QSense Omni 耗散型石英晶体微天平

QSense® Omni 耗散型石英晶体微天平——高效无忧的QCM-D技术   创新引领未来

QCM-D技术的开创者

瑞典百欧林科技有限公司与查尔姆斯理工大学是QCM-D技术的开创者，QSense®为纳米级表界面相互作用跟踪和表征提供全球领先的、高端的耗散型石英晶体微天平。QSense® 耗散型石英晶体微天平通量高、易于使用，可以为您提供独特的、可重复的和有深度的数据。这有助于您了解反应的基本原理过程、提前预测真实结果以及优化产品和流程，以适应真实的反应条件。拥有一台QSense耗散型石英晶体微天平，可以使您和您的团队一直处于科学进步和技术创新的最前沿。

QSense® Omni是我们最新一代QCM-D耗散型石英晶体微天平，现有的技术加上几十年对表界面相互作用的深度理解，QSense® Omni可以为您提供更清晰的结果和更顺畅的实验过程。QSense® Omni可以更快展示您独到的见解，并基于高度可控的测量结果做出更可靠的结论。

QSense® Omni 适用场景：

您需要简单易用

• 开箱即用的解决方案

• 开启工作所需的一切皆已包含

您需要灵活性

• 自由构建满足您现在和将来需求的系统

您需要自动化

• 最大限度地减少操作时间

• 最大限度地提高可重复性

您重视数据质量

• 从全新一代高端QCM-D仪器中获取值得信任的结果

QSense® Omni 技术特点：

• 自动样品切换

• 自动运行QC程序

• 直接注入液体

• 快速液体交换

• 芯片自动锁紧

• 集成样品加热舱

• 各通道流速独立调节

• 实时编辑程序

三个选用QSense® Omni的原因：

数据解析更容易

一流的信号处理和快速可重复的液体交换，QSense® Omni为您提供清晰、简洁的数据。数据解析和分析更为轻松自信。

实验过程更顺畅

得益于直观的设计、智能的工作流程和灵巧的自动化，成功进行QCM-D实验并获取可信和可重复的结果变得史无前例地轻松简单。生产力大幅提高，工作更有效率。

与研究共同成长

设计卓越、功能智能，QSense® Omni为科学进步和未来创新量身定制。升级到更多通道或增加QSense Orbit来构建更多元化的实验设置和补充测量，您可以轻松跨越入门级门槛，让QSense® Omni与您的研究共同成长。

QSense芯片——多种芯片表面可选：

QSense芯片是QCM-D测量的核心。芯片涂层的选择对于您的实验至关重要。百欧林科技可提供超过我们提供50种标准芯片涂层和200多种定制芯片，涵盖各种材料，包括金属、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂层和标准化土壤。您可以从种类繁多的芯片中找出哪种芯片材料和涂层最适合您的研究。也可以根据您的需求让百欧林为您量身定制，我们可以让您尽可能接近真实的反应条件。

百欧林科技开发和生产的芯片，经过严格的验证。QSense芯片将为您的QSense系统提供稳定、可靠和可重复的数据。芯片建议一次性使用。

QSoft Omni 软件：

一同领略 QSoft Omni 软件的风采吧！一个全新的、用户友好的软件，旨在帮助您完成实验设置并成功获得实验数据。当您在准备实验时，QSoft Omni 软件会在后台进行QC程序，确保测量条件最佳。QSoft Omni帮您采集数据，而Dfind使您的数据分析更轻松。

图片 2：QSoft Omni 软件

QSoft Omni 软件主要特点：

•    引导式工作流程带领您完成实验设置

•    后台自动运行QC程序，确保实验结果最佳

•    拖放界面和实时编辑使程序开发变得更为轻松

•    事件日志自动记录自动操作和用户注释

QSense® Omni模块及配件——探索更多：

浏览以下可选配模块，扩展您的实验设置和可能性。

QSense湿度模块

用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。

QSense窗口模块
该系统可以在芯片表面上同时进行QCM-D测量和显微镜观察。您还可以进行对光或辐射敏感的实验。

QSense 电化学模块
想在同一表面上同时进行QCM-D和电化学测量？该模块支持多种电化学方法，如循环伏安法和电化学阻抗测量，可探索如聚合物的界面行为、静电相互作用、腐蚀性能等。

QSense电化学窗口模块

该模块可在芯片表面上同时进行QCM-D测量和光学、电化学测试，该模块通常用于光伏等应用。

QSense开放模块

开放模块无需管路，样品需求量低。您可以直接移液少量液体确保覆盖芯片即可。该模块可进行样品挥发性、外部触发反应（如光诱导反应和化学触发反应）等研究。

QSense湿度模块

用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。

QSense ALD（原子层沉积）样品架

适用于真空或气相环境测量。

QSense PTFE流动模块

适用于对钛材料敏感的测量体系。类似于标准流动模块(QFM 401)，但流路部分的钛被PTFE替换。

客户谏言：

BASF试用QSense® Omni后的第一印象

“我观察到QSense® Omni减少了交叉污染，这对于获取准确的数据至关重要。我认识到这在我们未来的研究中极具潜力和价值。”- Peter Stengel

“从我进行实验的初步经验来看，很明显QSense® Omni是为易于使用而设计的，多个用户可同时开展实验。”- Franziska Tauber

QSense® Omni技术参数：

让我们深入了解下QSense Omni的技术性能，您还可以将这些参数与其他QSense仪器进行比较。

所有规格可能会在未经通知的情况下更改

b. 温度稳定性取决于外部环境对样品舱的加热或者制冷。如果由于气流或热源等原因，室温变化超过±1℃，可能无法达到指定的温度稳定性。

c. 数据测试条件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去离子水中测量，流速为20µl/min，数据采集速率为每秒1个数据点，测量时长1小时。用于分析的数据间隔为2分钟。等待超过1小时可以获得更好的稳定性。

d. 重量不包括外部电源。

QSense® Omni实际性能：

更高的采样速率不可避免地会产生更高的噪音和提高检出限。通过明显降低噪音水平，QSense® Omni极大地降低了检出限。下面的图表描述了QSense® Omni在三种不同采样间隔下的检测限，可以看出在高采样频率下检出限也可以做到非常低。下面的图表列出了每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。

表1 a：性能特征

图2a：每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。不同的采样间隔下的理论检测限（LOD）。检测限设定为频率噪音水平的3倍。

a 实验条件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C温度下、流量15μL/min的去离子水中使用一个测量通道进行测量。每种测量模式测量5分钟，根据1分钟时间范围内采集数据点的标准偏差，统计确定噪音数据。