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核心参数
仪器种类： 进口等离子体表面处理仪
射频频率： 0
功率： 0
设备尺寸： 0
样品腔容积： 0
样品腔材质： 0
工作气体： 0
控制方式： 0
MATS射频原子源利用高频射频（13.65MHz）线圈将能量传递到等离子体区，使得氮气、氧气及其他分子气体等离子体化。产生具有最小离子能量的"软"等离子体。可实现各种半导体薄膜，高硬度薄膜和高K电介质薄膜的无缺陷高速率沉积。 MATS源所产生的高通量静电中性原子流，适于氮化物和氧化物的生长。原子流具有高活性和低动能，不会破坏外延基底结构。原子流中不可避免地会携带少量离子，MATS可以配备电荷偏转板确保到达衬底的束流是中性的。 |
射频等离子体原子源 |
应用
氧化物/氮化物分子束外延（MBE）
半导体器件
掺杂
原子氢化处理
射频原子源MATS的特征
MATS源采用全金属真空密封，可承受250°C烘烤，兼容UHV。等离子体放电管由高纯陶瓷制成，陶瓷管材料选择与工作气体相关。感应线圈和气体入口都采用集成水冷，这有利于排除杂质；源的顶端采用水冷并耦合到外部屏蔽，这使得源在工作中保持低温状态，且UHV不受影响。 MATS30 对于外延生长工艺MATS30原子源很受用户的青睐。标准4.5" CF法兰固定口，MATS30可以集成到几乎所有商用MBE系统上。高密度等离子体使得外延材料的典型生长速率可达到1mm/h。MATS30完全可以由用户来维护。 |
射频等离子体原子源特征图 |
MATS60
MATS60是大型原子源，适用于生产或。大光阑可实现大面积高通量束流均匀覆盖到样品表面。MATS60可固定在标准6"CF法兰上，可集成到许多大型沉积系统中，MBE系统。MATS60源也可用在高产能原子氢化工艺中。
选配
自动匹配
MATS提供全自动射频匹配器确保智能地阻抗匹配，简化用户操作。
等离子体产生监测
集成的小型光谱仪可监测等离子体中各粒子的发射线强度以保证最优原子流的产生。
手动或自动挡板
MATS源可配备集成的手动或自动挡板。挡板采用磁耦合旋转，使用寿命长。
束流加热器
束流加热器可以装在源的末端，确保离开源的原子带有一定热能。
放电管
放电区域由质量材料制成，确保对束流的最小污染。放电管用PBN、石英或氧化铝制作，具体取决于工作气体种类和实际应用。
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