, 或者是钞票上的防伪技术, 皆能被称之为光学薄膜技术应用之延伸. 倘若没有光学薄膜技术作为发展基础, 近代光电/ 通讯或是镭射技术将无法有所进展, 这也显示出光学薄膜技术研究发展的重要性. 为了提高薄膜的品质，镀膜制造商一般会采用离子源进行辅助镀膜, 如下图 随着对镀膜品质要求的不断提升, 使用霍尔离子源辅助镀膜已经无法满足高端镀膜应用市场, 国内某知名 LED 制造商经过我司推荐采用射频离子源 RFICP 325 安装在 DBR 生产设备 1650 mm 蒸镀机中. 成功实现高端光学镜头镀膜并通过脱膜测试!上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325客户案例: 国内某知名 LED 制造商1. 离子源应用: LED-DBR 镀膜生产.2. 系统功能: 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.3. 离子源: 采用美国 KRI 射频离子源 RFICP 325. 离子源 RFICP 325 提供的离子束 (不论是离子能量还是离子密度) 均是目前业界较高等级, 离子源 RFICP 325 特殊的栅极设计 E22 Grided 可以涵盖 1650 mm 尺寸的蒸镀机中大范围的载具 substrate holder, 无论是生产良率或是均匀性都可达到最高生产效能.4. 离子源功能: 通过射频离子源 RFICP 325 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的 LED-DBR 无论是亮度测试, 脱膜测试, 顶针测试, 光学特性等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源.上海伯东射频离子源安装案例: KRI RFICP 325 射频离子源安装于 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.KRI 射频离子源测试案例: LED-DBR 脱膜测试.1. 在高倍显微镜下检视脱膜测试2. 测试结果--------- 使用其他品牌离子源---     --------------------- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国考夫曼离子源, 样品无崩边伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生 

离子束抛光是一种超精密的光学加工技术. 与传统抛光工艺不同的是, 离子束抛光一种原子量级上的无应力/ 非接触式抛光. 离子束抛光可用于制作超光滑表面, 目前, 离子束抛光的光学元件均方根RMS精度最高可达0. 1~0. 2纳米. 由于它具备高精度/ 无损伤和超光滑等优点, 离子束抛光技术被广泛应用于精密光学元件加工和制造, 特别是高端光 学元件加工. 其基本原理是, 在真空状态下利用具有一定能量的惰性气体（比如氩气）离子轰击工件表面, 通过物理溅射效应去除表面材料. 这种加工方式避免了传统工艺中因预压力所产生的表面或亚表面损伤, 同时由于真空环境洁净度很高, 加工过程中不会引入杂质污染. 在现有的离子束抛光设备中, 离子束轰击在光学元件上的方式有两种. 第一种是离子源发出的离子束直接轰击在光学元件上, 第二种是离子源发出的离子束经由一具有固定形状通孔的挡板后, 成为具有一定横截面形状且强度比较均匀的离子束, 而后轰击在光学元件上. 相比于第一种方式, 第二种方式可控性强, 抛光效果好, 已经成为离子束抛光普 遍采用的设备. 美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (考夫曼栅极离子源), KDC (直流电源式考夫曼离子源) 已成功被应用于光学镀膜离子束抛光机 (IBF Optical coating) 及晶体硅片离子束抛光机 (IBF Clrystalline)工艺. 考夫曼公司离子源可变离子的强度及浓度, 控制抛光刻蚀速率更准确使在抛光后的基材上获得更平坦均匀性高的薄膜表面. 内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 实际案例一:基材: 100mm 光学镜片.离子源条件: Vb:800V(离子束电压), Ib:84mA(离子束电流), Va:-160V(离子束加速电压), Ar gas(氩气). 实际案例二:基材: 300mm晶体硅片离子源条件: Vb:1000V(离子束电压), Ib:69mA(离子束电流), Va:-200V(离子束加速电压) Ar gas(氩气). 实际安装案例一:KRI 考夫曼离子源 KDC10 使用于光学镀膜离子束抛光机 实际安装案例二:KRI 考夫曼离子源 KDC40 使用于晶体硅片离子束抛光机 伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) 大中国区总代理. 上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                 

