上海伯东提供无损泄漏检测完整的产品线 上海伯东提供无损泄漏检测完整的产品线, 不论是检漏系统, 还是单机检漏, 均可满足！产品包含氦质谱检漏仪, 氦质谱检漏系统, 微流量空气泄漏测试仪, 氦气回收装置等. 适用于汽车行业, 科研, 制药, 半导体, 工业等各个领域. 上海伯东为每个客户提供客制化无损泄漏检测方案, 并提供持续的售后服务支持.* 氦质谱检漏仪 ** 氦质谱检漏系统 *漏率范围: 真空模式: 1X10-12 mbar l/s                吸枪模式: 1X10-8 mbar l/s特点: 利用氦气作为示踪气体, 可精确定位, 定量漏点应用: 电厂检漏, 真空炉检漏, 镀膜机检漏, 压力容器检漏 >>主要型号: ASM 340, ASM 310, ASM 390, ASI 35漏率范围: 真空模式: 1X10-12 mbar l/s                吸枪模式: 1X10-8 mbar l/s特点: 客制化设计, 批量产品检漏, 节省时间应用: 空调制冷, 燃料箱, 电压开关装置 >> * 微流量空气泄漏测试仪 ** 零件检漏系统 *漏率范围: 真空: 7X10-7 sccs（≈ 1 X10-7 mbar l/s)                压差: 5X10-4 sccs（≈ 5 X10-4 mbar l/s)特点: 获得 SAE, USP (1207), 美国 FDA ASTM (F3287-17) 等认证. 专利 Micro-Flow 微流空气泄漏试验技术 主要型号: VE2, ME2, E-PDQ应用: 制药包装 CCIT, 汽车燃油管, 消费电子 IP 防水测试漏率范围: >= 1X10-5 mbar l/s特点: 将工件放置于测漏平台上, 按下启动钮, 无须喷氦气, 无须充气, 测试完成后显示待测物漏率, 判定合格或不合格 型号: Hakuto-Dan-100应用: 汽车零件检漏. * 氦气回收系统 ** 公司一览 *氦气回收系统 - 智能型氦液化器, 提供智能化液氦回收解决方案为每个客户提供客制化泄漏检测方案, 并提供持续的售后服务支持燃料电池车载供氢系统检漏 应用于氢燃料电池车的车载供氢系统检漏, 氢气储存于 35Mpa 或 70Mpa 高压气瓶中, 单个气瓶泄漏出的氢气浓度必须小于 6 ppm, 采用正压法检漏. 漏率设置 1x10-6 mbal l/s.选用型号: ASM 340CVD 钻石长晶炉检漏 应用于 CVD 人造钻石生产设备长晶炉检漏, 采用负压法对 Seki 长晶炉设备真空腔和气体供应系统进行检漏, 漏率设置 1x10-8 mbal l/s.选用型号: ASM 340 D制药包装完整性检漏 通过使用 ATC 空气泄漏测试仪精密测试无菌药品密闭容器的完整性 CCIT, 防止微生物, 水分, 氧气等侵入. 适用于肠外注射小瓶和载药注射器, 药管和自动注射装置, 医用小瓶, 西林瓶, 静脉输液袋, 血袋,一次性柔性袋, 密封袋和吸入器等的密封完整性测试. 可检测 选用型号: VE2汽车燃油箱检漏系统 应用于汽车油箱检漏系统, 该套定制检漏系统可用于汽车燃油箱及管路等检漏, 真空箱式检漏系统, 单次检测2个汽车油箱, 测试油箱的整体漏率值, 漏率要求 -6mbar l/s.若您需要进一步的了解无损泄漏检测产品, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士                                  台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw上海伯东版权所有, 翻拷必究！   

安徽某晶体厂商采用 hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 刻蚀滤波器钽酸锂晶片, 采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题, 使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数: Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器LFN 2000 晶体滤波器的用途越来越广泛, 尤其在通信机和雷达设备中, 都需要高频率、大带宽的晶体滤波器. 目前,晶体滤波器使用的主要材料是石英晶体, 由于其具有高品质因数(Q)值、良好的温度稳定性和时间稳定性, 在精度要求很高的窄带滤波器中具有很大的优越性. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

