核心参数
仪器种类: 激光闪点法
产地类别: 进口
外形尺寸(L×W×H): 0
精确度: ±9%
导热系数测试范围: 0
重复性: ±4.5%
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结构改变对Mg2Sn薄膜热电性能的改善
采用磁控溅射法在氩气氛中制备了Mg-Sn薄膜(21≤at. % Sn≤42.5)。薄膜的结构和形态特征是组成的函数。随着薄膜中Sn含量的增加,Mg2Sn结构由稳定的面心立方结构转变为亚稳定的正交结构。讨论了在较广温度范围内(30-200 C),这种结构改变对温差电性能的影响。测量了薄膜载流子浓度和迁移率,以解释作为薄膜结构修饰函数的电子传输行为。当Sn含量为36at.%时,在200℃品质因数达到最大值ZT≅0.26。此时,立方和正交的Mg2Sn结构共存。在真空 (~10-4Pa)下,在不同温度(最高600℃)下进行退火处理,以确定薄膜结构和形态稳定性的极限。
电子/电气
德国林赛斯热分析
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