随着科技水平的快速发展, 科技美容这一行业做为新型产业新生而出. 时尚IT品牌随着市场的多元化发展. 针对手机品牌和功能的增加而呈多样化, 将手机保护壳按质地分有PC壳, 皮革, 硅胶, 布料, 硬塑, 皮套, 金属钢化玻璃壳, 软塑料, 绒制, 绸制等品类. 手机保护壳不仅作为装饰品让您的手机成为一道风景, 更能保护手机, 防摔/ 防刮/ 防水和防震! 随着手机的普及, 人们对手机壳美学要求的越来越高, 现有的单一颜色的手机壳难以满足人们日益提高的美学要求, 为了使手机壳更加美观, 颜色更加丰富, 会对手机壳做镀膜工艺处理. 手机壳镀膜的原理, 镀膜是当光线进入不同传递物质时(如由空气进入玻璃)，大约有5％会被反射掉，在光学瞄准镜中有许多透镜和折射镜，整个加起来可以让入射光线损失达30％至40％。现代光学透镜通常都镀有单层或多层氟化镁的增透膜，单层增透膜可使反射减少至1.5％，多层增透膜则可让反射降低至0.25％，所以整个瞄准镜如果加以适当镀膜，光线透穿率可达95％。镀了单层增透膜的镜片通常是蓝紫色或是红色，镀多层增透膜的镜片则呈淡绿色或暗紫色。 但是, 目前市面上在对手机壳镀膜处理前对手机壳进行预处理的方式并不完善, 导致手机壳在镀膜后容易出现镀膜不均匀的情况, 镀膜较薄处容易在手机壳的使用途中产生划痕, 而且碰撞时, 镀膜较薄处更容易变形. 因此, 某知名手机镀膜制造商希望通过采用离子源辅助镀膜机来改善手机壳镀膜的质量, 提高生产率. 经过我司推荐采用大尺寸KRI 考夫曼离子源 EH 5500 安装于生产设备 2050 mm 蒸镀机中, 实现 LED-DBR 离子辅助镀膜, 大大提高了镀膜质量和提高生产率. KRI 考夫曼离子源客户案例: 国内某知名手机镀膜制造商1. 离子源应用: 手机壳颜色镀膜.2. 系统功能: 2050 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.3. 离子源: 采用美国KRI 考夫曼离子源 KRi EH 5500. 离子源 EH 5500 提供的离子束 (不论是离子能量还是离子密度) 均是目前业界最高等级, 离子源 EH 5500 大尺寸的离子枪本体设计所产生超广角的离子束涵盖面积及高均匀度的离子浓度分布可以涵盖 2050 mm 尺寸的蒸镀机中大范围的载具 (substrate holder), 无论是生产良率或是均匀性都可达到最高生产效能.4. 离子源功能: 通过 KRI EH 5500 霍尔源实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的手机壳颜色镀膜及 3D 玻璃镀膜无论是环境脱膜测试, 耐刮测试, 膜层应力测试等等̷ 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源. 上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 EH 5500 优点:1.离子浓度, 高离子能量, 离子束涵盖面积广2.气体分子离子转化率高, 离子束工作稳定3.镀膜均匀性佳, 提高镀膜品质4.模块化设计, 保养快速方便5.增加薄膜附着性, 增加光学膜后折射率6.全自动控制设计, 操作简易7.低耗材成本, 安装简易                    EH 5500 离子源本体                     EH 5500 离子源控制器 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生    

光学镀膜是指在光学零件表面上镀上一层(或多层)金属(或介质)薄膜的工艺过程. 在光学零件表面镀膜的目的是为了达到减少或增加光的反射/ 分束/ 分色/ 滤光/ 偏振等要求. 常用的镀膜法有真空镀膜(物理镀膜的一种)和化学镀膜. 光学薄膜技术的普遍方法是借助真空溅射的方式在玻璃基板上涂镀薄膜, 一般用来控制基板对入射光束的反射率和透过率, 以满足不同的需要. 为了消除光学零件表面的反射损失, 提高成像质量, 涂镀一层或多层透明介质膜, 称为增透膜或减反射膜. 随着激光技术的发展, 对膜层的反射率和透过率有不同的要求, 促进了多层高反射膜和宽带增透膜的发展. 为各种应用需要, 利用高反射膜制造偏振反光膜/ 彩色分光膜/ 冷光膜和干涉滤光片等.光学薄膜是改变光学零件表面特征而镀在光学零件表面上的一层或多层膜. 可以是金属膜/ 介质膜或这两类膜的组合. 光学薄膜是各种先进光电技术中不可缺少的一部分, 它不仅能改善系统性能, 而且是满足设计目标的必要手段, 光学薄膜的应用领域设及光学系统的各个方面.它们在国民经济和国防建设中得到了广泛的应用, 获得了科学技术工作者的日益重视.  