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CMOS与CCD的比较

2004-03-04 15:59

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资料摘要:

CMOS与CCD 全部是硅结构,原理相似对可见光和近红外线敏感,当前的CMOS可与当前市场上的最好的CCD媲美。颜色质量、噪音和敏感度相当或优于CCD,Anti-blooming执行、尺寸、费用和电量消耗都很优秀。 DNR的CMOS照相机 最好的CMOS一体化芯片;设计满足最佳的专业成像要求兼容高级科学装置能力,专利特点:双重曝光范围从而实现宽动态范围。嵌入高的填入因数和低的固定噪音。拥有10几年的应用CCD和CMOS技术,开发生产生命科学方面的成像装置的经验。 CMOS照相机技术规格: 镜头:0.95F 17mm或25mm 凝胶尺寸:15×12cm或17×21cm 传感器类型:2/3"大象素CMOS 图像清晰度:可达5M象素 象素数量:1280×1024=1.3M(640×480=0.3M,2560×2048=5M) 象素尺寸:7×7μm2 文件格式:16点65536灰度TIFF格式 电子快门:旋转窗口增加0.55msec 综合:10秒 黑度:15级手动修补 γ校正:线性和非线性 ADC:正常和反向 数字放大:6倍时时放大 敏感光谱范围:400-1000nm 动态范围:2000:1 66dB;延展范围:80-100dB双重溢出; 象素anti-blooming:过度曝光压缩>105 扫描:无
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