德国 Pfeiffer 推出新型号涡轮分子泵 HiPace 350, HiPace 450.上海伯东德国 Pfeiffer 推出全新型号涡轮分子泵 HiPace 350 和 HiPace 450, 重量轻且占地面积小. 结构紧凑, 大功率设计, 针对小分子气体具有强大的抽吸能力! Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace系列获得 Semi S2, UL, CSA 和 Nema 12 认证. 特别适用于质谱分析, 电子显微术, 测量技术, 粒子加速和等离子体物理方面的应用. 除了用于分析, 真空工艺和半导体技术外, 还可用于真空镀膜, 研发以及工业领域.涡轮分子泵 HiPace 350, HiPace 450 特性 运行频率高达 1100hz 的同时, 满足重量轻, 占地面积小 针对小分子气体具有强大的抽吸能力 低振动 油润滑代替脂润滑 获得 Semi S2, UL, CSA 和 Nema 12 认证涡轮分子泵 HiPace 350 和 HiPace 450 技术参数型号接口抽速 l/s压缩比最大气体负载mbar l/s前级真空度hPa尺寸mm重量kgHiPace 350DN 100氮气 300氦气 350氢气 300氮气 >1011氦气 >108氢气 >107氮气 2氦气 7氢气 11氩气 0.710高度: 228直径:167.57.2HiPace 450DN 160氮气 380氦气 380氢气 340氮气 >1011氦气 >108氢气 >107氮气 2氦气 7氢气 11氩气 0.710高度: 187直径:1807HiPace 700DN 160氮气 685氦气 655氢气 555氮气 >1011氦气 >107氢气 >105氮气 6.5氦气 20氢气 14氩气 3.511高度: 181直径:20812.1Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 系列转子结构特殊设计, 对小分子气体的抽吸能力更大, 前级真空泵兼容性广泛,任意方向安装, 分子泵具有极佳的性价比和灵活性！ 若您需要进一步的了解分子泵信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109