光学镀膜机适合镀制多种光学膜. 如望远镜/ 眼镜片/ 光学镜头/ 冷光杯等, 配置不同的蒸发源及膜厚仪, 可镀制多种膜系, 对金属/ 氧化物/ 化合物及其他高熔点膜材皆可蒸镀, 并可在玻璃表面镀超硬膜.  KRI 考夫曼霍尔离子源辅助光学镀膜 在光学镀膜中, 为了提高折射率（填充密度）/ 减少波长漂移/ 减少红外波段的水气吸收/ 增强了膜层的结合力/ 耐摩擦能力/ 机械强度/ 提高表面光洁度/ 控制膜层的应力/ 减少膜层的吸收和散射/ 提高生产效率, 镀膜厂商会把离子源用于光学镀膜机上辅助光学镀膜. 离子源类型虽多, 目的却无非在线清洗, 改善被镀表面能量分布和调制增加反应气体能量. 离子源可以大大改善膜与基体的结合强度, 同时膜本身的硬度与耐磨耐蚀特性也会改善.  某厂商为了提供镀膜的质量和提高生产效率, 需要在镀膜机上搭配离子源, 通过沟通了解到客户的要求及使用环境, 伯东工程师为客户推荐KRI考夫曼霍尔离子源 EH1020 F, 并帮忙客户把离子源安装在1400 mm 蒸镀镀膜机, 应用于塑料光学镀膜.  伯东公司 KRI 考夫曼霍尔离子源光学蒸镀镀膜机应用 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等. 美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性:1.无栅极2.高电流低能量3.发散光束 >454.可快速更换阳极模块5.可选 Cathode / Neutralize 中和器 常见蒸镀机台与对应 KRI 霍尔离子源型号：蒸镀机台尺寸KRI 离子源~1100mmeH10101100~1400mmeH1010, eH10201400~1900mmeH1020, eH3000KRI 考夫曼霍尔离子源controller 自动化控制及联机自动化设计, 提供使用者在操作上更是便利.KRI 考夫曼霍尔离子源 Gun body 模块化之设计/ 提供使用者在于基本保养中能够降低成本及便利性.伯东公司客户 1400 mm 蒸镀镀膜机安装 KRI考夫曼霍尔离子源 EH1020 F, 应用于塑料光学镀膜.KRI 考夫曼霍尔离子源 EH1020 主要参数:Filament ControllerDischarge controllerGas controller17.2A/ 22V150V/ 4.85AAr/ 32sccm 利用 KRI 考夫曼霍尔离子源辅助镀膜及无离子源辅助镀膜对镀膜质量之比较：KRI EH1020 辅助镀膜无 Ion Source 辅助镀膜盐水煮沸脱膜测试优劣破坏性百格脱膜测试优劣光学折射设率高低膜层致密性优劣膜层光学吸收率无有制程腔体加热温度低高生产成本低高 KRI 考夫曼霍尔离子源系列主要型号包含：离子源 eH200离子源 eH400离子源 eH1010离子源 eH1020离子源 eH3000CathodeFilament or Hollow cathodeFilament or Hollow cathodeFilament or Hollow cathodeFilament or Hollow cathodeHollow cathodeWater Cooled AnodenononoyesnoDischarge Currentmax2 A3.5 (7) A10 (7) A10 (20) A20 (10) ADischarge  Voltagemax300 V300 (150) V300 (150 ) V300 (150) V250 (300) VDischarge  Voltagemin40* V40* V40* V40* V40* VDivergence (hmhw)45°45°45°45°45°Height (nominal)2.0”3.0”4.0”4.0”6.0”Diameter (nominal)2.5”3.7”5.7”5.7”9.7” KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列主要应用1.辅助镀膜 IBAD2.溅镀&蒸镀 PC3.表面改性、激活 SM4.沉积 (DD)5.离子蚀刻 LIBE6.光学镀膜7.Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)8.Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

