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实验上新丨prepFAST S实现半导体级KOH超痕量元素分析
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近期，凯来仪器（青岛）使用prepFAST S全自动在线稀释进样系统（半导体专用），开启半导体级高纯试剂痕量元素分析新篇章。
无机元素杂质污染对集成电路的危害包括：
碱金属与碱土金属（Li, Na, K, Ca, Mg, Ba等）污染可造成元器件漏电，造成低击穿；
过渡金属与重金属（Fe, Cr, Ni, Cu, Au, Mn, Pb等）污染可使元器件寿命缩短或元件工作时暗电流增大；
渗透元素（S, P, Si, As, Sb, B, Al等）污染有扩散作用，影响电子和空穴的数量
半导体元件制造业中50%的产率损失是由清洗试剂以及材料内部的微量元素污染导致。由于需要进行污染水平控制的化学品类型众多、各种化学品的基质差异大以及ppt 量级进行检测时对操作环境和操作人员的污染控制，对半导体级高纯试剂痕量元素分析提出了苛刻的要求。
prepFAST S全自动在线稀释进样系统（半导体专用）改变了ICP-MS检测分析超纯半导体级化学品的方式。prepFAST S利用UPW、半导体级酸和标准溶液的注射器驱动流，实现样品稀释和标准曲线生成的自动化。prepFAST S消除了对样本的手动处理，从而提供了低于ppt级痕量元素检测。
分析人员利用prepfast S联用Agilent 7900 对半导体级氢氧化钾超纯试剂进行在线稀释自动加标实现超痕量元素分析。结果表明：V、Cr、Mn、Ni、Cu、Fe等35种元素的标准曲线R大部分达到0.999以上。该方法具有全程自动操作，实现超低含量检测（ppt级别）等优点，适用于高基质低含量样品的快速批量分析。
KOH
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KOH-MSA（0,5,10,20,30,50ppt）
prepFAST-S 联用Agilent 8900 质谱连续分析半导体级超纯试剂
UPW
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UPW-MSA（0,2,4,6,8,10ppt）
70%HNO3
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70%HNO3自动稀释10倍-MSA（0,2,4,6,8,10ppt）
28%NH4OH
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28%NH4OH自动稀释10倍-MSA（0,2,4,6,8,10ppt）
凯来始终致力于分析方法的开发与创新，为各位老师提供更专业、更全面、更高效的分析测试服务！欢迎有需求的老师垂询送样！
送样指南
电话预约
客服电话：021-58955763
客户经理朱先生：15900900645
测试周期
5-10工作日
测试费用
高纯试剂痕量元素分析：
≥1ppb，5000.00元/样
100ppt-1ppb，6000.00元/样
10-100ppt，7000.00元/样
1-10ppt，9000.00元/样
凯来仪器（青岛）
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