hakuto 离子刻蚀机 10IBE 用于多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究南京某材料科学学院结合 SiO2 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的损失层, 优化了多晶黑硅结构. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除损伤层, 保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀在高压、大功率器件及集成电路中, 铝布线要求能够承受高压、大电流, 在恶劣的环境下具备良好的可靠性, 因此需要一定厚度的铝. 沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却,离子源? 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某研究所在 PZT 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度  Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 研究表面采用伯东 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀工艺后, PZT薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到更好的改善.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体某厂商研发部门采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削（SPDT）后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片蚀刻率20 nm/min温度 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图： Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700. 通过采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.   若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100用于蚀刻覆铜板某印制板线路板生产工厂采用伯东 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉, 将需要保留的铜保留下来. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on process 该工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 的主要原因:1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率3. 占用空间小4. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上5. 高冷却效果6. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机7. 快速响应时间和本地服务能力, 减少停机时间的工具 工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 运行结果：1. 提高蚀刻过程的均匀性2. 提高精密程度, 提高产线的生产工艺能力3. 提高产线的生产率, 降低劳动强度, 保证生产的连续性 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  用于光学器件精密加工某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器LFN 2000 采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却,离子源? 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝 无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE 去除印刷电路板污染物某印刷电路板制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于刻蚀印刷电路板局部表面去除污染物. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 搭配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 有效针对所需区域进行蚀刻, 并避免印刷电路板全面性蚀刻产生的导线暴露于空气中发生的短路异常现象. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 应用于碲镉汞晶体电学特性研究某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度  Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某高端半导体制造公司, 采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.℃ *3Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on processHakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度. GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度. 某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某薄膜磁盘制造采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘, 去除溅射镀制磁盘薄膜的污染物和提高薄膜的均匀性.Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Main bodyWafer size3"～6"PowerSupplyAC200V 3ph 40AWafer per batch1 wafer*two linesCassetteNo.25 wafersCoolingWater15 (l/min)Q'ty1pc.℃Throughput10 (wafer/hr) *1CDA0.5 (MPa)PressureUltimate8×10-5 (Pa) *2>10 (l/min)Process2×10-2 (Pa) *2N20.2 (MPa)EtchingRate>10 (nm/min)@SiO2 *3>40 (l/min)Uniformity±5%@132mm (6") *3Ar0.2 (MPa)Wafer surface temp.℃ *320 (sccm)Stage rotating1～20 (rpm) ±5%He0.2 (MPa)Stage tilting±90°±0.5°20 (sccm)DimensionW×D×H (mm)Main body1,600×2,175×1,900*need additional utilities  for Dry pumpController640×610×1,900Chiller555×515×1,025Weight (kg)Main body1,700Controller200Chiller100*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on process Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 该 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP 380 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 运行结果:1. 有效去除溅射沉积时带来的污染物2. 提高了薄膜磁盘的均匀度3. 获得具有高矫顽力、高剩磁、高稳定性的连续薄膜型的记录介质 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却,离子源? 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架 试验结果:Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持刻蚀室的真空度.其产品优势:1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N2 时的高抽速可达 685 l/s2.佳真空性能，低功耗3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 4004.可在任何方向安装5.带有集成型水冷系统以保证大气体流量6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接7.广泛的配件扩展使用范围 运行结果:1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.  若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀. Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. 运用结果：1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率2. 晶圆的均匀度得到良好提高3. 晶圆的加工质量得到明显提高 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE , 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀 , 即使对磁性材料 , 金铜镍银铂等金属及复合半导体材料 , 这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀 .伯东离子刻蚀机 IBE 组成主要包含真空刻蚀腔体 , 样品台 , 离子源等 . 其配置如下 ：一. 真空腔体伯东离子刻蚀机 IBE 的真空刻蚀腔体配置的是德国 Pfeiffer 分子泵 .Pfeiffer 分子泵抽速范围 10 至 2700 L/S , 转速高 90,000 rpm , 极限真空 1E-11 mbar , 能满足各种各样真空度要求 . 伯东是 Pfeiffer Vacuum 德国普发真空产品授权代理商 , 销售维修普发 Pfeiffer 真空产品已超过 20 年 . 二. 离子源伯东离子刻蚀机 IBE 配置的美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼 离子源 .可选的离子源包括 ：射频离子源 : RFICP380 , RFICP220 , RFICP140 , RFICP100 , RFICP40考夫曼离子源 : KDC160 , KDC100 , KDC75 , KDC40 , KDC10霍尔离子源 : eH3000 , eH2000 , eH1000 , eH400 , 线性霍尔离子源 eH Linear 伯东公司是美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源亚洲总代理 . 三. 样品台伯东离子刻蚀机 IBE 的样品台可选直接冷却 / 间接冷却 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋转 .其中基片尺寸大小支持 Φ3 inch , Φ4 inch , Φ5 inch , Φ6 inch , Φ8 inch 等各种尺寸 . 伯东离子刻蚀机 IBE 优势 :伯东离子刻蚀机集全球好设备于一身 , 其性能也是优越于市面上绝大部分离子刻蚀机 .1. 刻蚀材料范围广, 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀, 即使对黄金 Au , 铂 Pt , 合金等金属及半导体材料也能提供优质蚀刻2. 均匀性高 , 高达 ≤±5%3. 硅片刻蚀率可达 20 nm/min4. 样品台冷却方式多 , 可选直接冷却 , 间接冷却5. 样品台可 0-90 度旋转 伯东离子蚀刻机 IBE 包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造 , 已应用于半导体器件 , 集成电路制造 , 薄膜电路 , 印刷电路 , 手机背板镀膜 , 手机广角镜头镀膜等 . 伯东离子刻蚀机 IBE 可选型号有 : 20IBE-J , 20IBE-C , 10IBE , 7.5IBE 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有 , 翻拷必究 ！

