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产品描述
设备主要利用微波测试原理,非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试,
亦可以实现面扫描的测试功能,具有快速,无损,准确等优势,可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。
特点
适用于迁移率量测范围在100cm²/V · s~3000cm²/V · s 的射频HEMT外延片。非接触,非损伤测试,具有测试速度快,
重复性佳,测试敏感性高,可以直接测试产品片等优点。
石墨烯:单层、双层、多层;墨水;掺杂;在SiC上的外延层;粉末和片状;氧化石墨烯
PEDOT
碳纳米管
ITO
NbC
IZO
ALD-ZnO
GaN
MoS
旋涂光阻
产品货期: 200天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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