PbTe-Ge和PbTe-Ge1-xSix
合金导热系数的测量
在碲化铅材料PbTe-Ge和PbTe-Ge1-xSix中,通过调整Ge和Si的含量可以很容易调节合金的导热系数。
上图结果是在25°C到320°C温度范围内获得。图A显示Ge不同的含量对PbTe的晶格导热系数有很大的影响。在整个温度范围内,随着Ge含量的降低,晶格导热系数降低。另外,在上述体系加入Si元素后,晶格导热系数进一步降低(图B)。当Ge和Si的混合比例不变,将Ge0.8Si0.2含量降低时,可以看到类似的行为(图C)。图D显示当Ge-/Ge- Si的比例为5%时能够得到最佳晶格导热系数。
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