在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节. 某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产, 其主要目的是：1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等2. 改善物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 客户存在的问题:客户的背银芯片很容易发生银的硫化及氧化,将直接影响芯片的贴装质量.被硫化或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题. 解决方案:客户采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 产生的离子束清洗芯片背面 运行结果:1. KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 有效去除背银芯片硫化银及氧化银, 保证了芯片贴装质量2. 可有效提高 DC/DC 混合电路组装质量及可靠性  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪消费电子防水测试 上海伯东美国原装进口 ATC 微流量空气泄漏测试仪, 适用于消费电子产品防水 IP等级测试. 比如耳机, 麦克风, 扬声器, 智能手机,手表等, 由于功能要求, 大部分消费电子产品没有完全密封, 需要空气通过或者需要保持恒定的压力和热量, 必须留有通风口, 这些产品通常使用 ePTFE 膜进行防护, 同时需要进行防水无损检测, 避免因汗液, 雨水, 空气湿度等因素影响使用性能. ATC 微流量空气泄漏测试仪获得 SAE, USP (1207), 美国 FDA ASTM (F3287-17) 等认证. 专利 Micro-Flow 微流空气泄漏试验技术, 通过加压或抽真空方式, 测试产品的密封性.ATC 空气泄漏测试仪适用于 IP67 或 IP68 防水等级测试 提供完整的泄漏测试解决方案, 可进行气水混合实验, 进水气和空气流量试验都可以保证原膜的完整性,客户案例: 使用美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪 ME3, 内部配置微流量传感器 IM2-U每小时可测 50-200 pc (根据客户待测件实际情况)流量范围: 0 ~ 100 μg/min压力范围: 1-100 Torr温度范围: 5-45℃跨膜差: 0.5- 6.0+ bar水应用于膜的外侧面, 真空作用于膜的内部,根据防水IP等级, 水汽含量超过限制.Advanced Test Concepts, Inc. 美国 ATC 提供空气泄漏检测仪, 获得 SAE, USP (1207), 美国 FDA ASTM (F3287-17) 等认证. 专利 Micro-Flow 微流空气泄漏试验技术, 通过加压或抽真空方式, 测试产品的密封性. ATC 提供整套泄漏和密封性解决方案. 适用于制药包装密封性检测 CCIT, 汽车油管, 电子产品 IP防水测试. 上海伯东是美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪代理商.若您需要进一步的了解美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪, 请联络上海伯东叶女士,分机109

传统磁控溅射制备工艺存在一个突出的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能. 为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 用于磁控溅射镀制 TiN 薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 P 型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜. 推荐理由:聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 运行结果：1. 通过KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.2. 减少结构缺陷3. 提高耐蚀性能 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

无论是何种膜系结构, 玻璃基片表面的清洁程度和表面状态将直接影响所镀膜层的质量, 如薄膜的附着力/ 粗糙度以及薄膜的物理性能与机械强度. 但在放置和传输过程中会对玻璃基片表面难以避免地出现不明污染物, 失去 "新鲜表面" 形成钝化层, 甚至可视痕迹.  对于低辐射玻璃而言, 在瑕疵处生长的银膜会在后续钢化及热弯过程中形成团聚, 导致透光性能与低辐射性能严重恶化, 镀膜产品报废,降低成品率. 因此, 国内某玻璃制造商采用伯东 KRI 考夫曼霍尔离子源 eH3000 在玻璃基片传输后/ 镀膜前进行在线基片表面处理工序.KRI 霍尔离子源 Gridless eH3000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH3000Cathode/NeutralizerHC电压50-250V电流20A散射角度>45可充气体Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current 该制造商采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH3000离子源解离 Ar 气体,轰击玻璃表面,对玻璃基片表面进行清洗和刻蚀. 推荐理由：设备稳定,抗污染能力强,可以进行基片表面清洗与辅助沉积, KRI 霍尔离子源 Gridless eH3000 对玻璃基片表面有效去除二次污染/ 增加基片表面能/ 控制基片表面粗糙度. 运行结果:KRI 霍尔离子源 Gridless eH3000能有效去除二次污染,对玻璃基片有效清洗清洗和刻蚀, 获得更清洁/ 平滑的玻璃基片表面提高了所镀膜层的质量,提高薄膜的附着力, 改善薄膜粗糙度以及薄膜的物理性能与机械强度降低了镀膜产品报废,提高了成品率 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

