CIF-RIE反应离子刻蚀机

   CIF 推出 RIE 反应离子刻蚀机，采用 RIE 反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所，微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行 RIE 反应离子刻蚀。

具体包括：

◆ 介电材料（SiO2、SiNx 等）

◆ 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

◆  III-V 材料（GaAs、InP、GaN 等）

◆ 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W 等）

◆ 类金刚石（DLC）

应用领域：

主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。

产品特点

◆  7 寸彩色触摸屏中英文互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20 个配方程序，工艺数据可存储追溯。

◆  PLC 工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。

◆  真空舱体、全真空管路系统采用 316 不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

◆  采用防腐数字流量计，  实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统， 可选多气路气体输送系统， 可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

◆  采用花洒式多孔进气方式，改变单孔进气不均匀问题。

◆  HEPA 高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。

◆  符合人体功能学的 60 度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。

◆  采用顶置真空舱，上开盖设计，下压式铰链开关方式。

◆  上置式 360 度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。

◆  有效处理面积大，可处理最大直径 154mm 晶元硅片。

◆  安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。

技术参数

 
备注： 可选：1、冷却循环水器：温度控制范围 -20-100℃;

 
                       2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）极限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。