随着科学技术的发展, 光学镀膜被广泛应用, 例如玻璃镀膜, 镜片镀膜, 显微镜镜片镀膜, 装饰灯罩镀膜, 但镀膜制程中, 比较容易出现膜层不均匀, 或是产品膜层脱落的现象, 因此离子辅助镀膜 IBAD应运而生. IBAD, 也叫离子束辅助沉积(lon Beam Assisted Depositon 或Ion Beam Enhanced Deposition, 是把离子束注入与气相沉积镀膜技术相结合的复合表面离子处理技术, 也是离子束表面处理优化的新技术. 这种复合沉积技术是在离子注入材料表面改性过程中, 使膜与基体在界面上由注入离子引发的级联碰撞造成混合, 产生过渡层而牢固结合. 因此在沉积薄膜的同时, 进行离子束轰击便应运而生. 因此它是离子束改性技术的重要发展, 也是离子注入与镀膜技术相结合的表面复合离子处理新技术. 在材料的腐蚀防护/ 装饰等方面获得工业应用. 伯东美国 KRI考夫曼离子源可以辅助可以有效镀膜 IBAD用于预清洁 PC, 可以有效防止出现膜层不均匀, 从而防止产品膜层脱落的现象, 因此美国 KRI 考夫曼霍尔型离子源广泛加装在各类蒸发镀膜机中. 离子源辅助镀膜客户案例一: 厦门某光学镀膜企业, 该企业使用日本 Shincron 真空镀膜机, 镀膜腔体约 2 m3, 镀膜机加装 KRI 霍尔离子源 EH 4200 起到预清洁 PC及辅助镀膜 IBAD 的作用.离子源辅助镀膜具体操作, 霍尔离子源预清洁 PC +辅助镀膜 IBAD: 由于膜层表面很光滑,在镀膜时会产生膜层脱落现象, 预清洁就是将膜层表面用大的离子如 Ar 打击表面, 使得制程物能有效的吸附在表面上. 加装KRI霍尔离子源起到预清洁作用, 在预清洁后开启离子源辅助镀膜 IBAD, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.工作示意图如下, KRI离子源覆盖面使用专业测膜记号笔, 可以明显看出加装 KRI 离子源前后有很大的不同 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列主要应用1.辅助镀膜 IBAD2.溅镀&蒸镀 PC3.表面改性/ 激活 SM4.沉积 (DD)5.离子蚀刻 LIBE6.光学镀膜7.Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)8.Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生     

天文望远镜(Astronomical Telescope)是观测天体的重要工具, 可以毫不夸张地说, 没有望远镜的诞生和发展, 就没有现代天文学. 随着望远镜在各方面性能的改进和提高, 天文学也正经历着巨大的飞跃, 迅速推进着人类对宇宙的认识. 天文望远镜上一般有两只镜筒, 大的是主镜, 是观测目标所用的；小的叫寻星镜, 是寻找目标所用的, 也叫瞄准镜. 目镜是单独的个体, 是决定放大倍率的物品, 目镜上都会有F值, 这是目镜的焦距, 用主镜的F值除以当前使用的目镜的F值, 就是当前的放大倍率, 记住, 放大倍率是标准, 6厘米口径的望远镜的极限放大倍率是120倍左右, 8厘米的倍率最大160倍左右. 望远镜的集光能力随着口径的增大而增强, 望远镜的集光能力越强, 就能够看到更暗更远的天体, 这其实就是能够看到了更早期的宇宙. 天体物理的发展需要更大口径的望远镜. 但是, 随着望远镜口径的增大, 一系列的技术问题接踵而来. 一方面, 望远镜的自重过大会使镜头变形相当明显, 另一方面, 镜体温度不均也令镜面产生畸变, 进而影响成像质量. 所以为了特殊的天文望远镜镜片需求，往往对镜片进行的镀膜处理，以得到特殊需求的镜片，而为了保证镀膜质量，需要用到离子源进行辅助镀膜，以保障镜片镀膜的品质。上海伯东代理美国 KRI 大尺寸霍尔离子源 EH 3000 HC, 离子束具有业界中最高广角的涵盖面积及最高密度的离子浓度, 在离子辅助镀膜工艺中 Ion Beam Assisted Deposition, IBAD 可以获得高均匀性及高致密性的膜层. EH 3000 HC 近日成功应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片. 通过使用上海伯东 KRI 离子源镀全反射膜, 高均匀性及高致密性的膜层可以保障光源有效反射, 尽可能减少吸收. 直径 2.2m 镀膜腔, 仅需安装1台 EH 3000 HC 霍尔离子源, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本!上海伯东离子源蒸镀典型案例: 根据客户 2.2m 镀膜腔体尺寸, 基材尺寸和工艺条件, 推荐选用霍尔离子源 EH 3000 HC, 配置中空阴极, 中和器, 自动控制器1. 设备: 2.2m 蒸镀镀膜机.2. 基材: 1.5m 天文望远镜镜片镀铝 Al, 最外层镀一层二氧化硅 SiO2, 做为保护膜3. 离子源条件: Vb:120V ( 离子束阳极电压 ), Ib:14A ( 离子束阳极电流 ), O2 gas:45sccm( 氧气 ).4. 离子源应用: 天文望远镜镜片镀全反射膜, 约3个小时; 保障光源有效反射, 尽可能减少吸收.霍尔离子源 EH 3000 HC 主要技术参数 类似应用: 汽车头灯模块镀全反射膜, 使发光源的光全部反射出去照亮 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 3000 特性：1.