电子工业的飞速发展对线路板制造业的要求越来越高, 线路板层数越来越高, 孔密越来越大并向微孔化不断发展, 某国内制造商为了铣刀进行铣边及成型加工时, 减少产品的披锋、毛刺及铣刀断刀, 采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP380辅助钻头铣刀上镀膜. 该制造商的真空离子镀膜技术, 利用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP380 轰击靶材形成离子, 并使离子在强磁场的驱动下吸附于钻头或锣刀上形成镀层, 制备出镀膜钻头及镀膜铣刀.用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 运行结果:结果表面, 采用镀膜钻头, 可以明显增加钻孔孔限, 减少披锋, 节约成本；采用镀膜铣刀进行铣边及成型加工时, 有利于减少产品的披锋、毛刺及铣刀断刀, 提高生产效率及节约成本伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

现代钟表产品愈加青睐新材质的应用与设计, 这也是现代钟表产品顺应市场需求和客户体验的直观表现, 不锈钢表面纳米薄膜涂层具有低摩擦, 高耐磨, 高耐蚀和高生物相容性等技术特点, 因此在国外中高端手表产品已广泛应用. 某国内高端手表代工厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP 220 用于辅助镀制手表的不锈钢表面纳米薄膜涂层.伯东 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束平行流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 推荐理由:使用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP 220 可以准确、灵活、有效地对样品选定的区域进行清洗. 运行结果：对基体材料表面进行离子清洗, 使得基体材料表面与将要沉积的薄膜性非常接近, 这样得到的薄膜与基体结合非常牢固, 薄膜质量很好.  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

ATC 微流量空气泄漏测试仪制药包装完整性检漏 上海伯东美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪, 2020年通过了美国 FDA 的泄漏测试标准 F3287 认证！ATC 空气泄漏测试仪采用质量流量提取技术 Mass Extraction 适用于药品包装, 例如输液袋, 密封袋或玻璃瓶的泄漏检测. 不论是较大孔径还是小至 1μm 的泄漏孔径, 都可以通过 ATC 进行检测并实现稳定性控制以及 100% 自动化测试. 美国 ATC 空气泄漏测试仪在美国 FDA 实验室以及全球各大制药公司累积 10余年的使用案例！ 通过使用 ATC 空气泄漏测试仪精密测试无菌药品密闭容器的完整性 CCIT, 防止微生物, 水分, 氧气等侵入. 适用于肠外注射小瓶和载药注射器, 药管和自动注射装置, 医用小瓶, 西林瓶, 静脉输液袋, 血袋,一次性柔性袋, 密封袋和吸入器等的密封完整性测试.制药包装完整性检漏客户案例: 某医疗设备制造商采用 ATC 微流量空气泄漏测试仪 ME3 对静脉输液袋进行检漏. 待测物:静脉输液袋,医用小瓶.100％ 在线静脉输液袋容器密封完整性测试ATC 微流量空气泄漏测试仪 ME3高达 120 ppm 的高速生产 泄漏率: 在 2 psia ≈ 138 mbar 绝对压力下为 1X10-4 sccs ≈ 1 X10-4 mbar l/s, 相当于 3um的泄漏孔径 泄漏率: 在 0.02 psia≈ 1 mbar 绝对压力下为 7 X10-7 sccs ≈ 1X10-7 mbar l/s,相当于  0.2um的泄漏孔径选用美国 ATC 空气泄漏测试仪能够快速, 高效对静脉输液袋检测, 不需要充入其他气体, 不需要接触被测物, 满足静脉输液袋无菌, 洁净环境要求; ATC 获得 USP 认证, 有效帮助客户对静脉输液袋瑕疵进行修改.若您需要进一步的了解美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪, 请联络上海伯东叶女士,分机109。

