碳化硅长晶炉
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碳化硅SiC长晶设备

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中国大陆

  • 金牌
  • 第15年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

产地类别: 国产

可生长晶体: 碳化硅

硅单晶等径长度: 2~3cm

生长晶体的直径范围: 6/8英寸

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。微信图片_20240428145423.png

特点

真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa,升压率≤3Pa/12h,保证晶体生长的稳定性

.智能化生长及监测系统,实现多种制程精确定制,工艺优化,长晶全过程实时监控,数据可视化存档

.新型感应加热线圈设计,有效提高热场加热的均匀性和稳定性
.业内首创的PIM自检系统,有效减免制程时间浪费
.稳定可靠的水冷系统,实现了水道管路温度、流量的实时监控,保证了生长室温场的稳定性
.可生产6英寸P级碳化硅衬底,微管缺陷密度<0.5个/cm2,电阻率达0.015-0.0280


售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: I人技术服务

免费仪器保养: 暂无

保内维修承诺: 免费维修服务

报修承诺: 24小时内响应

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