水冷 - 加速冷却2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便5.高效的等离子转换和稳定的功率控制美国 KRi 霍尔离子源凭借高密度的离子浓度, 广角度涵盖面积的离子束, 可控制离子的强度及浓度, 已广泛应用于离子辅助镀膜 IBAD , 获得高质量的膜层. 上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸及工艺条件选择对应型号: EH 400, EH 1000, EH 2000, EH 3000. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生           

在200mm晶圆时代, 介质、多晶以及金属刻蚀是刻蚀设备的三大块. 进入300mm时代以后, 随着铜互连的发展, 金属刻蚀逐渐萎缩, 介质刻蚀份额逐渐加大. 介质刻蚀设备的份额已经超过50%以上. 而且随着器件互连层数增多, 介质刻蚀设备使用量就越大. 为了适应工艺发展需求, 各家设备厂商都推出了一系列的关键技术来满足工艺需求. 主要有以下几类:1:双区进气+additional Gas: Additional Gas的目的是通过调节内外区敏感气体的量提高整个刻蚀均一性, 结果比较明显.2:等离子体技术: 等离子体密度和能量单独控制3:等离子体约束: 减少Particle, 提高结果重复性4:工艺组件: 适应不同工艺需求, 对应不同的工艺组件, 比如不同的工艺使用不同的Focus Ring5: Narrow Gap: 窄的Gap设计可以使得电子穿过壳层, 中和晶圆上多余的离子, 有利于提高刻蚀剖面陡直度.6:反应室结构设计；由200mm时的侧抽, 改为下抽或者侧下抽. 有利于提高气流均一性. 随着工艺的发展需求, 离子源被逐渐用于刻蚀设备，上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE. 霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.样品尺寸: 2英寸硅芯片.刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内离子源 EH400HC 自动控制单元霍尔离子源 EH400HC 通氩气对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec霍尔离子源 EH400HC 特性:1. 高离子浓度, 低离子能量2. 离子束涵盖面积广3. 镀膜均匀性佳4. 提高镀膜品质5. 模块化设计, 保养快速方便6. 增加光学膜后折射率 (Optical index)      7. 全自动控制设计, 操作简易8. 低耗材成本, 安装简易 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生   

美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (栅极离子源) 系列 RFCIP离子源  (射频电源式考夫曼离子源), KDC 离子源 (直流电源式考夫曼离子源) 已广泛被应用于离子溅射镀膜 (IBSD) 工艺. 离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电, 产生正的气体离子；在阴极（靶）和阳极（试样）间电压的加速作用下, 荷正电的离子轰击阴极表面, 使阴极表面材料原子化；形成的中性原子, 从各个方向溅出, 射落到试样的表面, 于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜. 伯东 KRI考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射 (Sputtering) 时靶材 (Target) 被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射 (Sputtering) 工艺条件选择 RFICP 离子源 (射频电源式考夫曼离子源) 或是 KDC 离子源 (直流电原式考夫曼离子源).规格如下:RFCIP 离子源 (射频式考夫曼离子源) : RFICP 40, RFICP 100, RFICP 140, RFICP 220, RFICP 380 KDC 离子源 (直流式考夫曼离子源): KDC10, KDC40, KDC75, KDC100, KDC160. 伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, Gel-Pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生  