某机构为了研究离子源处理纯钛材料表面的时间长短对纯钛材料表面生物活性及亲水性的影响, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP 380 用于纯钛表面氨基化改性的研究. 试验样品: 8mm X 8mm的厚度 1 mmde  TA2型纯钛线 试验流量简介: 通过对试验样品进行刻蚀时间长短不同形成不同的清洁表面, 然后通过仪器分析其亲水性 用于刻蚀的 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000推荐理由:使用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀 试验结论:N2和 NH3 的混合气体射频离子源处理纯钛表面, 可以在表面引入氨基, 但处理时间并不是越长越好, 改性后的钛片表面的亲水性得到较大的提高, 但随放置时间的增加其表面亲水性会变差, 在5h内, 改性钛片保存在氮气气氛中有利于保持其亲水性. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某刀具厂商为了增强刀具切削性能, 采用伯东 KRI 平行型考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高铝超硬涂层.其清洗工艺是采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160轰击处理基材表面, 以清洗基材, 工作示意图如下: 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 其优势：1. KRI 考夫曼离子源 KDC 160 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.2. 离子束流: >650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.3. 加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.4. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.5. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计. KRI 考夫曼离子源 KDC 160运行结果：1. KRI 考夫曼离子源 KDC 160辅助制备的 AlCrN 涂层的 CrN 相的结晶度明显提高2.与传统清洗技术相比, KRI 考夫曼离子源 KDC 160清洗有利于涂层以平面方式生长, 细化晶粒, 涂层硬度从HV0.1 3200 提高到 HV0.1 3600.3. KRI 考夫曼离子源 KDC 160轰击处理基材表面可提高膜基压应力, 抑制裂纹扩展, 基膜结合强度提高了 10N4. 利用KRI 考夫曼离子源 KDC 160清洗制备的 AlTISiN 涂层, 摩擦系数均在 0.2 左右, 具有良好的排屑能力5. 刀具寿命提高了约3倍 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

ATC 微流量空气泄漏测试仪两种检漏模式 上海伯东美国 ATC 空气泄漏检测仪,专利 Micro-Flow 微流空气泄漏试验技术, 无需示踪气体, 通过加压或抽真空方式提供无损检测, 测试产品的密封性. 获得 SAE, USP (1207), 美国 FDA ASTM (F3287-17) 等认证. 适用于制药包装, 汽车油管, 电子产品防水测试.一．ATC Micro-Flow 微流量技术, 压力模式检漏 原理: 将空气或氮气或其他气体通过压力容器, 通入待测物, 使得待测物和压力容器连通, 保持待测物和压力容器的压力平衡稳定. 在高于大气条件的压力状态下, 使用 Micro-Flow 传感器, 当空气从被测单元或组件泄漏时, 通过 Micro-Flow 传感器补充空气损失, 以保持恒定的压力, 传感器测量流量, 压力和温度, 提供一个能反映出相关泄漏率的数值. 可测泄漏率 3X10-3 ccm 约 5X10-4 mbar l/s, 相当于 3um的泄漏孔径.以 ATC 微流量空气泄漏测试仪 E2 为例, 测试方法如下图:二．ATC 质量流量提取技术 Mass Extraction, 真空模式检漏 原理: 美国 ATC 质量提取 Mass Extraction 技术基于稀薄气流原理工作. 在真空条件下进行测试, 以达到更高的灵敏度将待测物置于压力条件低至 1 mbar 或更低的真空室中. 对腔体进行抽真空,真空室和真空容器之间的余流通过传感器测试,确定被测物的泄漏率. 可测泄漏率 7X10-7 sccs（≈ 1 X10-7 mbar l/s) 相当于 0.2um的泄漏孔径.以微流量空气泄漏测试仪 VE2 为例, 测试方法如下图:ATC 微流量空气泄漏测试仪优点:装备简单, 操作简单 无须仰赖人工判断, 减少人为疏失.测试速度快: 与压力衰减法相比快 25-40%比传统空气检测技术更高的灵敏度: 可测泄漏率 5 X10-4 mbar l/s受环境变化的影响小: 大大减少了环境变化造成的虚假结果 高准确性: 允许设定较高产率的阈值, 而不会有通过不良部分的风险 可重复性高: 减少错误故障 一台装置适合检测多种尺寸的待测物 无需每日校准: 具有可追踪检测泄漏的稳定测试条件 直接泄漏流量测量: Micro-Flow 泄漏测量系统可以真实测量泄漏 若您需要进一步的了解美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪, 请联络上海伯东叶女士,分机109

为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾（KDP）晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和消除 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光. 该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀. 其工作示意图如下： 用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 100 DischargeDC 热离子离子束流>400 mA离子动能100-1200 V栅极直径12 cm Φ离子束平行流量2-20 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度23.5 cm直径19.4 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 推荐理由：使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀 运行结果:1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!