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泽攸科技 等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),符合CE认证标准的三温区CVD系统,生长样品腔的管径60-120mm,它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成,极限真空度可达 10^-5 torr 。
主要特点:
1,优势在于各种薄膜材料、低维纳米材料等的制备(尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂,以及多元二维材料的生长)
2,可选配远程等离子射频发生系统,可用于各种薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰(尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长,缺陷调控,以及器件制作工艺中的残胶去除)
3,生长工艺设计先进,能满足任意衬底无催化生长
设备主要技术参数
温控参数 | 单位 | |
温度 | 1200 | ℃ |
功率 | 6.5 | kw |
温控精度 | ±1 | ℃ |
真空系统 | ||
真空泵 | 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) | mbar (Torr) |
真空泵(开气镇) | 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) | mbar (Torr) |
真空泵(使用PEPE 油) | 1 x 10-2(7.5 x 10-3) | mbar (Torr) |
腔体内真空度 | 优于2.0*10-2 | Torr |
流量控制参数 | ||
泄露率 | <4×10-9 | atm-cc/secHe |
分辨率 | 全量程的0.1% | |
响应时间气特性 | <2 | s |
响应时间电特性 | 500 | ms |
尾气吸收参数 | ||
材质 | 壳体铝合金、不锈钢 | |
吸气腔 | 聚四氟乙烯 | |
等离子体系统参数 | ||
功率输出 | 5 – 300,5 – 500 | W |
信号频率 | 13.56 ±0.005% | MHz |
反射功率 | 200 | W |
功率稳定度 | ±0.1% | |
谐波分量 | ≤-50 | dbc |
供电电压 | 187V – 253V —- 频率50/60HZ |
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产品货期: 30天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
安装调试时间: 到货后3天内
电话支持响应时间: 1小时内
维修响应时间: 2天内
是否支持上门巡检: 是
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