随着5G技术的快速发展, 陶瓷将凭借它无信号屏蔽以及良好的机械性能成为5G时代最受关注的材料, 未来陶瓷的市场前景将非常广阔. 而陶瓷产品的表面处理就需要到PVD镀膜工艺. 目前, 陶瓷产品的镀膜工艺以蒸镀和溅射镀为主, 在陶瓷产品上镀 Logo 或颜色膜以及AF处理. 案例一: KRI霍尔离子源辅助真空蒸发镀膜, 用于镀件表面清洁 真空蒸发镀膜是在真空条件下, 加热蒸发物质使之气化并沉淀在基片表面形成固体薄膜. 真空蒸发镀膜的基本工艺流程: 镀前准备→抽真空→离子轰击→烘烤→预熔→蒸发→取件→膜层表面处理→成品真空蒸发镀膜的工艺流程图 真空蒸发镀膜的工艺流程中, 就是由KRI霍尔离子源产生的离子轰击进行镀件表面清洁的离子 案例二: KRI  射频离子源辅助磁控溅射镀膜 磁控溅射镀膜原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞, 电离出大量的氩离子和电子, 电子飞向基片. 氩离子在电场的作用下加速轰击靶材, 溅射出大量的靶材原子, 呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜.磁控溅射镀膜工艺流程图 KRI 射频离子源主要是用在磁控溅射镀膜工艺的第五步, 对靶材进行轰击. 使用伯东 KRI离子源用于辅助5G技术-陶瓷手机盖板镀膜, 保证陶瓷手机盖板镀膜的质量, 提高生产率. 通过市场证明, KRI离子源实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的陶瓷手机盖板镀膜无论是环境脱膜测试, 耐刮测试, 膜层应力测试等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生    

离子刻蚀是利用众所周知的阴极溅射效应对表面进行选择性的剥离加工. 由于轰击粒子小和离子刻蚀过程的计量极为精确, 因此, 用这种方法加工表面, 使表面溶解深度在单原子层范围内. 离子刻蚀可用来清洗, 抛光或进行薄刻蚀. 简单的说利用离子轰击作用, 对材料表面进行刻蚀的过程. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 系列已广泛被应用于离子刻蚀 (IBE) 工艺. 伯东 KRI 离子源考夫曼离子源具有高离子浓度 (High beam currents) 及低离子能量 (Low beam energies). 此两个特殊条件对于刻蚀效率及刻蚀中避免伤害到工件表面材质可以达到优化. 并且可以依客户之工件尺寸选择所对应之型号: 射频离子源 RFICP 380, 射频离子源 RFICP 220, 射频离子源 RFICP 140, 射频离子源 RFICP 100, 射频离子源 RFICP 40  伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生            

KRI 离子源作为一种新的材料加工技术, 用于真空环境中以沉积薄膜, 干法蚀刻纳米结构并改变表面性能. KRI 离子源的应用稳步增长. 随着人们对离子束工艺优点的认识不断提高, 工艺工程师和研究人员已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源的情况下是无法实现的. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中, 在各个行业中都发挥着重要作用: 1.镀膜行业. KRI 离子源精确的薄膜控制, 厚度为几个单层的薄膜. 2. 半导体. 金属涂层可重现的附着力, 可用于高产剥离工艺. 3.辅助刻蚀. KRI 离子源辅助蚀刻均匀性和临界尺寸, 蚀刻后的晶片具有均匀性和临界几何尺寸. 4. 显示器. KRI 离子源辅助显示器镀膜, 可以更好表面修饰和纹理化, 以放大表面功函数. 5. 运用 KRI 离子源辅助精密光学器件镀膜, 具有优化的折射率和低吸收率的致密且稳定的薄膜. 6. 磁性数据存储. 金属和电介质多层堆叠中的纳米特征的各向异性和均匀蚀刻. 7. KRI 离子源用于镜片镀膜. 高通量制造可粘附在塑料镜片上的耐用增透膜. 8. KRI 离子源用于医疗设备, 表现出可设计的生物活性的坚硬且耐腐蚀的有机涂层. 9. KRI 离子源用于光子学和激光, 可得到平滑, 低散射和光学纯净的膜, 具有较高的激光诱导损伤阈值. 除了以上领域, KRI 离子源还运用更广泛的领域. KRI 离子源提供了超过25年商业离子, 等离子和电子源设备的许可协议, 与它的客户, 谁制造和销售的产品. 2002年, KRI 修改了业务模式, 并凭借自己的离子, 等离子体和电子源产品进入了市场. KRI 离子和电子源设计取得了巨大的商业成功, 通过授权客户运送了3500多个离子源. KRI 离子源是领域公认的领导者, 我们已获得许多专利. 伯东公司为 KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生